Al掺杂ZnO薄膜的热处理工艺与性能研究
来源期刊：材料热处理学报2009年第2期
论文作者：江民红 刘心宇
关键词：ZAO薄膜; 真空退火; 导电性能; 组织;
摘 要：采用陶瓷烧结靶材、射频磁控溅射法制备了(002)择优取向的Al掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同的热处理工艺对显微结构、光电性能的影响.结果表明,真空400℃退火能大幅提高ZAO薄膜的导电性能,并保持其平均透光率在85%以上,而非真空退火(大气环境)将使ZAO薄膜材料绝缘化,400℃真空退火时间或退火次数对导电性能无明显影响,但随退火时间和退火次数的增加薄膜组织恶化,在真空循环退火条件下尤为严重;经400℃真空退火的薄膜样品,其最低电阻率达8.4×10-4Ω·cm.
江民红1，刘心宇1
(1.桂林电子科技大学,广西信息材料重点实验室,广西,桂林,541004;
2.中南大学材料科学与工程学院,湖南,长沙,410083)
摘要:采用陶瓷烧结靶材、射频磁控溅射法制备了(002)择优取向的Al掺杂ZnO薄膜,着重研究了不同的热处理工艺对显微结构、光电性能的影响.结果表明,真空400℃退火能大幅提高ZAO薄膜的导电性能,并保持其平均透光率在85%以上,而非真空退火(大气环境)将使ZAO薄膜材料绝缘化,400℃真空退火时间或退火次数对导电性能无明显影响,但随退火时间和退火次数的增加薄膜组织恶化,在真空循环退火条件下尤为严重;经400℃真空退火的薄膜样品,其最低电阻率达8.4×10-4Ω·cm.
关键词:ZAO薄膜; 真空退火; 导电性能; 组织;
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