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SiC铝基复合材料的制备技术和界面问题谭敦强,黎文献,余琨摘 要:综述了引颗粒增强铝基复合材料的制备工艺及其在制备过程中的界面反应和表面处理问题.关键词:SiC颗粒;复合材料;......
连续SiC纤维和SiC_f/SiC复合材料的研究进展袁钦,宋永才国防科学技术大学新型陶瓷纤维及其复合材料重点实验室摘 要:连续SiC纤维最主要的制备方法是先驱体转化法,目前已发展到第三代,它主要作为SiC基复合材料(SiC_f/SiC)的增强体.SiC_f/SiC具有优异的耐高温,抗氧化和高温抗蠕变性,及其在中子辐照条件下的低放射性,成为高温,辐射等苛刻条件下结构部件的优先候选材料.本文首先对国内外SiC纤维的发展,尤其是对第三代SiC纤维的不同制备思路和特征进行了介绍.然后,对SiC_f/SiC制备工艺和性能的进展进行了综述,突出了制备工艺创新与SiC纤维发展的关系.最后,对近几年SiC_f/SiC在高性能航空发动机,聚变反应堆领域的应用进展进行了总结,并对国内连续SiC纤维和SiC_f/SiC复合......
Trans. Nonferrous Met. Soc. China 22(2012) 275-280 Characterization of cast A356 alloy reinforced with nano SiC composites Ali MAZAHERY, Mohsen Ostad SHABANI Hashtgerd Branch, Islamic Azad... based on the A356 aluminum alloy reinforced with nano SiC particles. The density measurements show that the samples contain little porosity and the amount of porosity in the composites increases......
铁诱导低温SiC薄膜的合成 于威1,郑志远1,傅广生1,刘丽辉1 (1.河北大学物理科学与技术学院,保定071002) 摘要:采用热丝化学气相沉积法,以铁作为催化剂,在较低的衬底温度合成纳米SiC薄膜.铁粒子是在400Pa氢气的气氛中,通过用脉冲激光烧蚀铁靶5min引入的.用扫描电镜和拉曼谱对样品进行了分析.扫描电镜观察到了直径为10-30nm,长度短于1μm的无序SiC棒.拉曼谱中的横向生子模式的红移表明生长方向的限制效应.所有这些说明Fe粒子的大小将影响到SiC棒的生长. 关键词:SiC棒; HFCVD; 催化剂Fe; SiC nanorods; HFCVD; Fe catalyst; [全文内容正在添加中] ......
CVD SiC先驱体的研究进展 李斌1,胡海峰1,张长瑞1 (1.国防科技大学航天与材料工程学院CFC国防科技重点实验室,长沙,410073) 摘要:从CVD法制备SiC的传统先驱体的缺陷和不足出发,较详细地介绍了目前常用的先驱体体系及先驱体的发展趋势,并归纳新型先驱体应具备的特点. 关键词:SiC CVD 先驱体; [全文内容正在添加中] ......
C芯SiC纤维制备技术研究黄浩1,闫曦2,陈大明1,仝建峰1,李臻熙11. 北京航空材料研究院2. 中国科学院山西煤炭化学研究所摘 要:在自行设计制造的直流电阻加热CVD装置上制备出C芯SiC纤维,C芯SiC比W芯具有更高的力学性能,更好的界面相容性,更低的密度,成为制备SiC/Ti基复合材料的最佳增强体.研究CH3SiHCl2-CH3SiCl3-H2-Ar体系中在C芯表面化学气相沉积SiC涂层工艺,考察沉积温度,[H2]/[silane],气流量,Ar气流量对化学气相沉积SiC涂层的结构,性能的影响.并对涂层表面形貌及结构成分进行SEM,XRD,raman,AES分析.结果表明:在温度1200℃,[H2]/[silane]=1.4,气体流量4.89L/min,稀释气体0.2L/min时,纤维拉伸强度......
Trans. Nonferrous Met. Soc. China 25(2015) 3258-3264 Characterization of SiC nanowires prepared on C/C composite without catalyst by CVD Yi-cheng GE, Yun-qi LIU, Shuai WU, Huang WU, Pei-ling MAO, Mao-zhong YI State Key Laboratory of Powder Metallurgy, Central South University, Changsha 410083, China Received 17 November 2014; accepted 10 June 2015 Abstract: SiC nanowires were prepared on C/C......
Microstructure and abrasive wear behaviour of anodizing composite films containing SiC nanoparticles on Ti6Al4V alloyLI Song-mei(李松梅), YU Xiu-mei(郁秀梅), LIU Jian-hua(刘建华), YU Mei(于美), WU Liang(吴量), YANG Kang(杨康) (School of Materials Science and Engineering, Beihang University, Beijing 100191, China)Abstract:Anodized composite films containing SiC nanoparticles were synthesized on Ti6Al4V alloy......
CVD SiC涂层的C/SiC复合材料的弯曲性能 闫志巧,熊 翔,肖 鹏,姜四洲,谢建伟,黄伯云 (中南大学 粉末冶金国家重点实验室,湖南 长沙 410083) 摘 要:以针刺整体毡为预制体制备C/SiC复合材料,在材料表面制备CVD SiC涂层,研究涂层试样氧化前,后的微观结构和室温弯曲性能.研究结果表明:CVD SiC涂层由球形颗粒熔聚体,裸露裂纹和附着裂纹组成,于1 400 ℃氧化时附着裂纹发生愈合；C/SiC试样的弯曲强度为119.9 MPa,涂层试样及其分别经1 000,1 200和1 400 ℃连续氧化5 h后,弯曲强度分别为188.5,41.0,60.7和104.5 MPa；随氧化温度的升高,SiC涂层的保护作用增强是残留弯曲强度提高的根本原因；C/SiC试样,涂层试样和经1 200和1 400 ℃氧化的试样均表现为分层......
DOI:10.19476/j.ysxb.1004.0609.2000.06.022 SiC晶须有序添加角度对Si3N4基体陶瓷的增韧效应 朱其芳 姚伟 孙丽虹 王瑞坤 董利民 张宝清 北京有色金属研究总院!北京100088 ...果 关键词: SiC晶须;Si3N4;桥连;有序添加角度;增韧机制; 中图分类号: TG111 收稿日期:2000-03-02 基金:国家自然科学基金资助项目! (5 9772 0 1); Reinforcing effect of orderly additive orientation of SiC-whisker......
