沉积温度对SiC涂层微观结构及组成的影响

来源期刊：粉末冶金材料科学与工程2006年第5期

论文作者：邓清 肖鹏 邓清

文章页码：304 - 309

关键词：化学气相沉积;SiC;沉积温度;微观结构;

摘    要：利用MTS-H2-Ar体系,用化学气相沉积法（CVD）在SiC基体材料表面沉积SiC涂层。用X射线衍射仪和扫描电镜分析涂层的晶体结构和表面形貌。研究温度对涂层的物相组成、微观结构和沉积速率的影响。结果表明:在1 100¹ 400℃范围内,沉积产物均为单一的-βSiC结晶相;随温度升高,SiC晶粒尺寸增大,1 400℃时择优生长由（110）晶面转变为（220）晶面;涂层形貌对温度十分敏感,在1 200℃温度下沉积的涂层最为致密,且具有最大沉积速率,是制备SiC涂层的最佳温度。