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稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究 杨少延1,王占国1,陈诺夫1,柴春林1,陈涌海1,刘志凯1,周剑平1 (1.中国科学院半导体研究所,半导体材料科学重点实验室,北京,100083) 摘要:介绍了一种利用离子束外延(Ion-beam Epitaxy, IBE)技术制备生长高纯稀土功能薄膜的新方法. 以纯度要求不高的低成本稀土氯化物为原材料来产生大束流稀土元素离子, 通过准确控制双束合成或单束浅结注入掺杂的同位素纯低能离子的能量,束斑形状,沉积剂量与配比及生长温度, 在超高真空生长室内实现了稀土功能薄膜的高纯生长和低温优质外延. 文中除了对新方法的技术特点,实施方式和应注意的关键技术进行了阐述, 还结合CeO2, Gd2O3, GdxSi1-x等薄膜的制备研究, 讨论了离子的束流密度,剂量配比,能量和生长温度等生长参数对成膜质量的影响. 关键词:稀土功能薄膜; IBE; 高纯生......
(Gd0.4Sm0.5Yb0.1)2Zr2O7粉体的共沉淀及sol-gel合成 张红松1,王富耻1,刘玲1,朱时珍1,徐强1 (1.北京理工大学材料科学与工程学院,北京,100081) 摘要:以Gd2O3,Sm2O3.Yb2O3,ZrOCl2·8H2O和ZrO(NO3)2·2H2O为原料,分别采用化学共沉淀法和溶胶-凝胶法(sol-gel)合成了一种新型的复杂稀土氧化物粉体材料.以X射线衍射仪(XRD),场发射扫描电镜(SEM)对合成产物的物相以及粉体的微观形貌进行了表征,采用高速自动比表面分析仪以及颗粒分布自动分析仪分别测试了粉体的比表面积和平均粒径.结果表明,两种方法制备的复杂稀土氧......
(Gd0.4Sm0.5Yb0.1)2Zr2O7陶瓷的合成与导热性能研究 张红松1,王富耻1,刘玲1,徐强1 (1.北京理工大学材料科学与工程学院,北京,100081) 摘要:以Gd2O3,Sm2O3,Yb2O3和ZrOCl2·8H2O为原料,采用化学共沉淀法合成了一种新型的多元稀土锆酸盐(Gd0.4Sm0.5Yb0.1)2Zr2O7陶瓷粉体,在1600℃无压烧结10h合成了致密的陶瓷块体.用X射线衍射仪(XRD)及场发射扫描电镜(SEM)对粉体和块体的微观结构进行了表征,采用激光闪射法测试了块体的导热性能.结果表明,制备的多元稀土锆酸盐陶瓷粉体具有焦绿石结构,晶粒细小,陶瓷的热导率明显低......
采用气相稀土扩渗法制备PbTiO3基导电陶瓷 韦永德1,黄金祥1,郝素娥1,孙亮1 (1.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001) 摘要:通过对钛酸铅陶瓷气相扩渗稀土元素,制备了导电陶瓷材料. 通过X射线衍射,电子探针X射线能谱和扫描电镜测试分析,表明稀土元素La,Ce,Gd,Sm等均已渗入到PbTiO3陶瓷体相中,并生成了新的化合物La5O7NO3,La2C2O2,Gd2O3,La2Ti6O15,SmO和CeTi21O38,并使扩渗后的PbTiO3基陶瓷的导电性能发生了十分显著的变化,其室温电阻率从纯PbTiO3陶瓷的2.0×1010 (·m下降为0.2 (·m,而且随着温度的变......
柠檬酸凝胶燃烧法制备Nd,Yb:GGG纳米多晶粉体孙晶,李昌立,于文生,罗明,姜丽霞,刘景和长春理工大学摘 要:以Nd2O3,Yb2O3,Gd2O3和Ga2O3为原料,采用柠檬酸凝胶燃烧法制备了Nd3xYb3yGd(3-3x-3y)Ga5O12(Nd,Yb:GGG)纳米多晶粉体.利用XRD,IR,SEM及荧光光谱研究了Nd,Yb:GGG纳米多晶粉体的相组成及荧光性能.XRD测试结果表明,粉体在未煅烧时已结晶,煅烧温度为700℃时粉体已形成Nd,Yb:GGG纯相;SEM观察发现,Nd,Yb:GGG纳米多晶粉体......
pressing(HIP).Silicon nitride with additives such as 5 wt.% Al2O3 and 5 wt.% Ln2O3(Ln= La,La concentrate,Gd or La+Gd) were studied.The results revealed that Gd2O3 additions increased the formation......
Effects of neodymium and gadolinium on weathering resistance of ZnO-B2O3-SiO2 glass李雄伟,李梅,王觅堂,柳召刚,胡艳宏,田俊虎School of Materials and Metallurgy Inner Mongolia University of Science and Technology摘 要:The ZnO-B2O3-SiO2 glass doped with Nd2O3 and Gd2O3 was prepared by high temperature melt cooling method. The standard sample of the zinc borosilicate glass......
Sm-Gd掺杂CeO2基纳米粉体的制备燕萍1,胡筱敏1,祁阳21. 东北大学资源与土木工程学院2. 东北大学理学院摘 要:采用均相沉淀法,以CO(NH2)2和(CH2)6N4为沉淀剂,Ce(NO3)3.6H2O,Sm2O3,Gd2O3为起始原料,经过700℃焙烧4.5h,分别制备了Sm,Gd掺杂及Sm和Gd共掺杂的CeO2基纳米粉体.利用X射线衍射,扫描电子显微镜和BET等方法,对焙烧粉体的物相,形貌,晶粒尺寸及比表面积进行分析表征.结果表明,通过控制反应条件可对粉体的形貌和粒径进行有效控制;当混合金属离子......
LiGdxMn2-xO4(0≤x≤0.1)材料的结构与电化学性能孙怀兵,朱丁,陈云贵四川大学材料学院摘 要:采用高温固相法合成掺杂Gd3+的锰酸锂LiGdxMn2-xO4(x=0,0.01,0.05,0.1)锂离子电池正极材料并研究了其结构与电化学特性.XRD分析表明,随着Gd3+含量的增加,材料的晶格参数,晶胞体积,Mn-Mn,Mn-O键距,Mn3+/Mn4+比值均下降,材料结构稳定性得到改善.当x≥0.05时第二相Gd2O3析出.循环伏安(CV)和电化学阻抗(EIS)分析表明掺杂Gd3+能降低LiMn2O4在电化学过程中的阴/阳极极化和电荷转移电阻,提高材料的电化学可逆性和动力学性能.恒流充放电实验发现Gd3+的掺入明显改善了材料的循环性能,高温性能以及倍率性能.关键词:锂离子电池......
氟化氢铵氟化法合成氟化钆过程的基础研究郝占忠包头师范学院化学学院摘 要:以Gd2O3和NH4HF2为原料,利用TG-DTA分析方法和控制变量实验方法,研究了氟化氢铵氟化法合成氟化钆过程的反应机理,考察了系统压力,温度,时间和原料摩尔比对氟化率,氟含量,氧含量和氮含量的影响规律.研究表明:合成过程包括NH4GdF4的低温缓慢合成反应,NH4HF2熔化后的NH4GdF4快速合成反应和高温时的NH4GdF4分解反应;氟化过程系统压力增加,氟化率和氟含量增加,氧含量降低,氮含量增加;温度升高,氟化率和氟含量增加,氧含量先降后升;氧含量随摩尔比增加而减少,氟含量随摩尔比增加而增大.关键词:氟化钆;氟化氢铵;合成;机理;......