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关于利用参比电极测量铝电解阳极过电压问题沈时英东北工学院摘 要:本文略述了铝电解过电压产生的原因及其内含.分析了采用碳参比电极测定阳极过电压时所得电位差的含义.指出在没有消除欧姆极化的情况下它与各参数的关系应是式(10),而不是式(2).按式(2)处理将会带来很大误差.还讨论了铝参比电极法并提出一点建议.评述了对比槽方法.关键词:......
基于Al2O3介质的Ga2O3 MOSFET器件制备研究吕元杰,宋旭波,何泽召,谭鑫,周幸叶,王元刚,顾国栋,冯志红河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室摘 要:采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Fe掺杂半绝缘(010)Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括600 nm未掺杂的Ga2O3缓冲层和200 nmSi掺杂沟道层.对掺杂浓度为3.0×1017和1.0×1018 cm–3的样品进行了高温合金欧姆接触实验,在掺杂浓度为3.0×1017 cm–3的样品上难以实现良好的欧姆接触,掺杂浓度为1.0×1018 cm–3的样品实现了欧姆接触最低值(9.8W×mm).基于掺杂浓度为1.0×1018 cm–3的n型β-Ga2O3薄膜材料,采用原子层沉积的Al2O3作......
Cu/Ag导电薄膜与高阻CdZnTe的接触性能研究 李阳平1,张兴刚1,孙金池1,崔虎1,刘正堂1 (1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072) 摘要:采用射频磁控溅射法在高阻Cd0.9Zn0.1Te上制备了Cu/Ag导电薄膜,通过测量I-V曲线来评价接触性能.讨论了溅射功率和衬底温度对接触性能的影响,结果表明在两种不同功率下制备的薄膜不经过热处理已具有良好的欧姆接触性能,随着衬底温度的升高欧姆接触性能有所下降.通过对衬底的表面处理降低了表面漏电流.对试样进行退火处理使接触性能有所改善,退火温度在300℃时的接触性能要好于420℃.利用红外透过率来验证了退火温度范围及所选择加热衬底温度对高阻Cd0.9Zn0.1Te衬底没有影响. 关键词:Cu/Ag导电薄膜; Cd0.9Zn0.1Te晶体; 接触; 磁控溅射; [全文内容正在添加中] ......
MSM结构TiO2基紫外探测器的制备及光电特性研究(英文)祁洪飞,戴松喦,刘大博,王锦鹏北京航空材料研究院摘 要:采用RF磁控溅射技术在石英衬底上生长了厚度可调的锐钛矿相TiO2薄膜,继而采用光刻技术在薄膜上生长了Ag叉指电极,获得了MSM结构TiO2基紫外探测器.I-V特性测试结果表明,Ag与TiO2之间表现出优良的欧姆接触特性,所制备探测器为欧姆接触.此外,TiO2薄膜厚度对探测器的光电性能影响显著,当薄膜厚度达到197 nm时,光电性能达到最高.此时,光电流高出暗电流近2.5个数量级,紫外光区的响应度高出可见光区近2个数量级.所制备Ag/TiO2MSM紫外探测器表现出明显的光敏性和可见盲特性.关键词:Ag电极;TiO2薄膜;薄膜厚度;光电特性;......
锂离子电池阻抗参数的Arrhenius特性分析王康康,高飞,杨凯,耿萌萌,刘皓,范茂松,张明杰中国电力科学研究院新能源与储能运行控制国家重点实验室摘 要:考察了环境温度对18650型磷酸铁锂(LFP)电池和高镍三元(NCA)电池充电容量的影响,比较了2种电池的低温性能.对不同环境温度的满电状态电池进行电化学阻抗测试,根据等效电路拟合计算了电池的欧姆电阻值(Rs),膜电阻值(Rf)和电荷转移电阻值(Rct),并分析了各电阻与温度的特定关系,结果表明LFP电池的欧姆电阻和膜电阻在–10~25℃温度区间具有Arrhenius关系,电荷转移电阻在–10~50℃温度区间具有Arrhenius关系;NCA电池的膜电阻和电荷转移电阻在0~50℃温度区间具有Arrhenius关系.对比分析不同温度的固相离子扩散系数表......
Au电极与CdMnTe晶体的表面接触电阻率研究沈敏,张继军,王林军,闵嘉华,汪琳,梁小燕上海大学材料科学与工程学院摘 要:采用圆形传输线模型研究了金(Au)电极与碲锰镉(CdMnTe)晶体的欧姆接触特性,Au电极采用AuCl3化学镀金法制备,计算了其接触电阻率.实验探讨了表面处理和退火对Au/CdMnTe接触...30.2Ω·cm2.退火促进了Au向CdMnTe晶体的扩散,使接触电阻率进一步降低,欧姆接触性能提高.关键词:碲锰镉;接触电阻率;化学抛光;化学机械抛光;退火;......
炭黑填充聚合物体系渗流转变过程中的介电性能倘余昌,刘星,孔兰芳,吴国章华东理工大学材料学院摘 要:采用熔融共混的方法制备了导电炭黑填充乙烯-醋酸乙烯酯共聚物复合体系,分别通过添加填料粒子和熔融态等温处理促进粒子凝聚成网两种方法研究了体系在渗流转变过程中的电性能变化,发现在该过程中材料的导电性能和介电性能均持续上升,伏安特性和相位角分析表明粒子间始终为非欧姆接触.动态渗流测试发现,复合体系从绝缘体到导体的整个渗流转变过程中介电常数是持续增加的.因此渗流理论所预测的介电常数极大值很可能发生在临界含量的上限值,此时材料的导电机理转变为欧姆传导.关键词:炭黑;导电复合材料;介电性能;动态渗流;......
氟化非晶碳膜的光学带隙和伏安特性 杨慎东1,叶超1,宁兆元1,康健1,程珊华1,甘肇强1,黄峰1 (1.苏州大学物理系,江苏苏州,215006) 摘要:用苯(C6H6)和三氟甲烷(CHF3)混合气体作源气体,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECRCVD)技术,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).光学带隙的结果表明它与膜中的C,F元素含量和键结构都有关系;伏安特性的测量表明a-C:F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性,高电场下则是肖特基发射机制. 关键词:a-C:F薄膜; MWECR-CVD; 光学带隙; J-V特性; [全文内容正在添加中] ......
基于6se70变频器的控制系统在金属冶炼中的应用秦立峰河钢股份有限公司承德分公司河北省钒钛工程技术研究中心摘 要:6se70变频器控制系统在金属冶炼中具有很好的应用效果.冶金设备组的传动系统以PLC为控制中心,以西门子6SE70变频器为传动单元,频率分辨率大于0.01 Hz;采用变频专用电机为执行单元,欧姆龙编码器提供速度反馈信号,使冶金设备组在速度闭环工作模式下传动,使控制系统的速度稳定性精度达到最高.实验结果表明,加入6se70变频器控制系统后,金属冶炼器的工作能力更强.关键词:6se70变频器;控制系统;金属冶炼;冶炼应用;......
PIN型快速恢复二极管的研究与应用韦文生,戴瑜兴,张正江,李晶温州大学物理与电子信息工程学院摘 要:剖析了改善快速恢复二极管(Fast recovery diode,FRD)反向恢复性能的发射率控制及少子寿命控制的实施方案.探究了间接带隙半导体硅FRD与SiGe,GaN,SiC等直接带隙半导体FRD的反向恢复性能,介绍了SiC的欧姆接触技术.比较了硅FRD与碳化硅FRD的实际应用效果,发现前者的反向及动态特性均落后于后者的性能,后者特别适合于高频,高电压,大功率技术领域的应用.关键词:快速恢复二极管;发射率控制;少子寿命控制;硅;碳化硅;......
