Si(111)衬底上离子束溅射沉积法生长β-FeSi2薄膜的研究
来源期刊：功能材料2006年第11期
论文作者：李强 王海燕
关键词：β-FeSi2薄膜; 离子束溅射沉积; 反应沉积外延;
摘 要：采用离子束溅射Fe靶的方法在500～800℃的Si(111)衬底上制备出不同种类的铁硅化合物.当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-FeSi2薄膜,高分辨透射电镜证实该β-FeSi2薄膜为局部外延,薄膜和Si衬底之间界面明显,没有中间层.
李强1，王海燕2
(1.中国电子科技集团公司,第二十七研究所,河南,郑州,450005;
2.燕山大学,环境与化学工程学院,河北,秦皇岛,066004)
摘要:采用离子束溅射Fe靶的方法在500～800℃的Si(111)衬底上制备出不同种类的铁硅化合物.当衬底温度为700℃时得到厚度为500nm的单相的β-FeSi2薄膜,高分辨透射电镜证实该β-FeSi2薄膜为局部外延,薄膜和Si衬底之间界面明显,没有中间层.
关键词:β-FeSi2薄膜; 离子束溅射沉积; 反应沉积外延;
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