简介概要

LEC技术生长3inch掺Si GaAs单晶的研究

来源期刊：功能材料与器件学报2000年第4期

论文作者：周春锋高瑞良高峰杜庚娜赖占平齐德格刘晏凤

关键词：GaAs; 单晶; 掺杂; LEC;

摘要：采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1×1018/cm3,晶体位错密度小于1×104/cm2.实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶.而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上.

详情信息展示

周春锋¹，高瑞良¹，高峰¹，杜庚娜¹，赖占平¹，齐德格¹，刘晏凤¹

(1.信息产业部电子第四十六研究所,天津,300220)

摘要:采用高压LEC工艺生长3inch掺Si GaAs单晶,掺杂浓度大于1×1018/cm3,晶体位错密度小于1×104/cm2.实验发现,采用PBN坩埚和使用水含量较高的氧化硼做覆盖剂,固液交界面处均会产生浮渣,造成无法引晶.而实际掺杂量应为理论计算值的4倍以上.

关键词:GaAs; 单晶; 掺杂; LEC;

【全文内容正在添加中】