Si中30°部分位错和单空位相互作用的分子动力学模拟
来源期刊：金属学报2009年第4期
论文作者：王云涛 孟庆元 王超营
关键词：Si,30°部分位错; 单空位; 分子动力学; 弯结;
摘 要：利用基于Stillinger-Weber(SW)势函数的分于动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位(V1)的相互作用.不同温度,剪应力作用下的计算结果表明,在温度恒定条件下,剪应力较小时,V1对位错有钉扎作用;当施加的剪应力达到临界剪应力时,位错脱离V1的钉扎继续运动,并且将V1遗留在晶体中;随温度的升高,临界剪应力近似线性下降.通过不含V1和含有V1的模型中位错芯位置的对比后发现,V1对滑过它的30°部分位错有明显的加速作用.
王云涛1，孟庆元1，王超营1
(1.哈尔滨工业大学航天科学与力学系,哈尔滨,150001)
摘要:利用基于Stillinger-Weber(SW)势函数的分于动力学方法分析了Si中30°部分位错和单空位(V1)的相互作用.不同温度,剪应力作用下的计算结果表明,在温度恒定条件下,剪应力较小时,V1对位错有钉扎作用;当施加的剪应力达到临界剪应力时,位错脱离V1的钉扎继续运动,并且将V1遗留在晶体中;随温度的升高,临界剪应力近似线性下降.通过不含V1和含有V1的模型中位错芯位置的对比后发现,V1对滑过它的30°部分位错有明显的加速作用.
关键词:Si,30°部分位错; 单空位; 分子动力学; 弯结;
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