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October

2010

“超纯磷常压转化规模化技术研究”等3项科技成果在北京通过行业鉴定

发布时间:2010/10/19 10:04:501198次

据中国有色金属科技信息网报道:

  2010年10月16日,由峨嵋半导体材料研究所完成的“超纯磷常压转化规模化技术研究”、“高纯碲化镉的制备”和“区熔Φ5″单晶硅生长技术研究”等3项高纯技术方面的科技成果在北京通过中国有色金属工业协会组织的行业鉴定。

  “超纯磷常压转化规模化技术研究”项目自主研制了高纯磷生产专用常压转化炉和带冷却系统的转化装置。采用逐渐加料的方式和分段升温、恒温、冷却、卸压、尾气排压方法,实现白磷转化为红磷,避免了磷转化时蒸气压大和蒸气遇空气燃烧或爆炸的危险。6N高纯块状红磷产品单炉产量达到6.8kg,转化率可稳定在90%以上,产品技术指标达到国内领先水平。

  “高纯碲化镉的制备”项目自主研究设计了利用真空熔融法生产高纯碲化镉的工艺和装备。采用粒状碲、镉原料交替投料方式,以及原料脱氧处理、石英管内壁涂层、封泡密封和缓慢升温等技术措施,保证了合成率和纯度。产品纯度大于5N,合成率大于99%,单炉产量达2.5Kg,技术指标达到国内先进水平。

  “区熔Φ5″单晶硅生长技术研究”项目采用FZ-30单晶炉,开发出一套区熔Φ5″单晶的拉制工艺,使之具备生产区熔Φ5″单晶硅的能力,成品率达55%以上,整体技术达到国内先进水平。

  鉴定的3项科技成果已用在峨嵋半导体材料研究所实际生产应用,产品质量稳定,达到用户要求,经济和社会效益明显。

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