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Preparation of ITO transparent conductive film by sol-gel method LI Zhi-hua(李芝华)1, REN Dong-yan(任冬燕)2 1. School of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083... to crystalline film and the microstructure of the films were investigated by DTA-TG, XRD and SEM. The influence of preparation processes on the electricity performance of the films was also studied by four......
掺W纳米TiO2材料改性与光催化性能研究 李广海1,陈挺松2,张立德1,郑治祥2,解挺2,吴玉程2 (1.中国科学院固体物理研究所,安徽,合肥,230031;2.合肥工业大学,材料科学与工程学院,安徽,合肥,230009) 摘要:溶胶-凝胶被广泛用来制备纳米氧化物材料.以钛酸丁酯为先驱体,冰醋酸为螯合剂,通过水解缩聚作用制备了纳米TiO2,掺杂钨元素对纳米TiO2进行改性,运用X射线衍射(XRD)和透射电镜(TEM)及光吸收等手段,研究了不同掺杂量对TiO2相变和光催化活性的影响,确定了最佳的掺杂量和热处理温度. 关键词:溶胶-凝胶法; W掺杂; 纳米TiO2; 光催化; [全文内容正在添加中] ......
ITER用高性能轧制W板制备及其组织性能研究宋鹏,刘国辉,吴诚,弓艳飞,王承阳钢铁研究总院安泰科技股份有限公司摘 要:以纯度为99.95%的钨粉为原料,在200 MPa压力下冷等静压成形,2 300℃于H2气氛中进行烧结制得钨烧结坯.钨烧结坯在1 250~1 500℃于H2气氛中经过4道次轧制制得接近理论密度的钨板.通过金相,维氏硬度和高温拉伸强度分析了轧制过程和退火过程中钨板组织和性能的变化规律.通过电子背散射衍射(EBSD)分析了退火过程中钨板织构的衍变.结果表明:轧制过程中钨板的密度,维氏硬度和高温抗拉强度随材料变形量的升高而增大,经过4道次轧制钨板的密度可接近理论密度,维氏硬度和高温抗拉强度分别为HV450和540 MPa;轧制态的钨板晶粒组织有明显沿RD方向拉长,1 350℃退火时,形变织构......
W对Mo-Si-B合金微观组织和力学性能的影响徐健建,颜建辉,汪异,刘龙飞,王跃明湖南科技大学高温耐磨材料及制备技术湖南省国防科技重点实验室摘 要:采用放电等离子烧结技术(SPS)在不同温度下制备Mo-12Si-8.5B和(Mo0.9,W0.1)-12Si-8.5B多相合金材料,研究了合金的微观组织和力学性能.结果表明,两种不同成分合金的组成相中都含有α-Mo,Mo3Si和Mo5Si B2相,在(Mo0.9,W0.1)-12Si-8.5B合金中还存在单质W以及含W的固溶体.随烧结温度提高,两种合金的致密度,硬度和抗弯强度都有所增加.在16001700℃烧结工艺条件下,少量W减少了Mo-12Si-8.5B合金中显微裂纹的数量和尺寸.W加入略降低了Mo-12Si-8.5B合金的硬度,但明显提高了......
Electrodeposition behavior of nanocrystalline CoNiFe soft magnetic thin film LI Jing-feng(李劲风)1,2, ZHANG Zhao(张 昭)2, YIN Jun-ying(阴军英)2, YU Geng-hua(俞耿华)2, CAI Chao(蔡 超)3, ZHANG Jian-qing(张鉴清)2... of nanocrystalline CoNiFe soft magnetic thin film with high saturation magnetic flux density (Bs＞2.1 T) and low coercivity (Hc) was investigated using cyclic voltammetry and chronoamperometry methods......
钨在核聚变反应堆中的应用研究刘凤,罗广南,李强,王万景中国科学院等离子体物理研究所摘 要:钨(W)是聚变实验堆及示范(DEMO)堆中面向等离子体材料(PFM)的首选.目前国际热核聚变试验堆(ITER)的偏滤器采用钨/铜结构;大型托卡马克如JET,ASDEX-U,WEST均进行了基于W-PFM的材料研发及应用.我国已具备研制类ITER钨/铜偏滤器的能力;成功升级的EAST上偏滤器为等离子体的长脉冲高约束运行提供了有力保障.未来DEMO堆的偏滤器及第一壁设计多基于W-PFM.W-PFM研究必须缓解或消除强流等离子体,高热流及中子辐照损伤问题.合金化/弥散粒子掺杂/纤维增韧是可能改变W-PFM热/力学以及抗辐照性能的有效手段;智能钨合金等亦具有发展前景.关键词:钨材料;面向等离子体材料;聚变堆;......
. The particle density is decreased in the middle region and free surface region. The alloy is predominantly composed of supersaturated a-Mg solid solution, T phase and W phase; meanwhile, a few... Mg12Ce phase due to the partial substitution of Mg atoms by Zn. Key words: Mg-6Zn-1Y-1Ce alloy; rapid solidification; T phase; icosahedral quasicrystalline; Mg4Zn7 phase; W phase 1 Introduction Mg alloys......
transition and cyclic voltammetric properties of RuO2·nH2O film LIU Hong, GAN Wei-ping, GUO Gui-quan, LIU Ji-yu, LI Xiang, ZHENG Feng (School of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, China) Abstract: As a good electrode material for supercapacitor, RuO2·nH2O film was deposited on tantalum foils in aqueous solution of RuCl3·3H2O by galvanostatic......
为11.635 eV,说明掺杂后结构较稳定.掺杂后La,W与O成键相对于Sn-O键成键作用更强,加剧电子转移.电导率为本征SnO2的46.653倍,导电性提升.关键词:触头材料;镧-钨共掺杂;第一性原理;导电性;...第一性原理分析La,W共掺杂SnO2的导电性孙绍琦1,王景芹1,朱艳彩1,张广智2,包志舟31. 河北工业大学省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室2. 上海良信电器有限公司3. 浙江人民电器有限公司摘 要:AgSnO2触头材料在使用过程中会析出导电性很差的SnO2晶体,从而影响继电器的使用寿命.为了提......
掺杂少量W对SiO2介孔分子筛结构的影响 李洁1,苏赵辉1 (1.中南大学,化学化工学院,长沙,410083) 摘要:以正硅酸乙酯(TEOS)为硅源,以钨酸钠(Na2WO4·2H2O)为钨源,以非离子表面活性剂三嵌段共聚物P123为模板剂,采用水热法一步合成少量W掺杂的二氧化硅介孔分子筛,并通过XRD,HRTEM,FT-IR等表征手段详细考察了所合成的介孔分子筛的结构以及钨物种在分子筛材料中的存在状态.结果表明,当WO3的含量小于10%时,介孔分子筛仍保持优良的孔道结构,且材料中的钨物种是高度分散的. 关键词:无机非金属材料; 介孔分子筛; 三氧化钨; 二氧化硅; 掺杂; 模板剂; 表面活性剂; [全文内容正在添加中] ......
