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• Thermodynamic analysis of growth of ternary III-V semiconductor materials by molecular-beam epitaxy

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2011年第1期》——叶志成 舒永春 曹雪 龚亮 皮彪 姚江宏 邢晓东 许京军

  experimental materials InGaP/GaAs and InGaAs/InP, and reported GaAsP/GaAs and InAsP/InP in thermodynamic growth. The lattice strain energy ΔG and thermal decomposition sensitive to growth temperature... favorable to In+P→InP. It is also found that the decomposition related parameter B decreases from 353 K to 150 K, probably because the beam equivalent pressure of phosphorous flux is so high (250......

• 大型风力机风雨结构三场耦合分析

  来源： 《中南大学学报(自然科学版)2016年第3期》——董辉 高乾丰 邓宗伟 朱志祥 彭文春

  力机表面风,雨荷载及对应位置坐标导出为inp文件,添加材料属性,自重和边界条件等进行完善,再导入Abaqus软件对风力机进行有限元分析,从而实现风-雨-结构三者之间的耦合计算. 2  雨荷载计算方法 根据已有观测结果,发现天然雨滴的直径一般保持在0.1~6.0 mm范围内,且服从马歇尔-帕尔默谱分布(简称M-P谱)[15]:      ...  Diameter and number of raindrops 图4  塔筒顺风向水平雨荷载分布 Fig. 4  Horizontal rain load distribution on windward side of tower 3.2.2  结构有限元分析 风雨场计算完成后,将从Fluent软件中导出的风力机网格及荷载数据编辑成inp文件,并导入......

• 1.55 μm波长InGaAsP微盘半导体激光器的室温激射性质

  来源： 《中国有色金属学报2007年第5期》——伍冠洪 J. G. McInerney

  器的制作 本研究中微盘激光器的结构如图2所示. 图2  1.55 ?m InGaAsP微盘激光器结构 Fig.2  Structure of 1.55 ?m InGaAsP microdisk lasers 首先采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在InP衬底上生长出与常见1.55 ?m分离限制异质结构相同的外延层,即从上至下为:InGaAs接触层,p型掺杂的InGaAsP覆盖层,未掺杂的有源区,n型掺杂的InGaAsP覆盖层和InP衬底.其有源区包含由4个宽为5 nm的InGaAsP量子阱与3层宽为10 nm的InGaAsP势垒层交替排列,覆盖层厚为180 nm,所有外延层的总厚度为410 nm.用光刻方式在其上制作出直径从1至10 ?m的圆盘,采用非晶有机混合溶剂HBr+H3PO4+K2CrO7腐蚀出深约1 ?m的台阶,然后将台阶用蜡全部覆盖,放入浓......

• In situ microtomography investigation of microstructural evolution in Al-Cu alloys during holding in semi-solid state

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2010年第z3期》——S. TERZI L. SALVO M. SUERY A. DAHLE E. BOLLER

  , Australia； 2. Université de Grenoble, Science et Ingénierie des Matériaux et Procédés, Génie Physique et Mécanique des Matériaux, UMR CNRS 5266, Grenoble INP, Université Joseph Fourrier, BP46.... The authors wish to thank all sta? members of the ID19 beam line of ESRF Grenoble for their technical support. A.K.D. wishes to thank PHELMA, Grenoble INP for the appointment as Invited Professor......

• 基于真实细观尺度的沥青混合料三维重构算法

  来源： 《中南大学学报(自然科学版)2012年第7期》——万成 张肖宁 贺玲凤 王端宜 张吉庆

  分分别为集料,砂胶和空隙. 2.6  三维数值试样的建立 利用开发的MATLAB程序实现上述过程,最后利用MATLAB中的DLWRITE命令将数据文件写入构造有限元模型的INP文件,该INP文件包含了连续断层图像的细观结构信息,最终建立三维细观模型,如图12所示,区别于传统的均质体有限元数值模型,该模型真实地反映实际试样中集料,砂胶和空隙的三维细观分布,即考虑3者的空间真实分布形态,只需......

• 闪锌矿结构AlN、AlP和AlAs的介电和弹性性质的 第一性原理研究

  来源： 《中国有色金属学报2008年第9期》——王焕友 徐慧 黄家敏 张鹏华

  of high performance InGaAs/AlAs resonant tunneling diodes on InP substrates[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(4): 563?566. [6] 熊 焰, 傅正义, 王 皓. CaF2 助剂放电等离子烧结透明AlN陶瓷的微观结构和光学性能[J]. 中国有色金属学......

• Sub-micron-structure machining on silicon by femtosecond laser

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2009年增刊第1期》——Hung-Yin TSAI Shao-Wei LUO Chih-Wei WU Shing-Hoa WANG

  coefficients of silicon for 850-2200 nm [J]. Appl Phys Lett, 2007, 90: 191104. [17] ASPNES D E, STUDNA A A. Dielectric functions and optical parameters of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, and InSb......

• Effect of electromagnetic force on melt induced by traveling magnetic field

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2010年第4期》——苏彦庆 徐严谨 赵雷 郭景杰 傅恒志

  ] SCHWESIG P, HAINKE M, FRIEDRICH J, MUELLER G. Comparative numerical study of the effects of rotating and travelling magnetic fields on the interface shape and thermal stress in the VGF growth of InP......

• 铟纳米颗粒及纳米线的制备

  来源： 《中国有色金属学报2006年第1期》——丁占来 张建民 齐芳娟 彭政

  能, 纳米尺度材料在电子器件, 光子器件和生物医药等领域有着广泛的应用潜力. 铟(In)是ⅢA族元素, 为具有四方晶体结构的低熔点金属, 它易于化合形成例如InN, InGaN, InP和InAs的Ⅲ-Ⅴ族合金半导体,可用于制作发光二极管(LED)等光电器件. 铟元素也易于氧化, In2O3是一个禁带宽3.6eV的半导体材料, 它和SnO2, ZnO, In2O3:Sn(indium tin......

• Influence of extrusion temperature on microstructure and mechanical properties of Mg-4Y-4Sm-0.5Zr alloy

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2010年第7期》——李大全 王渠东 丁文江 J. J. BLANDIN M. SUéRY

  , Grenoble INP, Science et Ingénieriedes Matériaux et Procédés (SIMAP), CNRS UMR 5266, UJF, BP 46, 38402 Saint-Martin d’Héres Cedex, France Received 23 September 2009; accepted 30 January 2010  ......