射频磁控反应溅射制备ZnO/AlN双层膜的结构和性能
来源期刊：理化检验物理分册2008年第2期
论文作者：王淑占 李合琴 顾金宝 巫邵波 赵之明
关键词：射频磁控反应溅射; 缓冲层; 表面形貌; 电阻率; 荧光光谱;
摘 要：采用射频磁控反应溅射在Si(100)衬底上制备了ZnO/AlN双层膜.使用X射线衍射仪、原子力显微镜(AFM)、LCR测试仪及荧光分光光度计等仪器对样品进行了结构、表面形貌、导电性及荧光光谱的测试,并与相同工艺下制备的ZnO单层薄膜进行了对比研究.结果表明,ZnO/AlN双层膜的c轴择优取向性优于单层ZnO薄膜,薄膜应力更小,且为压应力,晶粒尺寸大于单层膜,表面粗糙度较小,并且其电阻率更低.荧光光谱显示,ZnO/AlN双层膜的结晶质量更好.
王淑占1，李合琴1，顾金宝1，巫邵波1，赵之明1
(1.合肥工业大学,材料科学与工程学院,合肥,230009)
摘要:采用射频磁控反应溅射在Si(100)衬底上制备了ZnO/AlN双层膜.使用X射线衍射仪、原子力显微镜(AFM)、LCR测试仪及荧光分光光度计等仪器对样品进行了结构、表面形貌、导电性及荧光光谱的测试,并与相同工艺下制备的ZnO单层薄膜进行了对比研究.结果表明,ZnO/AlN双层膜的c轴择优取向性优于单层ZnO薄膜,薄膜应力更小,且为压应力,晶粒尺寸大于单层膜,表面粗糙度较小,并且其电阻率更低.荧光光谱显示,ZnO/AlN双层膜的结晶质量更好.
关键词:射频磁控反应溅射; 缓冲层; 表面形貌; 电阻率; 荧光光谱;
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