钆掺杂氧化铈固体电解质低温电性能的研究
来源期刊：稀有金属材料与工程2007年增刊第2期
论文作者：赵艳琴 王岭 吴印林 赵海燕 周会珠 王建民
关键词：钆掺杂氧化铈; 交流阻抗谱; 电导率; 界面扩散;
摘 要：采用固相反应法成功制备了电解质Ce0.8Gd0.2O1.9(CGO).在250 ℃～600 ℃范围内利用交流阻抗谱技术测试了分别以Pt和Ag作电极的CGO的导电性能和界面行为,探讨了低温下电导率与温度,界面电阻与温度和频率等之间的关系;并对O2在电极表面的扩散机理进行研究.结果表明,用Pt或Ag作电极时,晶粒、晶界和总电导率与温度均严格遵守Arrhenius公式,CGO(Pt)的电导活化能Ea分别为0.41,0.51,0.42eV,CGO(Ag)的电导活化能Ea分别为0.43,0.55,0.42eV;晶界阻抗半圆中的特征频率与温度也均符合Arrhenius公式;Pt(Ag)/CGO的界面阻抗主要来自氧的扩散阻抗,其扩散活化能分别为0.32eV和0.52eV.
赵艳琴1，王岭1，吴印林1，赵海燕1，周会珠1，王建民1
(1.河北理工大学,河北,唐山,063009)
摘要:采用固相反应法成功制备了电解质Ce0.8Gd0.2O1.9(CGO).在250 ℃～600 ℃范围内利用交流阻抗谱技术测试了分别以Pt和Ag作电极的CGO的导电性能和界面行为,探讨了低温下电导率与温度,界面电阻与温度和频率等之间的关系;并对O2在电极表面的扩散机理进行研究.结果表明,用Pt或Ag作电极时,晶粒、晶界和总电导率与温度均严格遵守Arrhenius公式,CGO(Pt)的电导活化能Ea分别为0.41,0.51,0.42eV,CGO(Ag)的电导活化能Ea分别为0.43,0.55,0.42eV;晶界阻抗半圆中的特征频率与温度也均符合Arrhenius公式;Pt(Ag)/CGO的界面阻抗主要来自氧的扩散阻抗,其扩散活化能分别为0.32eV和0.52eV.
关键词:钆掺杂氧化铈; 交流阻抗谱; 电导率; 界面扩散;
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