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Sol-Gel法制备KDP晶体SiO2基防潮减反膜熊怀,李海元,唐永兴上海光学精密机械研究所高功率激光物理国家实验室摘 要:在高功率激光装置中3倍频器高氘化的KD*P晶体相变温度是110℃.在SiO2溶胶合成阶段进行化学改性,将六甲基二硅氮烷(HMDS)加入SiO2溶胶进行化学改性,用非极性溶剂替代乙醇溶剂,涂制的减反膜不需要热处理就可能应用于KDP与KD*P晶体中.单层的改性防潮增透膜的透过率大于99%,膜层均匀性良好,改性膜层本身具有一定的防潮功能,水接触角142o,膜层激光破坏阈值约16.9J/cm2,有希望应用于高功率激光系统的KDP类晶体.关键词:sol-gel法;改性SiO2;防潮增透膜;KDP类晶体;......
文章编号: 1004-0609(2005)01-0094-06 溶胶-凝胶提拉法制备ITO透明导电膜 陈世柱, 李 晶 (中南大学 材料科学与工程学院, 长沙 410083) 摘 要: 采用溶胶-凝胶(sol-gel)法, 利用自制的提拉实验设备于石英玻璃片上制得了ITO(indium tin oxide)透明导电薄膜, 并就薄膜的物相结构, 微观组织, 导电性能...积成膜等优点. 关键词: sol-gel法; 提拉; ITO膜; 透明; 导电 中图分类号: TG174.45 文献标识码: A Sol-gel dip-coating technique for preparation of ITO thin film CHEN Shi-zhu, LI Jing (School of Materials Science......
Sol-Gel法制备B2O3-P2O5-SiO2系低介玻璃陶瓷 李龙土1,李勃1,桂治轮1,岳振星1,马振伟1,周济1 (1.清华大学材料系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室,北京 100084) 摘要:采用溶胶-凝胶法,以正硅酸乙酯和硼酸,磷酸为原料,制备出一种BPS超细粉．使用这种超细粉,可在低于950℃空气气氛中烧结,获得性能优良的低介电常数,低损耗玻璃陶瓷．该种材料的介电常数ε≤5,介电损耗tanδ 关键词:溶胶-凝胶法; 玻璃陶瓷; 低介电常数; 片式电感; sol-gel method; ultrafine powder; glass-ceramics; low dielectric; multi-layer chip inductor; [全文内容正在添加中] ......
Sol-gel法制备纳米TiO2锐钛矿相的晶化动力学 邵艳群1,唐电2,熊惟皓1,张腾2 (1.华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074;2.福州大学,材料研究所,福建,福州,350002) 摘要:采用Sol-gel技术制备了纳米级锐钛矿TiO2,并在300~450℃之间发生了非晶向纳米晶的转变,运用非等温结晶过程的计算原理经过数学变换,计算了Avrami指数n,晶化激活能E,晶粒长大维数m和晶粒长大激活能Q等动力学参数.结果表明,在非晶向纳米晶的转变过程中,纳米晶体的特殊结构m对应着独特的动力学性质. 关键词:纳米材料; 晶化动力学; Sol-gel法; TiO2; [全文内容正在添加中] ......
溶液燃烧法与Sol-Gel法制备BAM荧光粉的光谱特性对比分析 严有为1,陈哲1 (1.华中科技大学,模具技术国家重点实验室,湖北,武汉,430074) 摘要:在空气中分别采用Sol-Gel法和溶液燃烧法制备了稀土Eu激活的BaMgAl10O17(BAM)荧光粉,并对其光谱特性进行了对比分析.结果表明,Sol-Gel法制备的BAM的荧光光谱与+3价Eu离子的光谱特征完全相符,为红光发射,其...迁. 关键词:燃烧合成; 溶胶-凝胶(Sol-Gel); 荧光粉; 光谱特性; [全文内容正在添加中] ......
Preparation and Ionic Conductivity of Ultrafine Li2+xRExSi1-xO3 by Sol-Gel Method CHEN Ru-fen1,JIA Mi-ying1,SONG Xiu-qin1 (1.Department of Chemistry, Hebei Normal University, Shijiazhuang 050016, China) Abstract:Li2+xRExSi1-xO3(RE=Pr, Nd, Sm, Gd; x=0~0.15) samples were prepared by the sol-gel method. DTA-TG, XRD, TEM and A-C impedance techniques were used to investigate the structure, shape......
Electrochemical performance of Al-substituted Li3V2(PO4)3 cathode materials synthesized by sol-gel method ZHANG Bao(张 宝)1, LIU Jie-qun(刘洁群)1, 2, ZHANG Qian(张 倩)3, 4, LI Yan-hong(李艳红)5... Li3V2(PO4)3 cathode materials offer some favorable properties for their commercial application. Key words: lithium ion batteries; cathode material; Li3V2(PO4)3; electrochemical performance; sol-gel......
PZT铁电薄膜Sol-Gel技术制备和电性能研究 夏冬林1,赵修建1,周学东1,刘梅冬2 (1.武汉理工大学硅酸盐材料工程教育部重点实验室,武汉,430070;2.华中科技大学电子科学与技术系,武汉,430074) 摘要:以乙酸铅(Pb(CH3COO)2·3H2O),钛酸四丁酯(Ti(OC4H9)4),硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)替代锆醇盐为原料,通过在Pt/Ti/SiO2/Si基片与PZT薄膜之间引入PT种子层,采用改进的sol-gel工艺制备出无裂纹,致密性好,晶粒尺寸小且分布均匀的单一钙钛矿结构的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3铁电薄膜.实验结果表明,具有PT种子层的PZT铁电薄膜电性能较好.经600℃热处理的具有PT种子层的PZT薄膜,在1kHz测试频率下,其剩余极化强度和矫顽场分别为20μC/cm2和59kV/cm,介电常数和介电损耗分别为385和0.030.......
新型SOl-Gel技术PZT铁电厚膜的制备及电学性能研究 刘少波1,夏冬林1,李军1,曾亦可1,黄焱球1,刘梅冬1 (1.华中科技大学电子科学与技术系,) 摘要:采用新型sol-gel技术在Pt/Ti/SiO2/Si基片上制备出了厚度为2~60μm的PZT铁电厚膜材料;研究了PZT厚膜的结构及其介电,铁电性能.XRD谱分析显示,PZT厚膜呈现出纯钙钛矿相结构,无焦绿石相存在.SEM电镜照片显示,PZT膜厚均匀一致,无裂纹,高致密.厚度为50μm的PZT厚膜的介电常数为860,介电损耗为0.03,剩余极化强度是25μC/cm2,矫顽场是40kV/cm. 关键词:PZT厚膜; 新型sol-gel技术; 介电性能; 铁电性能; [全文内容正在添加中] ......
Sol-Gel法合成HAP的结晶特征及其对F-离子吸附性能研究 王大伟1,刘羽2,陈露军2,黄志良3,张术根1 (1.中南大学资环院,;2.武汉化工学院材料系,;3.中南大学资环院;4.武汉化工学院材料系) 摘要:用sol-gel法合成了具有纳米级尺寸的HAP;采用XRD,IR,BET比表面积测定,静,动态吸附等方法研究了不同Ca/P摩尔比和煅烧温度合成的HAP的比表面积,结晶度,晶粒尺寸,晶格缺陷度,热稳定性,平衡吸氟量;探讨了吸氟机理和行为.结果表明:sol-gel法合成的HAP在常温,常压,不调pH的操作条件下,有较大的吸氟能力,且无二次污染,可作为绿色环境材料. 关键词:sol-gel法; 羟基磷灰石; 氟离子; 阴离子交换吸附; [全文内容正在添加中] ......
