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AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术 刘新宇1,魏珂1,黄俊1 (1.中国科学院微电子研究所,北京,100029) 摘要:对AlGaN/GaN HEMT栅槽低损伤刻蚀技术进行研究,通过加入小流量的具有钝化缓冲作用的C2H4,对Cl2/Ar/C2H4的工艺条件进行了优化,有效地降低了栅槽刻蚀造成的AlGaN表面损伤和器件退化,同时防止反应生成物淀积在栅槽表面,改善了肖特基结特性,提高了栅极调控能力,实现凹栅槽的低损伤刻蚀. 关键词:AIGaN/GaN; HEMT; 凹栅槽; 低损伤刻蚀; C2H4; [全文内容正在添加中] ......
基于CFD的SCR脱硝装置整流格栅优化设计林钢1,金强1,许媛媛2,袁景淇21. 上海电气石川岛电站环保工程有限公司2. 上海交通大学自动化系系统控制与信息处理教育部重点实验室摘 要:整流格栅作为选择性催化还原(SCR)脱硝系统中控制催化剂层上方烟气速度矢量方向的功能组件,起到避免与竖直流通方向成交大角度的高速烟气冲蚀催化剂层和防止烟气中飞灰颗粒物损伤催化剂层的重要所用.采用三维计算流体力学仿真工具,对与烟气速度矢量方向控制密切相关的整流格栅结构进行了优化设计.首先研究了在极限入射角的情况下,计算得出得到满足系统设计要求的整流格栅的最优高度(厚度).然后,研究了整流格栅安装位置对催化剂层上方烟气速度矢量方向的影响和预防飞灰颗粒物堵塞催化剂层.CFD仿真结果表明,优化设计下的整流格栅能减小烟气速度矢量方......
深亚微米栅HFET器件工艺研究 郑英奎1,吴德馨1,和致经1 (1.中科院微电子中心,北京100029) 摘要:通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法,并利用复合胶结构,一次电子束曝光制作出具有T型栅的HFET(HeterojunctionField-EffectTransistor)器件,并对0.1μm栅长HFET器件的整套工艺及器件性能进行了研究.形成了一整套具有新特点的HFET器件制作工艺,获得了良好的器件性能(ft=78GHz;gm=440ms/mm). 关键词:混合曝光; HFET; T型栅; [全文内容正在添加中] ......
栅原矿森田郁男,张金奎摘 要:<正> 栅原矿位于冈久县久米郡栅原镇.该矿开采历史悠久,1970年原矿产量834740吨,全矿1397人,其中井下741人;1975年原矿产量319848吨,全矿365人,其中井下170人;1980年原矿产量134783吨,全矿98人,其中井下35人;1983年原矿产量123707吨,全矿92人,其中井下22人.栅原矿到目前为止已探明的矿床以栅原主矿体(包括上1号,2号,3号,下部~关键词:......
多晶硅栅耗尽导致的SRAM单比特位失效分析 王俊1,莘海维4,浦晓栋4,李睿1,马惠平4,孔蔚然4,王庆东4 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050;2.中国科学院研究生院,北京100049;3.宏力半导体制造有限公司,上海201203;4.宏力半导体制造有限公司,上海,201203) 摘要:本文分析了一种静态随机存储器单比特位失效的机理.通过纳米探针测量,发现该比特位写操作失败是由负责存取的N型晶体管的驱动力较弱导致.TEM分析显示该晶体管的多晶硅栅中晶粒尺寸较大,这有可能导致栅的功函数变化以及靠近栅介质层区域的掺杂较轻.我们用SPICE模拟证实了晶体管驱动力变弱的原因是局域的多晶栅耗尽. 关键词:静态随机存储器; 单比特位失效; 多晶硅栅耗尽; SRAM; single bit failure; poly depletion; [全文内容正在添加中] ......
一种基于栅格的动态粒子数微粒群算法刘勇,梁彦,潘泉,程咏梅摘 要:微粒群算法的全局搜索性能容易受到局部极值点的影响.对此,提出一种基于栅格的动态粒子数微粒群算法(GB-DPPPSO).通过设计栅格信息更新策略,粒子产生策略和粒子消灭策略,可以根据种群搜索情况动态控制粒子数变化,以保持种群多样性,提高全局搜索性能.通过对4个典型数学验证函数的仿真实验,表明了该算法相对于DPPPSO在全局搜索成功率和搜索效率两方面均有明显改进.关键词:微粒群算法;栅格;动态粒子数;......
铁铬铝网栅吸波性能的研究王沙沙,罗发,周万城,朱冬梅西北工业大学凝固技术国家重点实验室摘 要:采用涂覆法制备了FeCrAl金属网栅吸波材料.研究了FeCrAl丝的不同丝长度,不同丝间距排布对2~18GHz范围内吸波性能的影响规律.研究表明,连续FeCrAl丝网栅材料不具备吸波性能;随FeCrAl丝长度的减小,材料最大吸收峰向高频方向移动,且最大吸收峰绝对值也随丝长度的减小而增大;随FeCrAl丝间距的减小,最大吸收峰向低频方向移动,且最大吸收峰绝对值也随丝间距的减小而增大.关键词:铁铬铝网栅;吸波性能;反射率;......
文章编号:1004-0609(2013)06-1591-07 铅酸电池负极板栅用Al/Pb复合材料的制备及性能 郝科涛1,吕晓军1,贾 明1,洪 波1,蒋良兴1, 2,方 静1,赖延清1, 2,李 劼1, 2,刘业翔1 (1. 中南大学 冶金与环境学院,长沙 410083； 2. 中南大学 先进电池材料教育部工程研究中心,长沙 410083) 摘...层,形成了冶金结合；镀层与基体的结合强度均值达2.621 MPa,能够满足铅酸电池板栅的要求；采用熔盐化学镀-金属浴工艺制备的铅镀层的完整性,耐腐蚀性和稳定性满足铅酸电池负极板栅的要求,Al/Pb复合材料可以作为轻质板栅用于铅酸电池负极. 关键词:Al/Pb复合材料；轻型板栅；耐腐蚀性 中图分类号:TF80 ......
针对复杂环境的模块化栅格地图构建算法秦玉鑫1,张高峰2,王裕清11. 河南理工大学机械与动力工程学院2. 河南理工大学工程训练中心摘 要:针对煤矿灾害救灾与信息探测机器人的自主导航问题,提出了一种用模块化的局部栅格地图表示复杂三维环境的地图构建算法.该算法使用TOF相机对三维环境信息进行获取,形成三维点云坐标矩阵.通过对坐标阵中每个点进行计算,判断坐标点在局部栅格地图中的位置,创建新的局部栅格地图,并对栅格单元占据概率进行实时更新,创建完整的全局环境栅格地图.根据栅格单元中坐标点的密度,对障碍物进行类型划分,确定通行区域与不可通行区域,简化路径规划的算法.实验结果和数据分析证明了本文地图构建方法的有效性和实用性.关键词:TOF相机;模块化局部栅格地图;三维点云图像;路径规划;......
退火对栅介质SrHfON薄膜性能的影响刘璐,刘正堂,冯丽萍,田浩,刘其军,王雪梅西北工业大学凝固技术国家重点实验室摘 要:采用射频磁控溅射法在Si衬底上制备新型栅介质SrHfON薄膜.采用X射线衍射(XRD)仪,高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线光电子谱(XPS)分析退火对SrHfON薄膜的界面形态,薄膜的结构和电学性能的影响.结果表明,SrHfON薄膜经900℃退火后仍保持非晶态,表现出良好的热稳定性.SrHfON薄膜与Si衬底的界面主要由HfSixOy和SiO2组成.以SrHfON薄膜为栅介质的MOS电容结构具有较小的漏电流密度,并且漏电流密度随着退火温度的升高而减小.在外加偏压(Vg)为+1V时样品在沉积态和900℃退火后的漏电流密度分别为4.3×10-6和1.2×10-7A/cm2.研究表明......
