微电子工业用低介电聚酰亚胺薄膜研究进展
来源期刊：绝缘材料2016年第6期
论文作者：张明艳 程同磊 高升 崔宇 吴子剑
文章页码：7 - 11
关键词：低介电常数;聚酰亚胺;含氟;多孔结构;纳米孔洞结构;
摘 要：本文从降低PI的分子极化率和单位体积内极化分子密度两个角度出发,综述了近年来低介电常数PI薄膜(主要包括含氟聚酰亚胺和多孔结构聚酰亚胺)的研究进展,重点介绍了添加具有纳米孔洞结构纳米粒子制备低介电常数聚酰亚胺薄膜的研究。评述了现有制备方法的优劣,并展望了低介电常数聚酰亚胺薄膜的发展前景。
张明艳1,2，程同磊1，高升1，崔宇1，吴子剑1,2
1. 哈尔滨理工大学材料科学与工程学院2. 哈尔滨理工大学工程电介质及其应用技术教育部重点实验室
摘 要：本文从降低PI的分子极化率和单位体积内极化分子密度两个角度出发,综述了近年来低介电常数PI薄膜(主要包括含氟聚酰亚胺和多孔结构聚酰亚胺)的研究进展,重点介绍了添加具有纳米孔洞结构纳米粒子制备低介电常数聚酰亚胺薄膜的研究。评述了现有制备方法的优劣,并展望了低介电常数聚酰亚胺薄膜的发展前景。
关键词：低介电常数;聚酰亚胺;含氟;多孔结构;纳米孔洞结构;
