直接氮化法制备MgAlON材料的工艺研究
来源期刊:材料导报2017年第S2期
论文作者:黄俊伟 曹雨后 高金星 徐恩霞
文章页码:376 - 379
关键词:MgAlON;氮化温度;原料配比;物相组成;显微结构;
摘 要:为了制备出单相的Mg Al ON材料,采用直接氮化法,以活性氧化铝微粉(α-Al2O3)、金属铝粉(Al)和高纯氧化镁微粉(Mg O)为原料,研究了反应温度和原料配比对产物物相组成及微观晶体形貌的影响。结果表明:在本实验条件下,试样中Al含量的增加有助于Al2O3相的消失和Mg Al ON相的生成,但加入量过多会产生多余的Al N相;当原料配比不变时,随着温度的升高,MgAl ON相也会增加。因此,在1 600℃、原料中Al含量为12%、Mg O的量为12%15%的条件下,可以获得晶型发育良好的单相MgAl ON材料。
黄俊伟,曹雨后,高金星,徐恩霞
郑州大学河南省高温功能材料重点实验室
摘 要:为了制备出单相的Mg Al ON材料,采用直接氮化法,以活性氧化铝微粉(α-Al2O3)、金属铝粉(Al)和高纯氧化镁微粉(Mg O)为原料,研究了反应温度和原料配比对产物物相组成及微观晶体形貌的影响。结果表明:在本实验条件下,试样中Al含量的增加有助于Al2O3相的消失和Mg Al ON相的生成,但加入量过多会产生多余的Al N相;当原料配比不变时,随着温度的升高,MgAl ON相也会增加。因此,在1 600℃、原料中Al含量为12%、Mg O的量为12%15%的条件下,可以获得晶型发育良好的单相MgAl ON材料。
关键词:MgAlON;氮化温度;原料配比;物相组成;显微结构;