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基于AlAs/InGaAs/GaAs共振隧穿效应的纳机电声传感器研制 刘俊1,张斌珍1,薛晨阳1,郭慧芳1,仝召民1,乔慧1 (1.中北大学电子测试技术国家重点实验室,太原,030051) 摘要:本工作设计了一种基于AlAs/InGaAs/GaAs量子隧穿效应的纳机电拍子式声传感器,并采用ANSYS有限元分析软件对敏感元件的布置位置进行了最优化仿真设计.在加工工艺上,采用双空气桥技术和Au/Ge/Ni合金膜系欧姆接触技术有效降低了电容,电阻等对器件结构性能的影响;在传感器的具体加工过程中,共振隧穿结构(RTS)和拍子结构是通过控制孔技术一次流片完成的.对所加工的传感器进行了初步测试,结果表明,传感器频响能较好的与仿真结果相吻合,1.3KHz时同时具有较好的线性特性. 关键词:AlAs/InGaAs/GaAs; 拍子; 声传感器; 共振隧穿结构; [全文内容正在添加中] ......
(Pb,La)TiO3/LaNiO3异质结薄膜的漏电流特征 刘秋香1,蒋艳平1,唐新桂1,程铁栋1,匡淑娟1,熊惠芳1 (1.广东工业大学,广东,广州,510006) 摘要:采用溶胶-凝胶法(sol-gel),以LaNiO3(LNO)为底电极在/Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了(Pb1-xLax)Ti1-x/4O3(x=28 mol%,简称PLT)薄膜.经过600℃快速退火.从而得到了多晶钙钛矿结构PLT薄膜.薄膜漏电流和电压极性有关,当在Pt电极或LNO电极施加负偏压时,在低电场作用下,Pt/PLT和PLT/LNO界面分别形成肖特基势垒和欧姆接触;在高电场作用下,Pt/PLT和PLT/INO界面的漏电流均呈现空间电荷限制电流导电机制.这是因为用金属氧化物LNO做底电极的缘故. 关键词:PLT薄膜; 界面特性; 漏电流; 肖特基发射; 空间电荷限制电流; [全......
微电子技术用高分散性超细金粉 潘云昆1,魏丽红1,余青智1,杜红云1,李世鸿1 (1.昆明贵研铂业股份有限公司,昆明,650221) 摘要:研制用于微电子技术的印刷型球形金粉和焊接型片状金粉.球形表面光滑的金粉PAuC-3粒度分布范围窄,粒度小,用于印刷型金导体,具有良好的导电性,印刷性和线分辨率,膜表面平整度,清晰度,背光孔隙度高,收缩率,流延率以及厚膜切面密度小.鳞片状金粉粒度较大,且粒度分布范围宽,用于焊接型金导体浆料中形成欧姆接触,满足焊接强度的要求. 关键词:超细金粉; 球形金粉; 片状金粉; [全文内容正在添加中] ......
7075铝合金瞬时腐蚀速率的计算和试验验证 袁庆铭1,周建华2,何建平2,陈素晶2 (1.厦门航空有限公司,厦门,361009;2.南京航空航天大学材料科学与技术学院,南京,210016) 摘要:针对铝合金腐蚀平均速率与瞬时速率的差异,根据腐蚀过程中试样横截面的变化与欧姆电阻的对应关系,建立了新的腐蚀速率计算方法.将试样全浸和半浸在腐蚀溶液中,分别测定了7075铝合金电阻随时间的变化,并由腐蚀速率计算公式获得了对应的腐蚀速率与时间的关系.结果表明,全浸6h前铝合金腐蚀速率随时间线性减小,接下来经历一个平坦区,25h后腐蚀速率又稍微增加.推断全浸6h之前铝合金表面主要发生点蚀,接下来是晶间腐蚀,25h之后进入剥蚀的发展期.铝合金半浸于电解液中的腐蚀速率随时间的变化趋势与全浸于溶液中相似. 关键词:电阻法; 铝合金; 腐蚀速率; 瞬时; [全文内容正在添加中] ......
超级电容器用LiMn2O4的制备与性能 薛云1,张密林1,陈野1 (1.哈尔滨工程大学材料科学与化学工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001) 摘要:采用高温固相法制备尖晶石型LiMn2O4电极材料.XRD结果表明经700℃煅烧即可得到尖晶石型LiMn2O4样品.利用恒流充放电,循环伏安和交流阻抗等测试方法研究了合成过程中温度和时间对尖晶石型LiMn2O4电极材料在2mol·L-1.(NH4)2SO4溶液中电容性能的影响.结果表明LiMn2O4电极材料具有较好的电容性能.恒流充放电和循环伏安结果表明,当煅烧温度700℃,恒温时间4-2Ah时,其容量并没有明显的变化,电流密度为10mA·cm-2时,其放电比容量保持在127F·g-1.交流阻抗结果也表明,LiMn2O4电极在2mol·L"(-1H4)2SO4溶液中具有较好的电化学电容行为,700℃下煅烧的样品的溶液欧姆电阻仅为05Ω......
离子束合成的钇硅化物结构相变研究 贺德衍1,谢二庆1,王文武1,姜宁1 (1.兰州大学,物理系,甘肃,兰州,730000) 摘要:为了获得高品质的欧姆接触和线路连接材料,利用离子注入方法在n型单晶Si(111)基底上制备了钇硅化物,并对其在高真空下红外光辐照处理过程中的结构相变进行了研究.X射线衍射测量表明,在Y离子注入过程中已形成了部分六方相YSi2,800℃下红外光辐照处理30 min后YSi2呈现出择优结晶取向.从辐照过程中原位测量样品的方块电阻变化发现,当温度升至160℃时,Y与Si反应首先形成了斜方相YSi.YSi/YSi2的相转变出现在240℃,随温度的进一步升高,Y原子完全与Si原子发生反应,形成了结晶取向良好的六方相YSi2. 关键词:钇硅化物; 离子注入; 固相反应; 原位方块电阻测量; [全文内容正在添加中] ......
OTFTs结构与器件性能 马东阁1,郭树旭2,石家纬2,全宝富2,王伟2,张宏梅2,姜文海2 (1.中国科学院长春应用化学研究所,高分子物理与化学国家重点实验室,长春,130022;2.吉林大学电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室,长春,130012) 摘要:在重掺杂的Si衬底上分别制备了底电极(Bottom-contact organic thin-film transistors,BCOTFTs)和顶电极(Top-contact organic thin-film transistors,TC-OTFTs)有机薄膜场效应晶体管,探讨了源,漏电极位置对器件性能的影响.结果表明,顶电极可以形成良好的欧姆接触,其器件的迁移率和开关电流比均高出BC-OTFTs器件三个数量级.研究了栅绝缘层的薄膜厚度对器件的电性能的影响.结果表明,在相同电压下,薄的绝缘层增大了沟道区域的电......
电弧炉坩埚浇铸法制备锆基块体非晶 张敬1,孙军1,贺林1 (1.西安交通大学,金属材料强度国家重点实验室,陕西,西安,710049) 摘要:采用电弧炉坩埚浇铸法制备Zr50Cu40Al10三元锆基块体非晶,研究了电磁搅拌合金熔体的作用.结果表明,虽然在该方法中合金熔体是仅在重力作用下自由充填铸模型腔,但与常用的真空吸铸铜模铸造法相比,铸模对合金熔体的激冷能力并没有明显的降低.电磁搅拌可减小合金熔体与坩埚底部由于欧姆接触所造成的"晶核污染",因而使锆基块体非晶态合金具有更宽的过冷液相区温度范围△Tx和更高的热稳定性. 关键词:锆基块体非晶合金; 电弧熔炼; 浇包型坩埚电弧炉; [全文内容正在添加中] ......
直流磁控溅射BaTiO3系PTCR元件电极及其性能对比的研究 郝永德1,龚树萍1,赵加强1,周东祥1 (1.华中科技大学,电子科学与技术系,湖北,武汉,430074) 摘要:目前在钛酸钡系PTC热敏电阻器的生产过程中,广泛采用烧渗铝,化学镀镍等电极制备方法,但所制备的电极湿热老化及附着力不尽人意.本文采用直流磁控溅射法制备了的PTCR元件的底电极,实现了镍与PTCR瓷片间的欧姆接触,并发现利用溅射法工艺制备了Ni电极的元件电极附着力(垂直拉力＞3kg,剪切拉力＞0.5kg)及耐湿热老化性能均得到提高,而且溅射工艺的高成本也得到控制,在生产上实现了批量应用(日产量可达3万片). 关键词:溅射; PTCR元件; 电极; 电学性能; [全文内容正在添加中] ......
冷电极型电收尘器晓宇摘 要:<正> 电收尘器比过滤收尘有许多优点,但不可否认还有一些缺点,如: (1)粉尘的比电阻超过1011欧姆·厘米时,附着在沉尘电极上的烟尘层里产生反电晕,收尘效率大大降低.这就是所谓的反电晕现象.(2)粉尘的比电阻在104欧姆·厘米以关键词:......
