退火温度对sol-gel制备的ZnO薄膜的结构影响
来源期刊：功能材料与器件学报2005年第3期
论文作者：李均钦 杨钦鹏 汤皎宁 李翠华 谷坤明
关键词：ZnO薄膜; 溶胶-凝胶法; 热处理;
摘 要：采用sol-gel旋涂法在抛光硅<111>晶面生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.DSC以及XRD测试结果显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响.SEM显示薄膜表面致密、均匀、光滑,组成薄膜的颗粒尺寸在50～100nm,并显示出良好的C轴择优取向.
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摘要:采用sol-gel旋涂法在抛光硅<111>晶面生长了高度C轴取向的ZnO薄膜.DSC以及XRD测试结果显示此溶胶系统的最佳退火温度为450℃左右,更高的退火温度将对薄膜的择优取向产生不利的影响.SEM显示薄膜表面致密、均匀、光滑,组成薄膜的颗粒尺寸在50～100nm,并显示出良好的C轴择优取向.
关键词:ZnO薄膜; 溶胶-凝胶法; 热处理;
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