锑化物HEMT器件研究进展
来源期刊：功能材料与器件学报2011年第1期
论文作者：李彦波 刘超 张杨 曾一平
文章页码：29 - 35
关键词：锑化物半导体;高电子迁移率晶体管;HEMT;ABCS;研究进展;
摘 要：由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间。本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述,并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景。
李彦波，刘超，张杨，曾一平
中国科学院半导体研究所材料科学中心
摘 要：由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间。本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述,并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景。
关键词：锑化物半导体;高电子迁移率晶体管;HEMT;ABCS;研究进展;
