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AlN基稀磁半导体的研究进展王腊节1,聂招秀21. 南昌大学共青学院工程技术系2. 重庆大学数理学院摘 要:主要介绍了AlN基稀磁半导体(DMS)的研究进展,包括其发展过程,AlN基DMS的研究现状,描述了理想的AlN基DMS材料应具备的特征,并展望了其未来的研究方向.关键词:AlN;稀磁半导体;居里温度;掺杂;过渡元素;......
机械力活化合成AlN粉末 席生岐1,郑锐1,周敬恩1,刘新宽1 (1.西安交通大学材料学院,) 摘要:机械力活化由于能大幅度地降低AlN粉末反应合成温度,缩短反应时间,是制备AlN粉末经济有效的实用化途径之一.简要介绍了机械力活化合成AlN粉末的反应机制,并分析了机械力活化对AlN粉末合成过程的促进作用. 关键词:机械力活化; 团聚; 机械力化学效应; [全文内容正在添加中] ......
碳热还原法制备AlN超微粉工艺和材料研究 赵志江1,孙旭东1,林生2 (1.东北大学材料与冶金学院,沈阳,110004;2.钢铁研究总院粉末冶金研究室,北京,100081) 摘要:以勃母石(γ-AlOOH)和蔗糖为原料,采用碳热还原法在1480℃,N2气氛中保温60min,制备出平均粒径为350nm的AlN粉.勃母石,蔗糖在高温作用下分解成粒度小,活性大的γ-Al2O3和C,有效降低了反应激活能,提高了反应效率,降低了反应温度,缩短了反应时间.其反应合成机理为:在高温下,部分Al2O3被C还原成气态Al 和Al的低价氧化物(Al2O,AlO),它们与N2直接反应生成AlN和中间相AlON.随着反应的进行,中间相AlON逐步生成AlN. 关键词:勃母石(γ-AlOOH); 蔗糖(C12H22O11); AlN粉体; 碳热还原法; 反应机理; [全文内容正在添加中] ......
AlN陶瓷热导率影响因素的研究 周新贵1,匡加才1,曹英斌1,张长瑞1,王思青1 (1.国防科技大学航天与材料工程学院国防科技重点实验室,长沙,410073) 摘要:基于AlN陶瓷的导热机理,从显微结构,材料组成,工艺因素三方面来对AlN热导率的影响进行了探讨.AlN高热导率取决于AlN晶间良好接触,第二相含量少呈孤岛状分布以及低气孔率的显微结构,而材料组成,制备工艺的优化是为了具有良好显微结构的AlN陶瓷得以实现和改善. 关键词:AlN; 热导率; 材料组成; 显微结构; 工艺因索; [全文内容正在添加中] ......
烧成制度对AlN陶瓷性能及显微结构的影响姚义俊,万韬瑜,刘斌,张乐彬,李军南京信息工程大学物理与光电工程学院摘 要:为了制备结构致密的Al N陶瓷,在Al N粉末中加入2%(w)的Y2O3,经细磨,造粒,成型烘干后,在热压炉内于氮气气氛中1 8001 950℃分别保温14 h无压烧结制得Al N陶瓷,并研究了烧成温度和保温时间对Al N陶瓷致密度,导热性及显微结构的影响.结果表明:随着烧成温度的提高和保温时间的延长,添加Y2O3的Al N陶瓷的晶粒趋于均匀,显气孔率下降,致密化程度提高;当烧成温度为1 850℃,保温时间达到2 h时,Al N陶瓷的相对密度达到99.8%,热导率达到94.8 W·(m·K)-1.关键词:AlN陶瓷;氧化钇;烧成制度;保温时间;致密度;热导率;......
衬底温度对直流磁控溅射沉积AlN薄膜组织结构的影响 李绍禄1,门海泉1,李德意1,周灵平1,刘新胜1 (1.湖南大学,材料科学与工程学院,湖南,长沙,410082) 摘要:采用直流反应磁控溅射法在不同衬底温度(20~490 ℃)下沉积了AlN薄膜,用XRD分析了薄膜的择优取向,用高分辨场发射扫描电镜来表征了薄膜的表面型貌.实验结果表明,当衬底处在20 ℃冷却的样品台沉积AlN时其上没有晶态的薄膜生成;衬底处于等离子体自加热时,薄膜具有混合的取向;随着温度的升高,薄膜的(002)晶面择优取向度逐渐增大,薄膜的结晶度越来越高,同时更加致密化.当温度到达 400 ℃时,(002)晶面取向度达到最大.温度达到490 ℃时,薄膜再度出现了明显的(100),(101)晶面的衍射峰. 关键词:AlN薄膜; 衬底温度; 择优取向; 表面形貌; 反应磁控溅射; [全文内容正在添加中] ......
电弧放电方法制备Co掺杂AlN纳米棒 杨松林1,于荣海1,高润生1 (1.清华大学,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084) 摘要:AlN是一种性能优良的半导体材料,理论预测其可能具有过渡金属掺杂的室温铁磁性,因而受到广泛的重视.采用电弧放电方法,通过电弧熔炼Al,Co块体获得合金,然后使合金在放电过程中与通入的氮气直接反应,首次获得了Co掺杂AlN纳米棒.纳米棒的长度约为几个微米,直径在40~120 nm之间,并在磁性能测试中观察到了室温铁磁性.对不同区域产物的物相,化学组成和显微结构进行了分析表征. 关键词:电弧放电; AlN; 纳米棒; arc discharge; AlN; nanorod; [全文内容正在添加中] ......
脉冲激光沉积制备立方AlN薄膜的研究 朱俊1,罗文博1,赵丹1,李言荣1,魏贤华1 (1.电子科技大学,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川,成都,610054) 摘要:采用脉冲激光沉积(PLD)方法,在SrTiO3(100)衬底上在650℃,10Pa N2条件下成功制备了立方结构的AlN薄膜.高能电子衍射(RHEED)及X射线衍射(XRD)分析表明立方AlN和SrTiO3的外延关系为AlN[100]∥SrTiO3[100]和AlN(200)∥SrTiO3(100).其AlN(200)衍射峰的摇摆曲线半高宽(FWHM)为0.44°,说明薄膜结晶性能良好.原子力显微镜(AFM)表明外延的立方AlN薄膜表面具有原子级平整度,其表面均方根粗糙度(RMS)为0.674nm.通过X光电子能谱(XPS)分析AlN薄膜表面成分,结果表明AlN薄膜表面没有被氧化. 关键词:立方AlN; 脉冲激......
添加CaF2-YF3的AlN陶瓷的热导率 陈可新1,周和平1,乔梁1,傅仁利2 (1.清华大学材料科学与工程系,新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京,100084;2.中国矿业大学机电与材料学院,徐州,221008) 摘要:用CaF2和YF3做添加剂,在1750℃制备了热导率高于170W/m.K的AlN陶瓷,并用XRD和SEM研究了AlN陶瓷在烧结过程中的相组成,微结构以及晶格参数的变化,并讨论了其对热导率的影响.研究发现,当使用CaF2-YF3做添加剂时,微结构差异对AlN陶瓷热导率的影响很小,AlN陶瓷的热导率主要由AlN晶格氧缺陷浓度决定.由于CaF2-YF3能有效降低AlN颗粒表面的氧含量,从而有利于获得高的热导率. 关键词:氮化铝; 烧结; 微结构; 热导率; [全文内容正在添加中] ......
添加 Y2O3-Dy2O3的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构 庄汉锐1,邬凤英1,李文兰1,徐素英1,许昕睿1 (1.中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050) 摘要:本文探索了以自蔓延高温(SHS)法合成并经抗水化处理的AlN粉为原料,以Y2O3-Dy2O3作为助烧结剂的AlN陶瓷的烧结特性及显微结构. 结果表明,晶界处存在Dy4Al2O9,Y4Al2O9,DyAlO3,Dy2O3和DyN等第二相物质,随烧结温度变化,第二相的种类,数量和分布不同,显微结构也随之变化,从而影响AlN的热导率. 在1850℃下,可获得热导率为148W/m·K的AlN陶瓷. 关键词:AlN; Y2O3-Dy2O3; 烧结特性; 显微结构; 热导率; [全文内容正在添加中] ......
