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PMS-xPNW-(0.95-x)PZT压电陶瓷材料的温度稳定性 孙清池1,陆翠敏1,谭焕银1 (1.天津大学材料科学与工程学院,天津,300072) 摘要:采用传统固相法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Ni2/3W1/3)x(Zr0.495Ti0.505)0.95-xO3(PMS-xPNW-(0.95-x)PZT)四元系压电陶瓷,研究了NiW含量对PMS-xPNW-(0.95-x)PZT体系的相组成,微观结构,机电性能,温度稳定性的影响.结果表明:随着NiW量的增加,物相中四方相含量逐渐减少,三方相含量逐渐增大;适量的掺杂使PMSZT频移变小;机电耦合系数Kp,K31的温度稳定性得到改善;并且提高了体系的机电性能. 关键词:PMS-xPNW-(0.95-x)PZT; 相组成; 微观结构; 机电性能; 温度稳定性; [全文内容正在添加中] ......
PMS-xPNW-(0.95-x)PZT压电陶瓷材料的温度稳定性 孙清池1,陆翠敏1,谭焕银1 (1.天津大学材料科学与工程学院,天津,300072) 摘要:采用传统固相法制备了Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05(Ni2/3W1/3)x(Zr0.495Ti0.505)0.95-xO3(PMS-xPNW-(0.95-x)PZT)四元系压电陶瓷,研究了NiW含量对PMS-xPNW-(0.95-x)PZT体系的相组成,微观结构,机电性能,温度稳定性的影响.结果表明:随着NiW量的增加,物相中四方相含量逐渐减少,三方相含量逐渐增大;适量的掺杂使PMSZT频移变小;机电耦合系数Kp,K31的温度稳定性得到改善;并且提高了体系的机电性能. 关键词:PMS-xPNW-(0.95-x)PZT; 相组成; 微观结构; 机电性能; 温度稳定性; [全文内容正在添加中] ......
基于溶胶-凝胶的两种旋涂方法制备PZT厚膜 刘红梅1,段中夏1,赵全亮1,曹茂盛1 (1.北京理工大学材料科学与工程学院,北京,100081) 摘要:采用溶胶-凝胶法,研究了两种在Au/Cr/SiO2/Si基底上沉积PZT(Pb(Zr0.52Ti0.48)O3)厚膜的方法.把与PZT澄清溶胶成分相同的PZT纳米粉混入澄清PZT溶胶,然后超声混合形成PZT浆料,PZT纳米粉的粒径为50~100nm.XRD分析表明两种方法得到的PZT厚膜都获得了单相钙钛矿结构.SEM结果显示两种厚膜厚度大约4μm,第一种旋涂方法制得的PZT厚膜表面粗糙,第二种旋涂方法制得的厚膜表面致密,无裂纹.在1 kHz的测试频率下,第一种和第二种厚膜的矫顽场分别为30 kV/cm和50 kV/cm,饱和极化分别为45 μC/cm2和54 μC/cm2,剩余极化分别为25μC/cm2 and 30μC/cm2.第二......
Sol-gel独立前驱单体制备PZT铁电薄膜技术 张树人1,陈祝1,杨成韬1,杨邦朝1 (1.电子科技大学,微固学院,四川,成都,610054) 摘要:采用醋酸铅,硝酸氧锆(硝酸锆),钛酸丁酯独立稳定的前驱单体,sol-gel法旋转涂膜技术制备了PZT铁电薄膜.研究了水的添加量对溶胶形成的影响,比较了不同的溶胶浓度,膜层结构(PT/PZT/PT Sandwich)及热处理工艺条件对薄膜结构,铁电性能的影响. 关键词:PZT; sol-gel法; 前驱单体; 铁电薄膜; [全文内容正在添加中] ......
PZT铁电纳米晶的自燃烧法制备 徐展1,胡久宏1,王龙生3 (1.苏州弗克新型建材有限公司,苏州,215008;2.南京工业大学材料学院,南京,210009;3.苏州弗克新型建材有限公司,苏州,215008,南京工业大学材料学院,南京,210009) 摘要:以硝酸铅,硝酸钛,硝酸锆和柠檬酸为原料,采用自燃烧方法合成了具有钙钛矿结构的PZT纳米晶,研究了溶胶-凝胶过程中柠檬酸的加入量,pH值,凝胶形成温度等条件对凝胶均匀性的影响,以及柠檬酸与金属离子的摩尔比C/M及氧化度Q对体系所能达到的最高温度和合成的纳米晶粒度的影响. 关键词:自燃烧; PZT; 纳米晶; [全文内容正在添加中] ......
PZT压电陶瓷纤维的制备及性能研究 陈彩凤1,唐利强1,吴燕杰1,孟献丰1,刘军1,骆英1 (1.江苏大学,江苏,镇江,212013) 摘要:采用溶胶-粉末混合挤出法制备Pb(zr,Ti)O3压电陶瓷纤维.研究了PZT纤维制备的合理条件,如溶胶粘度的调整,粉末和溶胶的混合比例及烧结温度等.在溶胶和粉末的摩尔比为1:7时能成功地挤出直径为500μm的纤维生坯.研究了不同烧结温度下的纤维密度,收缩率及显微结构,并将纤维与环氧复合制备1-3型复合材料,研究复合材料的介电及压电性能.结果表明,在1240℃下烧结纤维及复合材料表现出更好的性能. 关键词:压电纤维; 制备; 性能; [全文内容正在添加中] ......
PZT薄膜反提拉生长的PbO挥发与退火条件研究 陈祝1,杨成韬2,杨邦朝2,王升2 (1.成都信息工程学院,通信工程系,四川,成都,610225;2.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054) 摘要:通过一新的溶胶-凝胶工艺:反提拉涂膜方法,在Si(100)和Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)基片上制备了PZT(Zr/Ti=52/48)铁电薄膜,并研究了退火工艺及其PbO的挥发对薄膜微结构,表面形貌,取向,及铁电性能的影响.本文首次提出并应用反提拉涂膜技术制备了PZT薄膜,此技术相对于传统的溶胶-凝胶工艺具有以下几方面的优点:操作控制简单方便,成本低,原料利用率高,无污染等.研究发现PZT薄膜通过增加PT晶种层后可以抑制PbO的挥发,同时薄膜呈现较强的(110)取向;在薄膜的退火处理过程中还发现氧气氛有助于降低PbO的挥发,促进晶粒的长大和降低钙钛矿......
Sol-gel法制备PZT铁电薄膜的疲劳影响因素研究进展 胡道甫1,张兴国1,陈春1,刘军1 (1.江苏大学材料科学与工程学院,镇江,212013) 摘要:简述了PZT铁电薄膜在制备和应用当中遇到的问题.围绕提高薄膜的疲劳性能,介绍了PZT铁电薄膜近年来在热处理,底电极,过渡层和掺杂等方面的研究进展,并分析了它们对材料电性能和疲劳性能的影响.最后提出了展望. 关键词:PZT; 铁电性; 溶胶凝胶; 掺杂; [全文内容正在添加中] ......
新型水声换能器材料PZT超微粉制备研究 许跃彩1,王德石2,蔡晓红1 (1.武汉军械士官学校,湖北,武汉,430075;2.海军工程大学,湖北,武汉,430033) 摘要:纳米技术的出现和发展为制备高性能陶瓷材料提供了一个崭新的途径.为获得性能优良的PZT压电陶瓷,满足水声换能器的应用需要,试验针对化学沉淀法制备PZT超微细粉进行了深入系统地研究.合成了一次颗粒小于10nm,平均粒径40~50 nm的PZT超微细粉.检测结果表明,化学沉淀法是制备高性能PZT超微细粉体的合理方法,粉体颗粒细小,活性好,尺寸分布范围窄,适合制备高性能的PZT压电陶瓷. 关键词:纳米PZT; 水声换能器; 化学沉淀法; 超微细粉; 压电陶瓷; [全文内容正在添加中] ......
铟掺杂PZT铁电陶瓷性能研究朱斌,文忠,高扬,杨涛电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室摘 要:采用传统固相烧结法制备In2O3掺杂的锆钛酸铅(PZT)铁电陶瓷,研究了In2O3掺杂量对PZT铁电陶瓷材料的相组成,微观结构,介电性能,压电性能及铁电性能的影响.研究结果表明,随着In2O3掺杂量的增加,PZT材料在准同型相界处三方相增加四方相减少,适量掺入In2O3有利于晶粒均匀生长.在不同的铟掺杂剂量下,PZT陶瓷材料分别具有最佳的铁电及压电性能.当铟掺杂量为0.1%(质量分数)时,PZT材料具有最佳的铁电性能,其剩余极化强度为23.43μC/cm2,矫顽场为9.783kV/cm.当铟掺杂量为0.3%(质量分数)时,PZT材料具有最好的压电性能,其tanδ=0.023,d33=540pC/N......
