高性能低温烧结NiCuZn材料ZL500的开发
来源期刊：磁性材料及器件2006年第3期
论文作者：赵特技 张怀武 王江超 郑鸿
关键词：NiCuZn铁氧体; 低温烧结; 掺杂; 磁导率; Q值;
摘 要：介绍了一种应用于MHz下的高磁导率(μi=500)、高Q值(在1MHz下超过120)、低烧结温度(880℃)NiCuZn材料的开发.研究表明,引入适量的CuO并掺杂适量的V2O5和Co2O3可以促进晶粒的生长,从而降低烧结温度,并且可以获得高Q值;通过对原材料的选择,严格控制主配方和制备工艺获得了优良的材料性能.
赵特技1，张怀武1，王江超1，郑鸿1
(1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054)
摘要:介绍了一种应用于MHz下的高磁导率(μi=500)、高Q值(在1MHz下超过120)、低烧结温度(880℃)NiCuZn材料的开发.研究表明,引入适量的CuO并掺杂适量的V2O5和Co2O3可以促进晶粒的生长,从而降低烧结温度,并且可以获得高Q值;通过对原材料的选择,严格控制主配方和制备工艺获得了优良的材料性能.
关键词:NiCuZn铁氧体; 低温烧结; 掺杂; 磁导率; Q值;
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