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-Schottky曲线测试时, 选用阳极1.28V成膜, 选择1.28V是由于该电位接近于电池深充放电后正极板栅所处的电位, 同时该电位又是导电性差的二价铅化合物的生成电位, 因此研究此电位下膜的半导体性能对改善膜的导电性十分必要. 图1 铅电极4.5mol/L硫酸溶液中的循环伏安行为 Fig.1 Cyclic voltammetry of Pb electrode......
效, []为各种位错运动的平均速度. 高温变形最显著的特点之一便是变形速率受热激活过程控制. 在温度一定, 材料的组织结构不变的情况下, 应变速率增大, 位错结构形成的速度越快, 晶体内由于原子间和位错之间的相互作用迅速形成内应力场和能量势垒. 然而, 变形是由位错运动引起的, 因此受控制位错运动的过程控制. 而这些过程总是可以用位错运动受外应力, 热起伏或者同时作用下克服内应力以及穿过能量栅越过......
, the (CuxNi1-x)6Sn5 layer is formed at the solder/pad interface during reflow. Key words: solder droplet; bump; lead-free solder; reflow; intermetallic compound 球栅阵列, 倒扣芯片等面阵列封装技术的关键为凸点制作[1-3], 凸点的......
金刚石薄膜和纳米SiC薄膜分别采用球状栅单色器和双晶单色器. 近边X射线精细结构的结果由总电子产额(TEY)光谱和荧光产额(FLY)光谱来测得, TEY通过监测样品的电流来记录, FLY则由多隧道监测器来测量, TEY和FLY分别用于对薄膜的表面和体内灵敏度的测量. HRTEM为飞利浦CM200 场发射高分辨透射电镜, 电压为200kV. 2 结果与讨论 近边X射线吸收精细结构是解......
杯中,然后将小烧杯置于超声波振荡仪中,振荡25 min,取出烧杯.最后,用滴管滴加上述溶液于微栅铜网上阴干后即可. 2 结果与讨论 2.1 碳纳米管对SiC沉积的影响 图1所示为SiC沉积不同时间两组试样的质量增加率曲线. 图1 试样的质量增加率曲线 Fig.1 Mass increase rate curves of samples......
; Astronautics Press, 1999: 34-35. [14] SANG L J. Formation of gradient coating of Fe-based alloy with rare earths by plasma surfacing[J]. Acta Metallurgica Sinica, 2004, 17(5), 713-718. [15] 王延庆, 杨栅森......
large scale integration)Cu-metallization[J]. Journal of Functional Materials, 2007, 38(5): 750-753. [3] 蔡苇, 符春林, 陈刚, 等. 高K栅介质材料的研究进展[J]. 半导体技术, 2007, 32(2): 97-100.CAI Wei, FU Chun-lin, CHEN Gang, et al......
持续时间为2 s,示波器的栅格为2 V/div.可以看出:无论是3/2模式还是2/0模式电流波形的幅值都较小,有利于抑制振荡. 图7 控制系统仿真曲线 Fig.7 Control system simulation curves 图8 实验电流波形 Fig.8 Experiment current waveforms 4 结论 针对异......
先估计地平面的位置,在文献[12-13]分别介绍了2种地平面估计的方法.本研究中由于摄像头固定安放,距离地面的位置已知.地平面的像素可以直接通过立体匹配获得. 在获得地面区域之后,对图像进行立体分割.其目的是找出图像中竖直的物体.首先将立体匹配后获得的三维点云投影到二维栅格化的水平面上,得到点云在水平面上的二维累加直方图.然后,对该直方图进行区域分割,得到水平面上一系列的连通区域.图2(b)所示为......
间辅助坐标系的坐标,这样此片近似处于水平状态,然后将右影像像空间坐标代入式(1),求得右像空间坐标系转换为左像辅助空间坐标系的转换系数a0,a1,a2,b0,b1和b2.用此系数将右片所有像点转换为左片坐标系的坐标,如图3所示,左右两片的坐标原点均在各自的左上角,即栅格数据的坐标原点.以此类推,转换系数求解到最后一张影像为止.由于同名点较多,用式(1)求解转换系数时,按式(6)最小二乘原理进行求解......
