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掺铕GaN薄膜的Raman散射研究 张春光1,卞留芳1,陈维德1 (1.中国科学院半导体研究所表面物理国家重点实验室,北京,100083) 摘要:采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕 GaN薄膜. 利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况. 结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤. 离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复,而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多. 不同几何配置的Raman谱研究表明,1000 ℃的高温退火导致了GaN的分解. 关键词:GaN; Eu; 金属有机物化学气相沉积; Raman散射; 铕; 稀土; [全文内容正在添加中] ......
GaN基热氧化物的XPS和椭偏光谱研究 杨谟华1,于奇1,杜江锋1,赵金霞1 (1.电子科技大学微电子与固体电子学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054) 摘要:采用X射线光谱R(XPS)和椭偏测试仪(SE)对GaN材料干氧氧化所得氧化物薄膜的组分,厚度,光学常数等物理特性进行了研究.当氧化温度为900℃,氧化时间为15~240min时,XPS测试结果表明,所得氧化物类型为Ga_2O_3,且由于大量O空位的存在,其表面Ga/O比率约为1.2.SE测试结果表明,GaN线性氧化速率约为40nm/h,呈抛物线生长,最终平均氧化速率约为25nm/h.在300~800nm测试范围内,Ga_2O_3折射率为1.9~2.2,与文献测试结果相符.但在300~400nm测试范围内存在反常色散现象,这与GaN在此波段的强吸收有关. 关键词:GaN; 热氧化; Ga_2O_3; XPS......
氨气流量对GaN纳米线生长及性能的影响 刘文军1,孙海波1,石锋1,薛成山1,曹玉萍1,郭永福1 (1.山东师范大学,物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014) 摘要:利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga_2O_3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min.采用X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM),傅立叶红外吸收(FTIR)光谱,高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了分析表征.结果表明,氨气流量对GaN纳米线的生长及性能有很大影响.简单讨论了GaN纳米线的生长机理. 关键词:GaN; 纳米线; 氨气流量; 溅射; 生长机制; GaN; nanowires; ammonia flow rate; sputtering; growth mechanism; [全文内容正在添加中] ......
氨化Ga2O3/Pd/Sapphire薄膜制备GaN纳米线薛成山,郭永福,石锋,庄惠照,刘文军,曹玉萍,孙海波山东师范大学半导体研究所摘 要:利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线.X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构.通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10~60nm,长度达几十个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移.最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制.关键词:纳米线;GaN;磁控溅射;单晶;钯催化;......
射频等离子体分子束外延GaN的极性研究 李爱珍1,朱福英1,赵智彪1,齐鸣1 (1.中国科学院微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:对采用射频等离子体分子束外延(RF-plasmaMBE)生长得到的GaN进行极性研究.由于镓极性(Ga-polar)比氮极性(N-polar)有更好的化学稳定性,通过比较RF-plasmaMBE生长得到的不同GaN样品对光辅助湿法刻蚀的稳定性,发现缓冲层生长条件对GaN外延层的极性有着重要影响:较高缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为N-polar,较低缓冲层生长温度得到的GaN外延层表现为Ga-polar. 关键词:GaN; 分子束外延; 原子力显微镜; 光辅助湿法刻蚀; 极性; [全文内容正在添加中] ......
GaN基紫光LED的可靠性研究 于彤军1,商树萍1,张国义1,陈志忠1 (1.北京大学介观物理与人工微结构国家重点实验室,北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院,北京,100871) 摘要:测量了GaN基紫光LED的光功率(P)在不同工作电流和环境温度(室温和60℃)下随时间的变化,研究了LED的可靠性.结果表明,紫光LED的功率在前48 h内迅速衰减,而在48 h后衰减速率减慢;与光功率的衰减规律相对应,其Ⅰ-Ⅴ曲线的变化显示反向漏电流和正向小电压下的电流都有明显的增加.对载流子的输运机制的分析表明,在LED的工作过程中,缺陷提供的辅助电流通道使载流子的辐射复合几率降低,LED光功率下降. 关键词:无机非金属材料; GaN; 紫光LED; 可靠性; [全文内容正在添加中] ......
Si(111)衬底上生长GaN晶环的研究 魏芹芹1,薛成山1,曹文田1,王强1,王显明1,孙振翠1 (1.山东师范大学,山东,济南,250014) 摘要:利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶环,采用扫描电镜(SEM),选择区电子衍射(SAED),X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱和傅里叶红外吸收谱(FTIR)对晶环的组成,结构,形貌和光学特性进行分析.初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶环.SEM显示在均匀的薄膜上出现直径约为10μm的5晶环,由XRD和SAED的分析证实晶环呈六方纤矿多晶结构,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN,同时含有少量的C污染,PL测试表明晶环呈现不同于GaN薄膜的发光特性. 关键词:热壁化学气相沉积; 氮化镓; 晶环; hot-wall chemical vapor deposition......
Si(111)衬底上生长GaN晶绳的研究 魏芹芹1,薛成山1,曹文田1,王强1,孙振翠1 (1.山东师范大学半导体研究所,济南,250014) 摘要:利用热壁化学气相沉积在Si(111)衬底上获得GaN晶绳,采用傅里叶红外吸收谱(FTIR),扫描电子显微镜(SEM),选区电子衍射(SAED),X射线衍射(XRD)和光致发光谱(PL)对晶绳进行组成,结构,形貌和光学特性分析.初步结果证明:在Si(111)衬底上获得择优生长的六方纤锌矿结构的GaN晶绳.SEM显示在均匀的薄膜上出现6μm的晶绳,FTIR显示GaN薄膜的主要成分为GaN同时含有少量的C污染,由XRD和SAED的综合分析得出晶绳呈六方纤锌矿单晶结构,PL测试表明晶绳呈现不同于GaN薄膜的发光特性. 关键词:热壁化学气相沉积; 氮化镓; 晶绳; hot- wall chemical vapor deposition......
GaN基器件中的欧姆接触 邵庆辉1,叶志镇1,黄靖云1 (1.浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州,310027) 摘要:GaN材料以其优良的光电性质,已成为制造发光器件和高温大功率器件的最有前途的材料.欧姆接触是制备GaN基器件的关键技术之一.着重论述了在n-GaN和p-GaN上制备欧姆接触的研究现状. 关键词:氮化镓; 欧姆接触; 接触电阻率; [全文内容正在添加中] ......
Study on Surface Morphology of GaN Growth by MOCVD on GaN/Si(111) Template Wang Junxi1,Zeng Yiping1,Liu Hongxin1,Li Jinmin1,Guo Lunchun1,Wang Xiaoliang1,Li Jianping1,Liu Zhe1,Hu Guoxin1 (1.Novel Materials Laboratory, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China) Abstract:The surface morphology of GaN grown by MOCVD on GaN/Si template was studied. Rough......
