Sol-Gel法制备KDP晶体SiO2基防潮减反膜
来源期刊：稀有金属材料与工程2010年第S2期
论文作者：熊怀 李海元 唐永兴
文章页码：224 - 227
关键词：sol-gel法;改性SiO2;防潮增透膜;KDP类晶体;
摘 要：在高功率激光装置中3倍频器高氘化的KD*P晶体相变温度是110℃。在SiO2溶胶合成阶段进行化学改性,将六甲基二硅氮烷(HMDS)加入SiO2溶胶进行化学改性,用非极性溶剂替代乙醇溶剂,涂制的减反膜不需要热处理就可能应用于KDP与KD*P晶体中。单层的改性防潮增透膜的透过率大于99%,膜层均匀性良好,改性膜层本身具有一定的防潮功能,水接触角142o,膜层激光破坏阈值约16.9J/cm2,有希望应用于高功率激光系统的KDP类晶体。
熊怀，李海元，唐永兴
上海光学精密机械研究所高功率激光物理国家实验室
摘 要：在高功率激光装置中3倍频器高氘化的KD*P晶体相变温度是110℃。在SiO2溶胶合成阶段进行化学改性,将六甲基二硅氮烷(HMDS)加入SiO2溶胶进行化学改性,用非极性溶剂替代乙醇溶剂,涂制的减反膜不需要热处理就可能应用于KDP与KD*P晶体中。单层的改性防潮增透膜的透过率大于99%,膜层均匀性良好,改性膜层本身具有一定的防潮功能,水接触角142o,膜层激光破坏阈值约16.9J/cm2,有希望应用于高功率激光系统的KDP类晶体。
关键词：sol-gel法;改性SiO2;防潮增透膜;KDP类晶体;
