高效本征薄层异质结(HIT)太阳电池技术研究进展
来源期刊:材料导报2018年第5期
论文作者:郝立成 张明 陈文超 冯晓东
文章页码:689 - 1409
关键词:能带带阶;钝化;载流子迁移率;高效本征薄层异质结(HIT);太阳电池;
摘 要:高效本征薄层异质结(HIT)是由本征钝化层沉积在a-Si/c-Si界面处组成,这种硅异质结(SHJ)结构由于钝化性能好,实际效率值往往比同质结电池更高。本文首先介绍了HIT高效电池发展现状、电池基本结构的特点,然后从制备工艺、钝化原理、能带带阶等几个方面对衬底层、非晶硅层(本征/掺杂)、TCO薄膜以及金属格栅电极展开讨论,并对未来高效HIT电池的工业化发展趋势做了展望。
郝立成,张明,陈文超,冯晓东
南京工业大学材料科学与工程学院
摘 要:高效本征薄层异质结(HIT)是由本征钝化层沉积在a-Si/c-Si界面处组成,这种硅异质结(SHJ)结构由于钝化性能好,实际效率值往往比同质结电池更高。本文首先介绍了HIT高效电池发展现状、电池基本结构的特点,然后从制备工艺、钝化原理、能带带阶等几个方面对衬底层、非晶硅层(本征/掺杂)、TCO薄膜以及金属格栅电极展开讨论,并对未来高效HIT电池的工业化发展趋势做了展望。
关键词:能带带阶;钝化;载流子迁移率;高效本征薄层异质结(HIT);太阳电池;