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Fabrication and Properties of Ag/Mg0.2Zn0.8O/La0.67Ca0.33MnO/p+-Si Resistive Switching Heterostructure Devices韦长成,王华,XU Jiwen,ZHANG Yupei,CHEN QisongSchool of Materials Science and Engineering, Guilin University of Electronic Technology摘 要:Mg0.2Zn0.8O(MZO)/La0.67Ca0.33MnO(LCMO) heterostructure was deposited on p+-Si substrates by sol-gel spin coating......
Construction of one dimensional ZnWO4@SnWO4 core-shell heterostructure for boosted photocatalytic performanceHuaqiang Zhuang1,Wentao Xu1,Liqin Lin1,Mianli Huang1,Miaoqiong Xu1,Shaoyun Chen1,Zhenping..." name="ChDivSummary">The one-dimensional ZnWO4@SnWO4 photocatalyst with a core-shell heterostructure was successfully constructed by a simple two-step method. It is interesting to note that ZnWO4......
非极性GaN用r面蓝宝石衬底 苏良碧1,毕群玉2,李红军1,程艳2,徐军1,杨新波1,周国清2 (1.中国科学院,上海硅酸盐研究所,透明光功能无机材料重点实验室,上海,201800;2.中国科学院,上海光学精密机械研究所,上海,201800;3.中国科学院,研究生院,北京,100049) 摘要:采用温梯法生长了非极性GaN外延衬底r(0112)面蓝宝石,使用化学机械抛光加工衬底表面,对衬底的结晶质量,光学性能和加工质量进行了研究.结果显示r面蓝宝石衬底基本性能参数如下:平均半峰宽值为19.4arcsec;位错密度为5.6×103cm-2,波长大于300nm时的平均透过率大于80%;光学均匀性△n=6.6×10-5;平均表面粗糙度为0.49nm.结果表明,温梯法生长的r(0112)面蓝宝石衬底结晶质量好,位错密度低,光学性能优良,加工的表面质量高,达到了GaN外延衬底的标准. 关键......
衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响 陈伟绩1,王文彦1,吴爱民1,秦福文1 (1.大连理工大学,三束材料改性重点实验室,辽宁,大连,116024) 摘要:采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED),X射线衍射(XRD),原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响.结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差. 关键词:GaN; 氮化; ECR-PEMOCVD; 玻璃衬底; GaN; nitridation; ECR......
水平HVPE反应器中气流动力学模拟与GaN生长 李存才1,于广辉1,李爱珍1,叶好华1,雷本亮1,孟兆祥1,齐鸣1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:建立了GaN HVPE系统的流体动力学模型,研究了反应气体在反应室内的浓度场,讨论了反应室内GaCl和NH3管道空间配置对气体在衬底表面浓度分布的影响,并对HVPE系统反应室的设计进行了优化.材料生长结果表明,厚度均匀性良好,直接在蓝宝石衬底上生长的GaN外延层摇摆曲线半宽为660 arcsec. 关键词:GaN; HVPE; 流体动力学; [全文内容正在添加中] ......
电泳沉积法制备GaN薄膜的结构和组分分析 刘亦安1,田德恒1,庄惠照1,何建廷1,薛成山1,吴玉新1 (1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014) 摘要:采用电泳沉积法在Si(111)衬底上制备出了GaN薄膜.用X射线衍射(XRD),傅立叶红外吸收(FTIR)谱,X射线光电子能谱(XPS)和扫描电镜(SEM)对样品的结构,组分和形貌进行了分析.结果显示所得样品为六方纤锌矿结构的GaN多晶薄膜. 关键词:氮化镓薄膜; Si衬底; 电泳沉积; 六方纤锌矿结构; [全文内容正在添加中] ......
GaN基稀磁半导体的离子注入研究动态 林玲1,石瑛1,蒋昌忠1 (1.武汉大学物理科学与技术学院,武汉,430072) 摘要:离子注入掺Mn的GaN基稀磁半导体,由于具有高于室温的居里温度及一系列独特性质而受到广泛重视.综述了GaN基稀磁半导体离子注入的近期研究成果,讨论了能量,剂量,温度,束流,退火条件等因素对GaMnN结构和性能的影响,并对GaMnN中铁磁性的起源,就理论和实验两方面的结果作了讨论. 关键词:GaN; 稀磁半导体; 离子注入; [全文内容正在添加中] ......
图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究张波1,2,陈静1,魏星1,2,武爱民1,薛忠营1,2,罗杰馨1,2,王曦1,2,张苗11. 中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室2. 中国科学院研究生院摘 要:采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM,TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.关键词:氮化镓;绝缘体上硅;侧向外延;......
氨化Si基Ga2O3/V薄膜制备GaN纳米线 陈金华1,秦丽霞1,张冬冬1,王公堂1,薛成山1,庄惠照1,黄英龙1,李红1,杨兆柱1 (1.山东师范大学,半导体所,山东,济南,250014) 摘要:为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD),傅里叶红外吸收光谱(FTIR),扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米. 关键词:磁控溅射; GaN; V; 纳米线; [全文内容正在添加中] ......
氨化硅基Ga2O3/Al2O3制备GaN薄膜性质研究 王书运1,庄惠照1,魏芹芹1,薛成山1,孙振翠1 (1.山东师范大学,山东,济南,250014) 摘要:研究了Ga2O3/Al2O3膜反应自组装制备GaN薄膜.首先利用磁控溅射法在硅衬底上制备Ga2O3/Al2O3膜,再将Ga2O3/Al2O3膜在高纯氨气气氛中氨化反应得到GaN薄膜.用傅里叶红外谱仪(FTIR),X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对试样进行结构,组分和形貌分析.通过分析薄膜各方面的性质,得出了用此方法制备氮化镓薄膜的Al2O3缓冲层最佳的厚度为15 nm左右,最佳氨化条件是在900℃下氨化15 min. 关键词:GaN; Ga2O3/Al2O3膜; 氨化; 磁控溅射; [全文内容正在添加中] ......
