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出现镁的剧烈氧化燃烧, 与未加铍的Mg-9Al-0.5Zn合金相比, 加铍后的合金明显具有良好抗氧化性能. 2.2 物相鉴别 图1为X射线衍射峰图, 从中可看出氧化膜主要由MgO, BeO和Al2O3组成, 同时由于氧化膜较薄, 除氧化物衍射峰外, 还出现了基体物质Mg和Mg17Al12的衍射峰. 2.3 氧化膜内元素分布规律 图2是氧化膜元素深度剖析结果, 即合金液面...多孔而不能阻止空气中的氧向合金液内部扩散; 而BeO和Al2O3的P-B比都大于1 (分别为1.68和1.27) , 这两个氧化物形成时体积发生膨胀, 使氧化膜受到压应力而结构较致密. 综合图1和图2的结果, 可知以上3种氧化物相互混合, MgO的空隙被其它两种氧化物充填, 导致这一氧化层致密度提高, 阻止了氧向熔体扩散, 提高了合金液的抗氧化性能. 观察图2, 进一步可以把合金液表面......
的含铍新材料有铍铝镁合金,铍钛合金,BeO-UO2/Be-U新型核燃料. 1.1 金属铍工艺技术进展 在所有铍材料中,金属铍用量最少但最重要.近20年来,金属铍的粉末冶金生产工艺从冶炼,制粉到成型技术均发生了质的飞跃. 1.1.1 熔融电解法制高纯鳞片铍 目前,从铍化合物中制取纯铍的实用技术有两种,即氟化铍镁热还原法和氯化铍熔盐电解法.氟化铍镁热还原法首先用氟化氢铵将BeO...工艺制造净近形铍铝合金,这些坯块经机械加工成美军阿帕奇战斗直升机的新型光学传感系统部 件[4, 45]. 1.3 新型铍材料的开发和应用 1.3.1 新品级金属铍材 1) O-30级金属铍 由于铍雾化制粉技术的成熟,美国Materion公司成功研发了O-30光学级铍材.O-30光学级铍材是目前粉末冶金方法生产的纯度最高,各向各向同性最好的铍材,其BeO含量＜0.5......
].由Park[5]于1961年发明的流延工艺专利广泛应用于混合集成电路(HIC)和多芯片模件(MCM)陶瓷封装.随着美国,日本等发达国家相继研究并推出叠片多层陶瓷基片,陶瓷基片已成为广泛应用的几种高技术陶瓷之一.目前已投入使用的高导热陶瓷基片材料有Al2O3,AlN,SiC和BeO等,表1对几种常用的封装材料的特性进行了比较. 长期以来,绝大多数大功率混合集成电路的基板材料一直沿用Al2O3和BeO陶瓷,但Al2O3基板的热导率低,热膨胀系数和Si不太匹配；BeO虽然具有优良的综合性能,但其较高的生产成本和剧毒的缺点限制了它的应用推广.因此从性能,成本和环保等因素考虑,二者已不能完全满足现代电子功率器件发展的需要. 表1 4种陶瓷封装材料的性能对比[6] Table 1 Comparison of characteristics of four......
气与镁蒸气的反应.然而Sr的添加能大大提高镁合金的燃点,产生明显的阻燃效果[35].对于Mg-Be合金,尽管Be在镁中的固溶度几乎为零,其质量分数为10-6数量级,镁合金中BeO的形成在热力学上是不可行的,但与该数量级质量分数的Be进行微合金化则可大大增强镁合金的抗氧化性[40-41].因此,该理论需要进一步补充完善,例如AYDIN等[42]认为在考虑氧化层致密性的同时还需要考虑氧化层对O2的通透...证明是提高镁合金抗氧化性的有效元素.Be对O2的亲和力高于Mg[21],BeO的PBR值为1.70[61].因此,在起初很长一段时间内人们将Be能增加镁合金抗氧化性归因于保护性BeO膜的形成.HUANG等[76]向Mg-2Ca中合金添加300×10-6 Be后,发现其氧化速率大大降低,燃点提高了200 ℃以上.该合金在高温暴露于空气后的氧化膜主要由CaO,MgO和BeO组成.ZENG等[15......
设备热丝化学气相沉积系统[15-16],背底真空度可达10-5 Pa.反应气体流量用D03-3B/ZM型质量流量计控制,灯丝温度用光学高温计测定,基体温度用置于基体同一高度的热电偶测定. 选用纯度为99%的多晶氧化铍陶瓷(BeO)圆片平板试样作为基体,尺寸规格为d10 mm×3.5 mm,表面镜面抛光.基体在沉积之前依次进行化学处理和金刚石粉悬浊液超声波振荡处理.工作气体选用纯度均为99.999...]. 北京: 冶金工业出版社, 2006: 9–19.GAO Long-qiao. BeO ceramic[M]. Beijing: Metallurgical Industry Press, 2006: 9–19. [4] FELTEN E J. Sintering behavior of beryllium oxide[J]. Journal of the American Ceramic......
York: John Wiley & Sons, 1972: 39. [31] JONA F, MARCUS P M. Structural properties of copper[J]. Physical Review B, 2001, 63(9): 094113-1-8. [32] 原鹏飞, 祝文军, 徐济安, 刘绍军, 经福谦. BeO高压相变和声子谱的第一性原理计算[J]. 物理学报, 2010, 59(12): 8755-8761.YUAN Peng-fei, ZHU Wen-jun, XU Ji-an, LIU Shao-jun, JING Fu-qian. High pressure phase transition and phonon-dispersion relations of BeO calculated by first-principles method......
化合物附近容易产生裂纹,并最终导致焊接接头断裂. 采用EMPA分析焊接接头剪切断口表面凸起物主要由Be,Al,O等元素组成,根据元素含量(摩尔分数)和这3种元素间有可能形成的化合物的生成吉布斯自由能高低[15],推测凸起物可能为BeO?xAl2O3金属间化合物,在应力作用下,此处容易成为断裂源. 3) 焊接气孔的影响 图7所示为剪切断口表面气孔和裂纹形貌.由图6可知,剪切断口表面存在少量气孔......
(Li)和铍(Be)的重要矿物来源. 它们的原矿品位一般较低, 如绿柱石原矿中BeO含量一般不超过1/1000. 要分选出合格精矿产品, 富集比常常需要达到几十甚至上百. 浮选法仍是这2种矿物最主要的处理方法. 在国内外锂辉石和绿柱石浮选工业中用到的捕收剂一般包括脂肪酸及其皂类, 即油酸, 氧化石蜡皂, 环烷酸皂, 塔尔油等, 烷基硫酸盐及磺酸盐等, 以及胺类阳离子捕收剂[1-4]. 此外, 柴油......
, REN Yu-ping, PEI Wen-li. Effects of morphology and distribution of BeO impurity on mechanical properties of metal beryllium [J]. The Chinese Jounal of Nonferrous Metals, 2011, 21(4): 769-776......
the box material and other materials commonly used for electronic packaging. As shown in Table 3, Al-Si alloy with high Si content has low CTE near to that of BeO and GaAs, its thermal conductivity is five......
