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• Effect of Annealing on the Microstructure and Properties of In-situ Cu-Nb Microcomposite Wires

  来源： 《Acta Metallurgica Sinica2016年第7期》——Li-Ping Deng Bing-Shu Wang Hong-Liang Xiang Xiao-Fang Yang Rong-Mei Niu Ke Han

  ="ChDivSummary">The effects of annealing on microstructure,magnetoresistance,and hardness of an in situ Cu-Nb microcomposite wire have been investigated.Neither changes in microstructure nor hardness were found......

• 磁电阻,磁阻;磁电阻比;CMR

  来源： 《磁性材料及器件1999年第1期》——吴安国

  磁电阻,磁阻;磁电阻比;CMR 吴安国1 (1.西南应用磁学研究所,绵阳,621000) 摘要: 自从1988年Baibich在由磁性和非磁性金属相间的(Fe/Cr)n多层膜中发现了巨磁(致)电阻(giant magnetoresistance,GMR)效应,开创了磁电子学的先河以来,世界各国竞相研究,形成了一股GMR热.而且,这股热热在GMR的理论机制,产品研制和应用研究三方面几乎同步进行,在世界科技发展史上很少有这样的先例.我国有很多大学和科研机构也纷纷加入到这个行列中来.1997年的第7~11期刊登有关于GMR的磁电子学讲座,全面介绍了各种GMR的机制及发展概况. [全文内容正在添加中] ......

• Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻效应的研究

  来源： 《功能材料2001年第2期》——邹世昌 祝向荣 潘强 李铁 沈勤我 沈鸿烈

  Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻效应的研究 邹世昌1,祝向荣1,潘强1,李铁1,沈勤我1,沈鸿烈1 (1.中国科学院上海冶金研究所) 摘要:用超高真空电子束蒸发方法成功制备了以不同厚度Fe为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻样品,与以Cr为过渡层的Co/Cu/Co三明治巨磁电阻样品比较,样品的矫顽力大大减小,因而样品的磁灵敏度有了较大地提高.当Fe过渡层的厚度为7nm时样品的磁电阻值最大.另外,温度更强烈地影响以Fe为过渡层样品的磁电阻值,在77K下样品的磁电阻曲线表现出明显的不对称性,它来源于低温下fcc Fe过渡层的反铁磁性转变. 关键词:巨磁电阻效应; Co/Cu......

• 离子束混合过程中Au/Fe磁性膜的巨磁电阻效应在线研究

  来源： 《稀有金属2005年第2期》——李正孝 李波

  离子束混合过程中Au/Fe磁性膜的巨磁电阻效应在线研究 李正孝1,李波1 (1.北京大学物理学院技术物理系,北京,100871) 摘要:在离子束混合和强磁场条件下, 在线研究了Au/Fe磁性膜的巨磁电阻效应, 发现了不同磁场强度下的离子束混合对巨磁电阻效应影响的规律, 以及不同注入条件对样品饱和磁场的影响.讨论了样品由磁性多层膜逐渐向磁性纳米颗粒膜的转变, 以及与此相关的纳米磁性颗粒在磁场作用下的非各向同性生长, 并通过高分辨透射电镜(TEM)观察证实了磁性膜样品中磁性纳米Fe颗粒存在各向异性生长现象.通过对室温放置了一年以上的磁性纳米颗粒膜样品的电磁物性测量, 证明利用离子束混合技术制......

• 磁电阻(MR)和巨磁电阻(GMR)测试系统

  来源： 《磁性材料及器件2009年第4期》——钟智勇 陈国贞 薛刚

  磁电阻(MR)和巨磁电阻(GMR)测试系统 钟智勇1,陈国贞1,薛刚1 (1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川成都,610054) 摘要:介绍了一种自动测试一般磁电阻和巨磁电阻材料MR比,GMR比的方法.用直列式四探针加载恒流和读出电压信号,由电磁铁提供外加磁场,在新的测试理论模型基础上通过并行8255A接口,控制多路开关选择,将模拟信号经过A/D数模变换后,再经精密放大器放大,最后采用计算机处理输出测试曲线.该系统在外磁场(μ0H)0~30mT 范围,GMR比测试精度为±0.1%. 关键词:巨磁电阻; 四探针法; 测试; [全文内容正在添加中] ......

• 巨磁电阻读出磁头

  来源： 《磁性材料及器件2001年第1期》——周文利 王耘波 于军 谢基凡 高俊雄 颜冲

  巨磁电阻读出磁头 周文利1,王耘波1,于军1,谢基凡1,高俊雄1,颜冲1 (1.华中科技大学电子科学与技术系,) 摘要:用巨磁电阻(GMR)材料构成的磁电子学新器件,已开始在计算机存储领域 成功地获得了应用.本文介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头,描 述了它的工作原理,性能特点及研究现状和发展趋势. 关键词:巨磁电阻; 读出磁头; 存储密度; [全文内容正在添加中] ......

• Effect of Pressure on Intermediate Valence States in Cerium Kondo Compounds

  来源： 《JOURNAL OF RARE EARTHS2004年第1期》——Kagayama T Ohashi M Kaji S Lacerda A H Smith J L Oomi G

  that the Grüneisen parameters of Kondo temperature TK are 13 and 42 for α-Ce and CeBe13, respectively, and it decreases with increasing pressure. The magnetoresistance of α-Ce shows H2 dependence and its......

• Noncollinear spintronics and electric-field control:a review

  来源： 《Rare Metals2020年第2期》——Pei-Xin Qin Han Yan Xiao-Ning Wang Ze-Xin Feng Hui-Xin Guo Xiao-Rong Zhou Hao-Jiang Wu Xin Zhang Zhao-Guo-Gang Leng Hong-Yu Chen Zhi-Qi Liu

  Hall effect in the absence of spin-orbit coupling and exploring the anisotropic magnetoresistance and domain-wall-related magnetoresistance effects for noncollinear antiferromagnetic materials.

• Giant magnetoimpedance effect in Fe-Zr-Nb-Cu-B nanocrystalline ribbons

  来源： 《Rare Metals2004年第3期》——AN Kang~()), HU Jifan~()), QIN Hongwei~()), HAN Tao~()), WANG Yizhong~()), YU Xiaojun~()), and LI Bo~()) ) School of Physics and Microelectronics, State Key Laboratory for Crystal Materials, Shandong University, Jinan , China ) Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing , China ) Department of Functional Materials, Central Iron & Steel Research Institute, Beijing , China

  monotonically with increasing frequency, which may be due to the decrease of permeability. In contrast, with the AC (alternating current) frequency increasing, the magnetoresistance GMI(R) increases at first, undergoes a peak, and under then drops. The increase of the magnetoresistance may result from the enhancement of the skin effect w关键词:......

• The Effect of Magnetic Field on Resistivity of Hg_0.89Mn_0.11Te in Different Temperature Range

  来源： 《Journal Of Wuhan University Of Technology Materials Science Edition2015年第5期》——王泽温 JIE Wanqi

  at 5 K. The analysis shows that the variation of resistivity of Hg0.89Mn0.11 Te under the magnetic field is the algebraic sum of the transverse direction magnetoresistance effect and the sp-d... direction magnetoresistance effect through the transitive range, and becomes the dominant effect in the temperature range from 5 to 25 K, which leads to the dramatic decrease of resistivity.关键......