全固源分子束外延1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料
来源期刊：稀有金属2004年第3期
论文作者：任在元 郝智彪 罗毅 何为
关键词：固源分子束外延; 应变补偿多量子阱; X射线衍射; 光致荧光;
摘 要：利用新型全固源分子束外延技术,对1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料的生长进行了研究.在InAsP阱和InGaP垒之间插入InP中间层以减小阱和垒之间较大的剪切力.通过对生长材料的X射线衍射摇摆曲线和室温光致荧光光谱的比较,优化生长参数,获得了高质量的InAsP/InP/InGaP/InP应变补偿多量子阱结构,阱、垒、中间层的厚度分别为7.1,6.0,1.9 nm的7个周期的应变补偿多量子阱材料室温光荧光谱半高全宽为18.2 meV,是当前文献报道的1.55 μm 波段的InAsP多量子阱材料的最好结果之一.
任在元1，郝智彪1，罗毅1，何为1
(1.清华大学电子工程系集成光电子国家重点实验室,北京,100084)
摘要:利用新型全固源分子束外延技术,对1.55 μm波段应变补偿InAsP/InGaP多量子阱材料的生长进行了研究.在InAsP阱和InGaP垒之间插入InP中间层以减小阱和垒之间较大的剪切力.通过对生长材料的X射线衍射摇摆曲线和室温光致荧光光谱的比较,优化生长参数,获得了高质量的InAsP/InP/InGaP/InP应变补偿多量子阱结构,阱、垒、中间层的厚度分别为7.1,6.0,1.9 nm的7个周期的应变补偿多量子阱材料室温光荧光谱半高全宽为18.2 meV,是当前文献报道的1.55 μm 波段的InAsP多量子阱材料的最好结果之一.
关键词:固源分子束外延; 应变补偿多量子阱; X射线衍射; 光致荧光;
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