反应烧结碳化硅高温氧化过程的表面分析

来源期刊：腐蚀科学与防护技术2010年第6期

论文作者：郑传伟 曹小明 张劲松

文章页码：479 - 483

关键词：碳化硅;高温氧化;粗糙度;拓扑形貌;

摘    要：用扫描电子显微镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）等表面分析方法,考察了反应烧结碳化硅（RBSC）材料在纯氧气中的氧化行为.结果表明,反应烧结SiC（RBSC）表面残余Si比α-SiC拥有更多的缺陷,初期氧化速率更快.表面粗糙度的变化在一定程度上也反映了氧化发生的过程.结合氧化动力学、SEM及AFM,建立了RBSC初期氧化过程的生长模型.提供表面三维信息的AFM和分析成分与形貌信息的SEM技术是研究表面氧化过程尤其是初期氧化十分方便有效的工具.