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低温烧结Ni0.24Cu0.21Zn0.55Fe2O4铁氧体的工艺条件 罗俊1,张怀武1,贾利军1,魏家贵1,陈世钗1 (1.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川成都,610054) 摘要:采用了固相反应法制备了Ni0.24Cu0.21Zn0.55Fe2O4铁氧体材料,研究了制备工艺(预烧温度,烧结温度,升温速度,保温时间)及助熔剂Bi2O3对材料显微结构和电磁性能的影响.结果表明,预烧温度,烧结温度,升温速度,保温时间和助熔剂Bi2O3对NiCuZn铁氧体材料的晶粒尺寸,晶粒分布均匀度,品质因数,起始磁导率和介电常数等影响显著.通过制备工艺参数的优化,确定出适当的工艺条件:预烧温度875℃,烧结温度900℃,升温速度2℃/min,保温时间2h.利用上述工艺制得的材料,不仅具有良好的电磁性能,而且实现了低温烧结. 关键词:NiCuZn铁氧体; 固相反应法; 低温烧......
复合添加对锂铁氧体烧结特性和电磁性能的影响 黄卫1,张怀武2,贾利军2,荆玉兰2 (1.中国人民解放军驻成都飞机发动机公司军事代表处,四川成都,610000;2.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川成都,610054) 摘要:用传统的陶瓷工艺制备Li铁氧体材料.研究了复合添加Bi2O3等多种添加剂的作用.结果表明,添加适量超细球状Bi2O3粉可有效抑制Li的挥发,同时引入Zn2+,Ti4+,Mg2+,Mn2+等金属离子可将锂铁氧体的烧结温度降低至900℃以下,从而实现与银内电极的低温共烧.测试分析表明复合添加上述金属离子的锂铁氧体材料性能显著提高.起始磁导率μi =35~250,温度系数αμ(10kHz)5~7×10-6/℃,截止频率fc=12~86MHz,电阻率ρ>109Ω·m,居里温度TC>100℃. 关键词:锂铁氧体; 复合添加; 烧结特性; 电磁性能; [全文内容......
Bi2O3对溶胶-微乳液-凝胶法制备堇青石陶瓷烧结,介电性能的影响王少洪,陆浩然,侯朝霞,胡小丹,牛厂磊,薛召露,王浩,王彩沈阳大学摘 要:采用溶胶-微乳液-凝胶法合成了Mg2Al4Si5O18高频片感用介质陶瓷,研究了添加剂Bi2O3对堇青石陶瓷的烧结行为,析晶机制,介电性能的影响.研究表明:添加4%Bi2O3(质量分数)可促使堇青石于900℃,保温2h条件下低温致密化烧结;Bi2O3能够抑制μ-堇青石的形核,促进α-堇青石的直接析晶;烧结体具有良好的介电性能(ε=3.92,tgδ=0.0012;1GHz),该材料具备与Ag电极低温共烧的条件,是应用于高频片式电感等电子元器件的理想介质材料.但当Bi2O3的添加量大于5%时,该材料的介电性能开始恶化.关键词:氧化铋;溶胶-微乳液-凝胶法......
验结果表明:本实验制备的Co3O4/Bi2O3复合光催化剂,成功扩展了Co3O4的光响应范围,使其具有相当的可见光催化活性.在Co3O4/Bi2O3复合光催化剂系列中,以m(Co3O4)/m(Bi2O3)=0.016型复合光催化剂的可见光活性为最高.关键词:浸渍法;Bi2O3;Co3O4;复合光催化剂;甲基橙;......
by conventional solid-state method. For improving the dielectric properties of Y2Ti2O7 system, Bi2O3, Nd2O3 and Nb2O5 were added and their effects on phase composition, micro-structure, and dielectric... to obtain the optimum prescription. The results showed that the Y2Ti2O7 ceramics with 8 wt.% Bi2O3 and 1 mol.% Nd2O3-Nb2O5 were well sintered at 1350 ℃, exhibiting excellent dielectric characteristics, i.e.......
was based on the Ba6-3xSm8+2xTi18O54 (BST) microwave dielectric ceramics doped with a certain amount of Bi2O3, then the effects of BaxSr1-xTiO3 additives on the structure and microwave dielectric... for the microwave dielec-tric properties of BST, especially the τf could be tuned to near zero. The result showed that the BST possessed excellent dielectric properties when the addition of Bi2O3 and BaxSr1-xTiO3......
Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷近红外发光性能的研究刘军芳1,2,苏良碧3,徐军31. 同济大学材料科学与工程学院2. 同济大学先进土木工程材料教育部重点实验室3. 中国科学院上海硅酸盐研究所透明与光功能无机材料重点实验室摘 要:采用高温熔融法制备了Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷,测试了样品的近红外光区及可见光区的发射谱,激发谱及荧光寿命.在808 nm波长光的激发下,Bi2O3-SiO2玻璃及玻璃陶瓷中均发现了近红外发光.当Bi2O3含量较低时(30mol%,40mol%,50mol%),发光中心位于1336 nm(或1300 nm),为宽带发光;随Bi2O3含量的增加,1070 nm左右出现了窄带近红外发光峰,且逐渐成为最强发光峰,与此同时,1336 nm(或1300 nm)的宽带发光转变为......
多组分掺杂ZnO陶瓷薄膜的射频磁控溅射法制备及表征花银群,孙真真,陈瑞芳,徐瑞丽江苏大学机械工程学院摘 要:采用传统陶瓷烧结工艺,制备了直径为50mm,厚度为3mm的Bi2O3,Sb2O3,Co2O3,Cr2O3,MnO2掺杂的ZnO陶瓷靶,采用所制备的ZnO陶瓷靶和射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上成功制备出了ZnO陶瓷薄膜,并研究了溅射功率和退火温度对ZnO陶瓷薄膜的微观结构和表面形貌的影响.结果表明:随着溅射功率的增大,ZnO陶瓷薄膜的沉积速率增大;颗粒尺寸先减小后增大.随着退火温度的升高,ZnO陶瓷薄膜的c轴取向增强;晶粒尺寸增大.溅射功率为350W,退火温度为850℃,制备出的陶瓷薄膜的相组成是ZnO主晶相,富Bi2O3相,Sb2O3相以及Zn2.33Sb0.67O4尖晶石相,得到了具有......
应用于近场通信的高磁导率NiCuZn铁氧体材料刘卫沪,颜铄清,李启凡,董丽,陈中艳,聂彦,王鲜,冯则坤华中科技大学光学与电子信息学院摘 要:针对近场通信(NFC)应用,通过改变材料中的Bi2O3含量和二磨后粉体活性,开发了一种高性能的Ni Cu Zn铁氧体材料.使用流延法制备长宽为125×125mm,厚度为100μm的铁氧体薄片.观察,测试了铁氧体材料的微观形貌,磁导率频谱以及铁氧体薄片的可读写距离.结果表明,铁氧体薄片的使用性能与铁氧体材料在13.56MHz时磁导率实部μ’,虚部μ"的值有关.通过改变材料中Bi2O3含量以及二磨后粉体活性,可获得致密度高,晶粒细小均匀,低频下μ’较高,μ"较低的铁氧体材料.在13.56MHz时磁导率实部μ’高于150,虚部μ"低于5.插入该铁氧体薄片后RFID天线紧......
by conventional solid-state method. For improving the dielectric properties of Y2Ti2O7 system, Bi2O3, Nd2O3 and Nb2O5 were added and their effects on phase composition, micro-structure, and dielectric... to obtain the optimum prescription. The results showed that the Y2Ti2O7 ceramics with 8 wt.% Bi2O3 and 1 mol.% Nd2O3-Nb2O5 were well sintered at 1350 ℃, exhibiting excellent dielectric characteristics, i.e.......
