溅射工艺对LaNiO3薄膜结构和电性能的影响
来源期刊：功能材料2008年第1期
论文作者：丁桂甫 石金川 杨春生 张丛春
关键词：磁控溅射; LaNiO3薄膜; 显微结构; 电阻率;
摘 要：采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜.通过后续热处理使薄膜晶化,并用四探针法测量了薄膜的表面电阻率.借助X射线衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺及热处理温度对薄膜显微结构的影响.实验结果表明,在氧气氛保护下,于550℃处理1h,薄膜晶化.溅射氧分压在10%～25%之间,700℃热处理时可以得到表面光滑致密且电性能较好的薄膜.
丁桂甫1，石金川1，杨春生1，张丛春1
(1.上海交通大学,微纳科学技术研究院,"薄膜与微细技术"教育部重点实验室,"微米/纳米加工技术"国家级重点实验室,上海,200030)
摘要:采用射频磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了LaNiO3薄膜.通过后续热处理使薄膜晶化,并用四探针法测量了薄膜的表面电阻率.借助X射线衍射分析、电感耦合等离子体发射光谱、原子力显微镜等手段研究了溅射工艺及热处理温度对薄膜显微结构的影响.实验结果表明,在氧气氛保护下,于550℃处理1h,薄膜晶化.溅射氧分压在10%～25%之间,700℃热处理时可以得到表面光滑致密且电性能较好的薄膜.
关键词:磁控溅射; LaNiO3薄膜; 显微结构; 电阻率;
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