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• 合成条件对多孔VO₂薄膜形貌和光学性能的影响

  来源： 《功能材料2013年第2期》——徐元杰 黄婉霞 施奇武 张阳 宋林伟

  合成条件对多孔VO2薄膜形貌和光学性能的影响徐元杰,黄婉霞,施奇武,张阳,宋林伟四川大学材料科学与工程学院摘 要:以云母(001)为衬底,采用无机溶胶-凝胶法,通过加入表面活性剂十二烷基三甲基溴化铵(CTAB),在不同条件下制备了多孔VO2薄膜.采用SEM,FT-IR等手段分析了薄膜的表面形貌和热致相变性能.结果表明,膜的热处理工艺参数等对薄膜的表面形貌,颗粒尺寸及光学性能有重要影响,多孔VO2薄膜的形成与退火温度,保温时间及退火环境有关.关键词:VO2薄膜;多孔;CTAB;光学性能;形貌;......

• X-RAY POWDER DIFFRACTION DATA AND STRUCTURAL REFINEMENT OF Er₃Co₆Sn₅

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)1999年第1期》——He Wei Zeng Lingmin Qin Wen Yan Jialin Hao Jianmin

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• THE CONSOLIDATION OF QUASICRYSTALLINE POWDER UNDER SUPERHIGH PRESSURE'

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)1991年第1期》——Chen Zhenhua Huang Peiyun Jiang Xianyang Wang Yun Zhou Duosan

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• Solvent de-binding of water-soluble binder in powder injection moulding

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)1999年第3期》——李松林 黄伯云 曲选辉 李益民

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• Chemistry principles for thermoplastic polymer binder formula selection for powder injection molding

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2004年第4期》——梁叔全 唐艳 黄伯云 李少强

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• PREPARATION OF ULTRAFINE NICKEL POWDER

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)1996年第2期》——Chai Liyuan Zhong Haiyun

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• UPPER BOUND METHOD FOR SINTERED POWDER MATERIALS IN PLANE STRAIN

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)1994年第2期》——Hua Lin Zhao Zhongzhi

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• Joining of SiC_p/Al composites by insert powder layers

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2005年第5期》——黄继华 董月铃 万云 张建纲 周国安

  Article ID: 1003-6326(2005)05-1067-05 Joining of SiCp/Al composites by insert powder layers HUANG Ji-hua(黄继华), DONG Yue-ling(董月铃), WAN Yun(万 云), ZHANG Jian-gang(张建纲), ZHOU Guo-an(周国安... to reactive diffusion bond SiCp/6063 MMC. The results show that SiCp/6063 MMC joints bonded by the insert layer of the mixed Al-Si powder have a dense joining layer with a typical hypoeutectic......

• X-RAY POWDER DIFFRACTION DATA AND STRUCTURE REFINEMENT OF COMPOUND ErNi₂Si₂

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)1998年第4期》——Yan Jialin Ou Xiangli Zeng Lingmin Hao Jianmin

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• 共溅射氧化法制备掺钼VO₂及其相变特性

  来源： 《稀有金属材料与工程2015年第6期》——朱慧群 陈飞 王启汶 杜尚昆 李竻康

  共溅射氧化法制备掺钼VO2及其相变特性朱慧群,陈飞,王启汶,杜尚昆,李竻康五邑大学摘 要:采用共溅射氧化法,在普通玻璃衬底上室温直流溅射沉积钒钼金属薄膜,再在大气环境下经热氧化处理获得掺钼VO2薄膜.通过XRD,SEM,热致相变电学特性等分析,研究制备工艺及掺杂改性对掺钼VO2薄膜的微结构,形貌,热滞回线和相变温度的影响.实验与分析结果表明,与相同厚度的纯VO2薄膜相比,钼掺杂显著改变了VO2薄膜的表面形貌特征,掺钼VO2薄膜呈多晶态且沿VO2(002)择优取向生长,结晶性和取向性明显提高,薄膜的相变温度降低至38℃,热滞回线宽度收窄约至8℃.低温共溅射氧化法制备的掺钼VO2薄膜的热阻效应明显,薄膜的金属-半导体相变特性良好.关键词:VO2薄膜;共溅射;钼掺杂;相变;......