单晶硅氧化动力学及氧化膜结构分析
来源期刊：工程科学学报1987年第3期
论文作者：樊自拴 凌燕平 李文超
文章页码：107 - 113
关键词：硅;氧化动力学;结构分析;
摘 要：用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理。
樊自拴，凌燕平，李文超
摘 要：用气固相反应原理分析了单晶硅热氧化机理。在氧化中期,考虑到热应力对扩散系数的影响,从而得出了硅氧化的一个新模型,即化学反应控速——四次方混合控速——扩散控速模型。用该模型处理了文献[4]中的数据与本实验结果均得到满意的相关系数。另外,用扫描电镜和透射电镜对氧化膜进行了观察,分析了单晶硅的氧化膜生长机理。
关键词：硅;氧化动力学;结构分析;
