CdZnTe晶体表面Au电极薄膜的制备及其欧姆接触性质

谢经辉^1,2，刘雨从²，王超²，殷子薇²，陈嘉栋^2,3，邓惠勇²，沈悦¹，王林军¹，张建国²，戴宁²

1. 上海大学材料科学与工程学院2. 中国科学院上海技术物理研究所3. 中国科学院上海技术物理研究所常州光电技术研究所

摘 要：为了研究不同制备工艺对电极欧姆接触特性的影响,分别采用真空蒸发法、溅射法及化学沉积法在CdZnTe晶片表面制备了Au薄膜电极,通过测试样品的SEM、I-V曲线及交流阻抗谱,研究了不同电极制备工艺及退火处理对Au薄膜电极的微观结构及欧姆接触特性的影响。结果表明化学沉积法制备的Au薄膜表面更加平整、致密,接触势垒的高度较低,电极欧姆接触特性最好。退火处理可以改善电极的欧姆接触特性,100℃退火后,化学沉积法制备的Au电极的欧姆系数由0.883提高至0.915,势垒高度由0.492降低至0.487 e V。交流阻抗谱分析表明,化学沉积法制备电极具有最低的接触势垒,这与界面处晶片表面的掺杂及缺陷的变化有关。

关键词：碲锌镉;Au薄膜制备;欧姆接触;交流阻抗谱;