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• Analysis and simulation of lateral PIN photodiode gated bytransparent electrode fabricated on fully-depleted SOI film

  来源： 《中南大学学报(英文版)2011年第3期》——谢海情 曾云 曾健平 王太宏

  and Springer-Verlag Berlin Heidelberg 2011 Abstract: A novel device, lateral PIN photodiode gated by transparent electrode (LPIN PD-GTE) fabricated on fully-depleted SOI film was proposed. ITO film.... The absorption in ITO film is the main loss of incident light. The measurement for transmittance vs the wavelength of ITO film is presented in Fig.2. It can be seen that the transmittance of ITO film is higher......

• EFFECT OF BORON ON MICROSTRUCTURE AND PROPERTIES OF Ti-N FILM

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)1997年第4期》——Yang Qiaoqin Zhao Lihua Xiao Hanning Zhao Nanfang Huang Qizhong

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• GRAIN PREFERENTIAL ORIENTATION OF Ag/Ni MULTILAYERED FILM

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)1998年第3期》——Wang Yuansheng

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• 氨气和氮气气氛下热处理对ITO薄膜光电性能的影响

  来源： 《稀有金属材料与工程2005年第10期》——刘海鹰 杨盟 刁训刚 王天民

  氨气和氮气气氛下热处理对ITO薄膜光电性能的影响 刘海鹰1,杨盟1,刁训刚1,王天民1 (1.北京航空航天大学,北京,100083) 摘要:利用射频磁控溅射在室温玻璃衬底上制备了氧化铟锡(ITO)薄膜,并分别在氨气,氮气和空气气氛下对薄膜进行了热处理.利用X射线衍射,霍尔效应,UV-VIS-NIR分光光度计等测试手段对薄膜样品进行表征,研究了不同热处理气氛及温度对ITO薄膜光电特性的影响.结果发现在不同气氛下热处理均能明显提高ITO薄膜在可见光区的透过率,氨气气氛下更有利于薄膜导电特性的改善. 关键词:射频磁控溅射; 氨气和氮气气氛; 热处理; ITO薄膜; [全文内容正在添加中] ......

• In₂O₃-10SnO₂陶瓷中In₄Sn₃O₁₂与富Sn析出相特征

  来源： 《中南大学学报(自然科学版)2016年第5期》——甘雪萍 侯俊峰 周科朝 李志友 王科

  DOI: 10.11817/j.issn.1672-7207.2016.05.006 In2O3-10SnO2陶瓷中In4Sn3O12与富Sn析出相特征 侯俊峰,周科朝,李志友,王科,甘雪萍  (中南大学 粉末冶金国家重点实验室,湖南 长沙,410083) 摘要:以SnO2质量分数为10%的共沉淀ITO粉为原料,在1 600 ℃氧气氛下烧结制备ITO陶瓷,采用X线衍射,电子探针,透射电...寸和无析出带宽度增大. 关键词:ITO陶瓷；In4Sn3O12晶粒；富Sn析出相；微观结构 中图分类号:TN304.2          文献标志码:A         文章编号:1672-7207(2016)05-1494-06......

• 喷雾干燥-冷等静压-烧结法制备ITO靶材的工艺研究

  来源： 《稀有金属与硬质合金2011年第2期》——李晶 赵晓东 李芝华 任冬燕

  喷雾干燥-冷等静压-烧结法制备ITO靶材的工艺研究李晶1,2,赵晓东2,李芝华2,任冬燕21. 西南科技大学材料科学与工程学院2. 中南大学材料科学与工程学院摘 要:以化学共沉淀法制备的ITO粉末为原料,采用喷雾干燥-冷等静压-烧结法制备了ITO靶材,通过扫描电子显微镜(SEM)观察粉末,素坯及烧结后ITO靶材的表面形貌和气孔分布,并就粉末不同粒度组成对靶材压制与烧结效果的影响进行了分析.实验结果表明:通过喷雾干燥-冷等静压-烧结工艺可制备出相对密度大于97%的ITO靶材,喷雾干燥工序能有效改善粉末的流动性与压形性,以细粉为主的素坯其烧结致密化程度更高.关键词:ITO靶材;喷雾干燥;冷等静压;烧结;......

• 压力注浆成型大规格ITO靶材坯体研究

  来源： 《材料开发与应用2018年第3期》——杨硕 朱玉龙 张大帅

  压力注浆成型大规格ITO靶材坯体研究杨硕,朱玉龙,张大帅中国船舶重工集团公司第七二五研究所摘 要:以ITO粉体为原料,使用压力注浆成型技术制备了ITO靶材坯体.研究了浆料粘度,固含量,加压时间,真空处理等因素对ITO靶材坯体结构的影响.结果表明,使用3步加压时,通过变单孔注浆模具为双孔模具,可显著提高注浆效率,同时解决坯体空心的问题;适当延长中压保压时间和提高浆料固含量可使大规格坯体密度得到不同程度的提高;所得高密度坯体在1 590℃烧结,可制备出相对密度达99.87%的较大规格ITO靶材.关键词:ITO粉;压力注浆;ITO靶材坯体;......

• 高活性TiO₂薄膜电极的制备及其光电化学性能

  来源： 《中国有色金属学报2010年第8期》——钱清华 冯新 陆小华

  ;  文献标志码:A Preparation and photoelectrochemical properties of TiO2 film electrode with high activity QIAN Qing-hua1, 2, FENG Xin1, LU Xiao-hua1 (1. College of Chemistry and Chemical Engineering... electrodes were obtained by ion-exchange method using K2Ti2O5 films as precursors which were prepared on tin-doped indium oxide (ITO) glass substrates by sol-gel process using Ti(n-OC4H9)4 and CH3COOK......

• 降温速率对ITO靶材相组成的影响

  来源： 《稀有金属2007年第6期》——刘家祥 李亚静

  降温速率对ITO靶材相组成的影响 刘家祥1,李亚静1 (1.北京化工大学化工资源有效利用国家重点实验室,材料科学与工程学院,北京,100029) 摘要:对400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000 ℃温度下煅烧制得的氧化铟锡(ITO)粉体进行X射线衍射分析, 利用Vegard定律分析得到的衍射数据计算出靶材的晶格常数和氧化锡在ITO靶材中的固溶度, 得出ITO靶材中氧化锡的固溶度大小主要与温度有关, 氧化锡相在靶材中的固溶度随着温度的升高而增大的结论.靶材热压烧结降温时, 保持120~150 ℃·h-1的降温速率可以得到纯度为99.995%, 相对密度为99.274%的氧化铟单相ITO靶材. 关键词:ITO靶材; 降温速率; 固溶度; 相组成; [全文内容正在添加中] ......

• 共沉淀粉末与混合粉烧结ITO靶材的微观组织结构研究（英文）

  来源： 《稀有金属材料与工程2015年第12期》——马晓波 张维佳 王东新 孙本双 钟景明

  共沉淀粉末与混合粉烧结ITO靶材的微观组织结构研究(英文)马晓波1,张维佳1,王东新2,孙本双2,钟景明21. 北京航空航天大学2. 西北稀有金属材料研究院国家钽铌工程技术研究中心摘 要:磁控溅射ITO靶材制备ITO透明导电薄膜作为平板显示,太阳能电池,气敏元件等电子器件的电极材料,需要ITO靶材具有高纯度,高均匀性,高密度,高导电性的特点.对比研究了ITO共沉淀粉与In2O3,SnO2单体混合粉同炉烧结ITO靶材的微观组织结构差异,如:晶粒尺寸分布,晶粒形貌,元素分布,烧结速率等.结果表明:单体混合粉的烧结速率要比共沉淀粉的烧结速率高,但是前者烧结ITO靶材的微观组织结构不及后者烧结的均匀性好.对比而言,共沉淀粉更容易获得结构组织均匀的ITO靶材,但前提是要合理的设计烧结工艺抑制烧结过程中In2O3......