共搜索到486条信息，每页显示10条信息，共49页。用时：0小时0分0秒234毫秒
烧结温度对Si3N4显微结构及性能的影响 严友兰1,王红洁1,余娟丽1,乔冠军1,张健2 (1.西安交通大学金属材料强度国家重点实验室,西安,710049;2.航天材料及工艺研究所先进功能复合材料技术国防科技重点实验室,北京,100076) 摘要:基于凝胶分子造孔机理,通过提高凝胶注模工艺中有机单体含量,制备微多孔氮化硅陶瓷,研究了烧结温度对Si3N4微多孔陶瓷烧结体的显微结构,强度,气孔率,孔径等方面的影响.结果表明,温度升高有利于β-Si3N4晶相的生成,烧结温度为1 680℃时,氮化硅陶瓷烧结体中α-Si3N4和β-Si3N4并存,当烧结温度为1 730和1 780℃时,氮化硅陶瓷烧结体的晶相全部为β-Si3N4;陶瓷烧结体的孔径均 关键词:凝胶注模; 微多孔氮化硅陶瓷; 烧结温度; 强度; 气孔率; [全文内容正在添加中] ......
Si3N4对镁质浇注料使用性能的影响 张静宇1,薛文东1,孙加林1,洪彦若1 (1.北京科技大学,北京,100083) 摘要:为了提高镁质浇注料的耐用性,研究了Si3N4加入对镁质浇注料性能的影响.结果表明:Si3N4可以明显提高镁质浇注料的高温抗弯强度,但由于Si3N4在高温容易被氧化,使镁质浇注料的结构被破坏,降低其它方面的使用性能,在实际应用中,Si3N4加入量应控制在小于5%的范围内. 关键词:镁质浇注料; 氮化硅; 使用性能; [全文内容正在添加中] ......
反应烧结Si3N4陶瓷微型转子的制备 江刺正喜1,田中秀治1,李敬锋2,杉木真也1 (1.东北大学大学院工学研究科机械电子工学专攻,日本,仙台,980-8579;2.清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家实验室,北京,100084) 摘要:介绍了一种适合于制备Si3N4陶瓷微细部件的微细制备技术.该技术主要包括Si粉的预烧结成形和微型加工以及反应烧结等三部分,结合了Si粉预烧结体的可加工性和Si3N4反应烧结所具有的近净尺寸成形特点,具有制备Si3N4陶瓷三维微细部件的优势.本研究利用该技术成功地制备了直径5mm,厚度1.2mm,叶片厚度大约70μm的Si3N4陶瓷微型转子. 关键词:陶瓷MEMS; 微型器件; 微制造; 氮化硅; 陶瓷转子; [全文内容正在添加中] ......
Si3N4对镁质浇注料抗渣性能的影响 徐德亭1,张静宇2,孙加林2,秦伟1,洪彦若2 (1.河南省耕生耐火材料有限公司;2.北京科技大学材料学院无机非金属材料系,北京,100083) 摘要:以95烧结镁砂为主要原料,以SiO2微粉为结合剂,在配料的细粉部分分别以0,3%,4%,5%的β-Si3N4细粉替代等量的镁砂细粉,搅拌均匀后浇注成氮化硅含量不同的镁质坩埚试样.选用宝钢中间包渣,采用静态坩埚法,在1 550 ℃ 3 h条件下对这些坩埚试样进行了抗渣试验.试验结果表明:加入Si3N4可以明显改善镁质浇注料的抗渣性能,并且随着Si3N4加入量的增加,试样的抗渣性能提高;在含氮化硅的镁质浇注料表面,由于Si3N4被氧化为SiO2而形成了致密烧结层,能阻止渣的进一步渗透;在加入Si3N4的镁质浇注料试样内部深处,由于氧分压非常低,Si3N4稳定存在;由于Si3N4在还原气氛下难以烧结......
Si3N4基微米/纳米复合陶瓷微观组织 董利民1,尤力平2,张宝清1,田杰谟1,孙丽虹3,张希顺3 (1.清华大学陶瓷材料实验室,北京,100084;2.北京大学物理系,北京,100871;3.北京有色金属研究总院,北京,100088) 摘要:用扫描电镜和透射电镜研究纳米粉成分和含量对Si3N4基纳米复合陶瓷组织的影响.SiC(n)/Si3N4(μ) 或Si3N4(n)/Si3N4(μ) 复合陶瓷的微观组织随纳米SiC(n)或Si3N4(n)含量的增加,基体组织逐渐变细.当SiC或Si3N4的含量达15% (ω) 时,具有较高的强度和较好的韧性.若严格控制制粉,压型和烧结工艺,可进一步提高复合陶瓷的质量和性能. 关键词:复合陶瓷; 扫描电镜; 透射电镜; 纳米粉末; 微观组织; [全文内容正在添加中] ......
SiC颗粒弥散强韧化Si3N4陶瓷刀具材料 贾雄羽1,何京彦1,夏志华1 (1.北京有色金属研究总院,北京,100088) 摘要:对SiC颗粒弥散强韧化氮化硅陶瓷刀具材料的组成,结构及性能进行了研究.结果表明,SiC颗粒的加入使材料的强度,韧性及硬度均比纯Si3N4陶瓷有显著提高.通过对其显微结构的分析,发现SiC颗粒的加入使材料的显微结构明显改善,能有效地阻止βSi3N4晶粒的异常生长,有利于形成均匀细小的组织结构.同时,对SiC颗粒在Si3N4基体中的增韧机理进行了探讨. 关键词:氮化硅; 碳化硅; 颗粒弥散强韧化; [全文内容正在添加中] ......
Si3N4陶瓷二次部分瞬间液相连接模型 初雅杰1,许志荣1,邹家生1,陈铮1 (1.华东船舶工业学院焊接系,江苏,镇江,212003) 摘要:在Si3N4陶瓷PTLP连接的基础上,提出了Si3N4陶瓷二次PTLP连接中间层设计的一般规律为Ti/Cu/X(X为Ni,Pt,Au,Pd等),X与Cu在固相和液相均是完全互溶的;分析了陶瓷二次PTLP连接过程并建立了连接模型,阐述了利用该模型选择连接参数的方法. 关键词:氮化硅; 二次PTLP连接; 中间层; 数值模型; [全文内容正在添加中] ......
纳米Fe包覆Si3N4的制备及其高温烧结微观组织 银锐明1,刘勋1,黄伯云1,范景莲1 (1.中南大学,粉末冶金国家重点实验室,长沙,410083;2.湖南工业大学包装与材料工程学院,株洲,412008) 摘要:采用非均相沉淀-热还原法制备了Fe/Si3N4颗粒复合粉末并在热处理温度1873 K和0.1 MPa氮气气氛下进行常压与热压烧结.通过扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM),电子能谱(EDS),X射线衍射(XRD)等方法观察Fe/Si3N4复合粉末的结构形貌及常压,热压烧结后的微观组织.结果表明:Fe/Si3N4复合粉末物相主要存在Fe相与Si3N4相,微观结构为纳米薄层Fe均匀包覆Si3N4颗粒;高温烧结后的常压与热压样品的组织成分与微观结构有极大的不周,除了存在Si3N4相之外,常压样品金属Fe相衍射蜂消失,并有晶粒粗大铁硅化合物生成,热压样品则保留有金属Fe相,并存在......
高气孔,高强Si3N4陶瓷材料的研究 山玉波1,张晓霞1,张伟儒2,殷盼盼1,李伶2 (1.沈阳建筑大学交通与机械学院,辽宁,沈阳,100168;2.山东工业陶瓷研究设计院,山东,淄博,255031) 摘要:采用部分烧结工艺,利用复合助剂A作为烧结助剂,成功的制备出了材质比较均匀且有较高强度,高气孔氮化硅陶瓷.借助XRD,SEM等仪器对其物相组成和微观结构进行了研究.实验结果表明:在适当的工艺下可以制得弯曲强度大于160MPa,气孔率＞50%的多孔氮化硅陶瓷.气孔主要是由长柱状β-Si3N4晶粒搭接而成的,均匀的气孔分布和高的长径比结构是获得高强度的主要原因. 关键词:部分烧结; 气孔率; 弯曲强度; 氮化硅; [全文内容正在添加中] ......
制备工艺对CVD Si3N4涂层沉积速率的影响 尹立峰1,徐晓燕2,崔岩2,张长瑞1,王思青1 (1.国防科学技术大学航天与材料工程学院新型陶瓷纤维及其复合材料国防科技重点实验室,长沙,410073;2.中国航空工业济南特种结构研究所,济南,250023) 摘要:采用HSiCl3-NH3-N2(稀释气体)体系在石英陶瓷基板上通过低压化学气相沉积(LPCVD)法沉积出了Si3N4涂层,研究了工艺条件对涂层沉积速率的影响.结果表明,在没有稀释气体的情况下,随着沉积温度升高,Si3N4涂层的沉积速率逐渐增加,在850℃附近达到最大值,随着反应温度的进一步升高,涂层沉积速率下降.当存在稀释气体时,在所选温度范围内随着沉积温度的升高,Si3N4涂层的沉积速率一直增大,反应的表观活化能约为222KJ/mol.随着原料中NH3/HSiCl3流量比值的增大,Si3 N4涂层的沉积速率逐渐增加,随后......
