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纳米功能材料的高通量合成与筛选 蔡英文1 (1.上海交通大学纳米科学研究中心,上海20030) 摘要:针对纳米功能材料的高通量制备与合成,综述了其发展与应用现状,分析了纳米功能材料合成与制备当中的主要问题.指出高通量技术发展的技术关键,并提出相应的解决措施. 关键词:纳米功能材料; 高通量合成与筛选; [全文内容正在添加中] ......
基于改进忆阻器的高通滤波器设计与仿真杨彪,潘炼武汉科技大学信息科学与工程学院摘 要:针对传统的忆阻器模型存在不能很好地与HP实验室提出的忆阻器物理模型中忆阻器的阻值变化特点相符的问题,提出了一种改进的带有阈值电压的忆阻器模型,该模型能很好地模拟忆阻器的"激活"现象,其特性与HP实验室的忆阻器物理模型相符;基于该改进模型设计了一种高通滤波器电路,该电路通过改变忆阻器阻值控制电路的输出信号来改变忆阻器的阻值,从而实现了滤波器截止频率的调节.SPICE仿真结果验证了设计的正确性.关键词:忆阻器;高通滤波器;SPICE仿真;......
一通三防技术在矿井安全生产的应用杨卫国窑街煤电集团天祝煤业有限责任公司摘 要:一通三防技术主要针对矿井下工作,务必实现安全健康发展的战略目标.本文从矿作业一通三防概念和技术入手.科学分析了一通三防技术的具体运用,介绍了一通三防技术的发展趋势.关键词:一通三防技术;安全生产;矿产企业;发展;......
金属基复合材料高通量制备及表征技术研究进展张学习1,郑忠1,高莹2,耿林11. 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院2. 北京空间飞行器总体设计部摘 要:"材料基因工程"计划是以大数据作为支撑,采用高通量设计,制备和表征技术,促使材料研究从传统的试错模式转向低成本,快速响应的新模式,从而加快新材料的研发速度,实现研发成本和周期"双减半"的目标.金属基复合材料由于组分复杂,制备过程为热力学非平衡状态,带来一些新的问题需要解决,包括:(1)高通量制备方法方面,针对合金块体样品开发的喷印合成法,多元结扩散法等基于热力学平衡理论的高通量制备技术无法直接用于金属基复合材料构件块体坯料的制造;(2)高通量表征技术方面,缺乏针对金属基复合材料单一样品成分,形貌,组织,结构和性能的多维,多场,多尺度同步采集技术,以及针对......
一维光子晶体单向导通滤波研究陈跃刚,刘小钦贵州大学物理系摘 要:单向导通二极管是一种重要的光子器件.在一维光子晶体中非对称位置引入非线性缺陷层实现缺陷模单向导通功能.采用时域有限差分法模拟光脉冲在该光子晶体中传输,发现在通信波段光强较低的脉冲入射时缺陷模双向导通,而光强较大时缺陷模单向导通,其能实现全光单向导通二极管功能.关键词:光子晶体;缺陷模;单向导通;滤波器;......
宝钢石灰悬浮窑通窑排堵的实践王克俭中冶宝钢技术服务有限公司摘 要:由于宝钢悬浮窑内部结构的问题,经常会发生堵料现象,且存在通堵时间长,通堵不彻底,安全风险大等问题.在通堵口设计安装了1种防喷溅装置,通堵时间由原来的平均5h缩短到目前的平均2h,喷溅范围由直径为6m左右的半圆周控制到了直径为0.5m左右的半圆周,较大地提高了作业的安全系数.关键词:悬浮窑;通窑排堵;焙烧;防喷溅;......
钢桁架皮带通廊设计因素分析胡润芥中钢集团马鞍山矿山研究院工程勘察设计有限公司摘 要:探讨并研究钢结构桁架式皮带通廊的特点,并结合工艺,工程所在地的环境及地貌特征,提出合理的通廊布置形式以及有效的抗震设防措施,来确保工程安全质量.关键词:桁架式;皮带通廊;布置形式;抗震措施;......
有色金属矿山钢结构皮带通廊设计及应用汪兴达,王锐军,周爽,吕庆一长春黄金设计院摘 要:通过对有色金属矿山钢结构皮带通廊布置,选型,受力等探讨分析,结合PKPM结构设计软件进行了有色金属矿山皮带通廊结构设计及计算;总结了设计中需要注意的问题及工程应用,以期使钢结构皮带通廊满足空间布置合理,结构安全,可靠,适用的要求.关键词:有色金属矿山;皮带通廊;钢结构;跨间结构;设计;......
通孔泡沫材料与分形理论张金娅,左孝青,史庆南,孙加林,刘荣佩摘 要:分形理论是近年来发展起来的一种应用广泛的理论 .对通孔泡沫材料的孔结构和发泡过程进行了详细的分析 ,同时结合分形结构和分形动力学的相关理论 ,简要分析了二者之间的联系 ,提出了对通孔泡沫结构和孔结构生成过程分析的一个新的途径 .关键词:通孔泡沫材料;孔结构;发泡过程;分形结构;分形动力学;......
相变存储器中选通二极管的模型与优化李宜瑾1,2,凌云3,宋志棠3,贾晓玲1,罗胜钦11. 同济大学电子与信息工程学院2. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室3. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,纳米技术研究室摘 要:设计了0.13um标准CMOS工艺下相变存储器(PCM)中选通二极管的二维工艺模型,利用数值模拟方法进行仿真,对模型中关键参数的优化,得到了一个性能优化的P+/N-/N+结构的选通二极管,此选通二极管可在1.47V电压下达到1 mA的RESET电流,并且反向击穿电压可以达到11V.文章最后还讨论了工艺尺寸从0.13um到22nm等比例缩小下选通二极管的性能,仿真结果表明这些选通二极管均能在较低电压下提供满足......