离子注入对纳米Si3N4结构的影响
来源期刊：无机材料学报2001年第2期
论文作者：赵华珍 李道火 涂鲜花 詹明生
关键词：量子限制效应; 荧光不稳定; 离子注入; 纳米Si3N4;
摘 要：通过FT-IR、XPS和荧光光谱研究了离子注入对纳米Si3N4结构的影响.发现离子注入改变了材料中游离硅(a-Si)的结构,使其变成了SiNn(n=1,2).荧光谱研究表明纳米Si3N4具有明显的量子限制效应,并且荧光峰的位置和强度存在不稳定性.根据实验结果给出了纳米Si3N4的能级结构图.
赵华珍1，李道火1，涂鲜花2，詹明生3
(1.中国科学院安徽光学精密机械研究所,;
2.中国科学院安徽光学精密机械研究所；中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与;
3.中国科学院武汉物理与数学研究所波谱与)
摘要:通过FT-IR、XPS和荧光光谱研究了离子注入对纳米Si3N4结构的影响.发现离子注入改变了材料中游离硅(a-Si)的结构,使其变成了SiNn(n=1,2).荧光谱研究表明纳米Si3N4具有明显的量子限制效应,并且荧光峰的位置和强度存在不稳定性.根据实验结果给出了纳米Si3N4的能级结构图.
关键词:量子限制效应; 荧光不稳定; 离子注入; 纳米Si3N4;
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