不同衬底上La0.5Sr0.5CoO3薄膜生长及导电性质的研究
来源期刊：昆明理工大学学报(自然科学版)2006年第3期
论文作者：彭巨擘 王建禄 李丽萍 普朝光 蔡毅 张鹏翔
文章页码：12 - 32
关键词：脉冲激光沉积法(PLD);电阻率;钙钛矿氧化物;
摘 要：用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Si(100),SiO2/Si(100),LaA lO3衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜.在LaA lO3衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3薄膜的近外延生长,薄膜的电阻率最低.这是由于LaA lO3的晶格常数与La0.5Sr0.5CoO3最为接近.在SiO2/Si(100)衬底上生长的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的电阻较Si(100)衬底上薄膜小,XRD表明SiO2/Si(100)衬底更易于薄膜的择优生长.
彭巨擘1，王建禄1，李丽萍1，普朝光2，蔡毅2，张鹏翔1
1. 昆明理工大学光电子新材料研究所2. 昆明理工大学昆明物理所
摘 要：用脉冲激光沉积法(PLD)分别在Si(100),SiO2/Si(100),LaA lO3衬底上制备了La0.5Sr0.5CoO3薄膜.在LaA lO3衬底上实现了La0.5Sr0.5CoO3薄膜的近外延生长,薄膜的电阻率最低.这是由于LaA lO3的晶格常数与La0.5Sr0.5CoO3最为接近.在SiO2/Si(100)衬底上生长的La0.5Sr0.5CoO3薄膜的电阻较Si(100)衬底上薄膜小,XRD表明SiO2/Si(100)衬底更易于薄膜的择优生长.
关键词：脉冲激光沉积法(PLD);电阻率;钙钛矿氧化物;
