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SiC薄膜材料与器件最新研究进展 刘福1,郑旭强1,周继承1 (1.中南大学物理科学与技术学院,长沙,410083) 摘要:SiC单晶因其宽的禁带宽度,高的电子饱和速度,大的临界击穿场强,高的热导率和热稳定性等特性而成为制作高频,大功率和耐高温器件的理想材料.综述了SiC材料及器件的研究现状,关键技术和发展趋势;分析了我国的研究现状和存在的差距. 关键词:SiC材料; SiC器件; 研究现状; 关键技术; 发展趋势; [全文内容正在添加中] ......
SiO2-C-Na3AlF6合成SiC晶须的研究崔曦文,蒋明学,张颖西安建筑科技大学材料科学与工程学院摘 要:以SiO2微粉,石墨,Na3AlF6为原料合成SiC晶须.采用XRD,SEM对产物进行分析,结果表明,在1 500℃及Si/Al摩尔比为4∶1的条件下生成的晶须质量最佳.对晶须的合成机理进行讨论,认为晶须生长过程为VS机理;Na3AlF6不参与实际的晶须合成反应.计算出气相反应物的过饱和度约为0.005,有利于晶须的生长.关键词:SiC晶须;SiO2-C-Na3AlF6;合成机理;过饱和度;......
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Trans. Nonferrous Met. Soc. China 26(2016) 1317?1325 Microstructure and interface thermal stability of C/Mo double-coated SiC fiber reinforced γ-TiAl matrix composites Xian LUO, Chao...; Abstract: C/Mo duplex coating interfacially modified SiC fiber-reinforced g-TiAl matrix composite (SiCf/C/Mo/g-TiAl) was prepared by foil-fiber-foil method to investigate its......
SiC单晶材料加工工艺研究进展肖强1,何雪莉21. 西安工业大学机电工程学院2. 陕西师范大学摘 要:SiC单晶片是第三代宽禁带半导体材料,其特有的晶体结构及高的材料硬度使其加工过程成为难点,突出表现为加工效率低,表面质量不稳定等问题,因此SiC单晶片的高效低损伤加工技术成为研究的焦点.介绍了SiC单晶材料去除机理,总结了高效精密加工SiC单晶的工艺现状及发展趋势,这对于提高SiC单晶片加工技术和应用水平有重要的理论意义和实用价值.关键词:SiC单晶;精密磨削;化学机械抛光;表面质量;......
Si3N4结合SiC材料在铝电解槽中的损毁机理研究葛山,尹玉成摘 要:采用自制的抗冰晶石侵蚀试验炉,模拟了Si3N4结合SiC制品在电解铝槽中的工作情况,并借助SEM,X射线衍射仪及能谱仪(EPAX)研究了Si3N4结合SiC制品不同位置的损毁机理.结果表明:Si3N4结合SiC制品在空气部分的损坏主要是由于Si3N4和SiC氧化导致的;而在冰晶石电解质与空气界面处,由于化学反应形成的氧化-侵蚀-渗透恶性循环使得侵蚀最为严重,电解质在金属铝液中的溶解和由于试样本身结构中的气孔可能是Si3N4结合SiC制品在金属铝液中发生侵蚀的主要原因.关键词:Si3N4结合SiC制品;侵蚀;冰晶石;......
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SiC质耐火材料抗气体腐蚀研究进展赵西西1,蒋明学1,冯秀梅21. 西安建筑科技大学材料与矿资学院2. 青岛农业大学建筑工程学院摘 要:较为详细地总结了国内外关于SiC质耐火材料抗空气,氧气或水蒸气等气体腐蚀性的研究,分析了SiC质耐火材料腐蚀后性能的变化规律和显微结构变化特征,总结了在不同气氛中材料的氧化机制,展望了SiC质耐火材料在新兴领域的应用前景及其将会遇到的特殊腐蚀气氛,探讨了进一步研究的方向.关键词:SiC质耐火材料;气体腐蚀;氧化机制;......
三维网络SiC多孔陶瓷增强铝基复合材料的制备 张志金1,于晓东1,王富耻1,李凯2,栾志强2,王扬卫1 (1.北京理工大学,北京,100081;2.北京防化研究院第一研究所,北京,100083) 摘要:以中间相沥青添加质量分数为50%的Si粉制备的炭泡沫预制体为坯体,在高温感应烧结炉中结合反应烧结工艺制备了SiC多孔陶瓷预制体.利用挤压铸造工艺制备了SiC多孔陶瓷增强铝基复合材料.采用扫描电子显微镜(SEM)观察了SiC多孔陶瓷骨架及复合材料的微观形貌和界面结构,通过X射线衍射分析仪(XRD)对多孔陶瓷预制体物相组成进行了分析.利用阿基米德排水法,测试了多孔陶瓷的孔隙率和复合材料的密度.结果表明:添加Si的质量分数为50%的炭泡沫预制体反应烧结后获得的SiC多孔陶瓷具有三维连续通孔结构,孔筋致密并且具有较高的开口孔隙率.通过挤压铸造工艺制备的SiC多孔陶瓷增强铝基复合材料界面结合良......
固相烧结SiC陶瓷 葛昌纯1,曹文斌1,李江涛1,武安华1 (1.北京科技大学) 摘要:实验采用α-SiC,β-SiC和(1%α-SiC +99%β-SiC)作为起始粉末,以B,C为添加剂,热压烧结SiC陶瓷.其烧结过程中尽管发生多型体之间的转变,但其表现形式为α-SiC的6H→4H和β-SiC的3C→6H两种形式.尽管有大量的长柱状颗粒生成,但是由于没有弱的界面结合,不能原位增强. 关键词:固相烧结; SiC陶瓷; 相变; [全文内容正在添加中] ......
