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PZT超细陶瓷微粒/硬脂酸复合LB膜及超薄膜的制备和性能研究 唐冬雁1,李季1,刘杰1 (1.哈尔滨工业大学,黑龙江,哈尔滨,150001) 摘要:用胶体化学的方法获得PZT溶胶,利用LB技术制备PZT超细陶瓷微粒/硬脂酸复合LB膜,热处理后得到PZT超薄膜.由π-A曲线确定了具体的拉膜工艺参数和条件,由紫外-可见吸收光谱和AFM照片对复合LB膜和超薄膜进行表征和性能检测.结果表明:超薄膜中PZT超微粒排布较均匀,覆盖度较高;复合膜层均匀,在194 nm和256 nm处均有较强的吸收峰. 关键词:PZT; 陶瓷微粒; LB膜; 超薄膜; [全文内容正在添加中] ......
用于非制冷热释电红外探测器的PZT铁电薄膜研究 杨培志1,普朝光1,王忠华1,林猷慎1,李振豪1 (1.昆明物理研究所,昆明,650223) 摘要:采用溶胶-凝胶和射频磁控溅射相结合的方法制备了PZT铁电薄膜.用溶胶-凝胶法制备一层PZT薄膜作为籽晶层,在衬底PZT(seed layer)/Pt/Ti/SiO2/Si上用射频磁控溅射过量10%Pb的Pb(ZrxTi1-x)O3(x=0.3)陶瓷靶生长厚500nm的PZT铁电薄膜.采用在450℃预退火,575℃后退火的快速分级退火方法对PZT铁电薄膜进行热处理.PZT铁电薄膜获得了较好的热释电性能,热释电系数,介电常数,介电损耗和探测度优值因子分别为p=2.3×10-8C·cm-2.K-1,ε=500,tanδ=0.02,Fd=0.94×10-5Pa-0.5. 关键词:非制冷热释电红外探测器; PZT; 籽晶层; 快速分级退火......
PZT 95/5-2Nb铁电陶瓷脉冲换能电输出 王海晏1,贺红亮1,张毅1,刘高旻1,谭华1,杜金梅1 (1.中物院流体物理研究所冲击波物理与爆轰物理实验室,绵阳,621900) 摘要:讨论了PZT 95/5-2Nb铁电陶瓷在冲击波压缩下的释放电性能,并利用PZT 95/5-2Nb铁电陶瓷设计了三种脉冲电源,分别实现了恒定电流,台阶电流和恒定电压等不同条件的电能输出.实验结果表明,PZT 95/5-2Nb铁电陶瓷可适用于多种性能的脉冲能源,具有电流输出幅值和波形易于控制,电流脉冲上升前沿陡,电源体积小等特点,具有广阔的应用前景. 关键词:铁电陶瓷; 脉冲; 能源; [全文内容正在添加中] ......
以Al2O3为过渡层脉冲激光法制备PZT铁电薄膜 邢朔1,万青1,章宁琳1,沈勤我1,林成鲁1,王连卫1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050) 摘要:为实现PZT铁电薄膜与半导体衬底的直接集成引入Al2O3为过渡层,首先用真空电子束蒸发法在Si(100),多晶金刚石(111)衬底上生长约20nm厚的Al2O3过渡层,接着在上述衬底上采用脉冲激光淀积(PLD)法淀积PZT薄膜,衬底温度为350-550oC.X光电子能谱(XPS)测试表明,在高真空下,电子束蒸发Al2O3固态源能获得化学配比接近蒸发源的Al2O3薄膜.X射线衍射(XRD)测试说明,不论衬底是硅还是多晶金刚石,当衬底温度为550oC时,PZT在Al2O3过渡层上呈现(222)取向的焦绿石相结构.当衬底是金刚石时,通过如下工艺:(1)较低温度(350oC)淀积;(2)空......
高取向度PZT铁电薄膜的研制 莫小洪1,田杰1,曹伟1,王西成1 (1.武汉工业大学研究生部) 摘要:用无机盐替代锆的醇盐,通过Sol-Gel方法,合成均匀,稳定的PZT溶胶.采用Pt/Ti/SiO2/Si基片并加入PT过渡层,经快速热处理,制备出沿(100)高度定向的PZT陶瓷薄膜,此薄膜具有良好的铁电性能. 关键词:锆钛酸铅; 溶胶-凝胶; 铁电薄膜; [全文内容正在添加中] ......
PZT掺杂改性研究进展及其机理探究刘喆1,2,邢志国2,王海斗2,徐滨士2,金国11. 哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院表/界面科学与技术研究所2. 装甲兵工程学院装备再制造技术国防科技重点实验室摘 要:PZT作为典型的钙钛矿结构,该结构为掺杂改性提供了较大的自由度.介绍了PZT压电材料掺杂改性的研究现状,简明扼要的分析了等价掺杂,高价掺杂,低价掺杂以及复合掺杂对压电材料各项性能的影响.并从掺杂离子对晶体结构和电畴结构影响两方面探讨了PZT掺杂改性的机理,进而为复合掺杂改性提供理论基础.关键词:锆钛酸铅;掺杂改性机理;研究进展;压电性能;铁电性能;......
纳米Sb2Se3掺杂PZT铁电陶瓷材料的热电性能吴亚丽,岳彩霞,金宏集宁师范学院摘 要:采用固相烧结法将Sb2Se3掺杂入PZT铁电陶瓷,以期提升PZT铁电陶瓷的热电性能.对掺杂后的样品材料进行了XRD分析,发现Sb2Se3掺杂融入PZT的效果良好,之后对样品材料的热电性能进行了重点分析.结果表明:随着温度的升高,样品材料的赛贝克系数的绝对值均逐渐增大,且均为负值,掺杂样品的赛贝克系数的绝对值较未掺杂样品降低;体积较小的掺杂样品材料的热导率明显低于体积较大的样品热导率;在添加不同量Sb2Se3的PZT铁电陶瓷电导率与温度的阿伦尼乌斯图中可以观察到,随着掺杂量的增大,电导率出现先增大后减小的趋势;掺杂量为0.3的PZT材料在温度为615 K(342℃)时的ZT值最大为0.28.关键词......
PZT铁电薄,厚膜及其制备技术研究进展 夏冬林1,赵修建1,徐慢1,刘梅冬2 (1.武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070;2.华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074) 摘要:铁电薄,厚膜材料具有良好的铁电,压电,热释电,电光及非线性光学特性,在微电子学,光电子学,集成光学和微电子机械系统等领域有许多重要的应用.近年来,随着铁电薄,厚膜制备技术的发展,PZT厚膜材料及厚膜器件成为科学工作者研究的热点.介绍了PZT铁电薄,厚膜材料与器件的研究进展以及PZT铁电薄,厚膜制备技术及几种典型的PZT铁电薄,厚膜材料制备技术的特点,并指出了目前存在的一些问题和未来的发展方向. 关键词:PZT; 铁电薄膜; 铁电厚膜; 制备技术; [全文内容正在添加中] ......
超音速等离子喷涂PZT涂层的结构与性能研究李国禄1,顾林松1,2,王海斗2,邢志国21. 河北工业大学材料科学与工程学院2. 装甲兵工程学院装备再制造技术国防科技重点实验室摘 要:锆钛酸铅(PZT)是一种应用广泛具有优良压电性能的功能材料,采用超音速等离子喷涂的方法在45#钢基体表面制备了PZT陶瓷涂层,采用X射线衍射(XRD)对烧结粉末和PZT涂层相组成进行了检测,利用场发射扫描电子显微镜(SEM)对粉末和喷涂层形貌进行了观察,利用TEM透射电子显微镜对涂层的微观结构进行了分析,并对涂层的显微硬度以及介电性能进行了测试.结果表明,超音速等离子喷涂制备的PZT涂层表面平整,结构致密,孔隙率为1.6%,平均显微硬度为562.3 Hv,居里温度为370℃.关键词:超音速等离子喷涂;PZT;涂......
