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• 热浸镀铝锌镀层在NaCl溶液中腐蚀电化学行为

  来源： 《有色金属科学与工程2011年第3期》——姚文俐 董速伟 陈金清 陈星斌 刘平

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• SUS304不锈钢表面抛光缺陷原因分析及改进措施

  来源： 《上海金属2011年第2期》——茅卫东

  SUS304不锈钢表面抛光缺陷原因分析及改进措施茅卫东1(1.上海市宝山钢铁股份有限公司)摘 要:对SUS304不锈钢抛光"点状"缺陷解析表明,缺陷主要是由于Al2O3等脆性夹杂物在抛光处理后部分脱落而形成.控制钢水T[Al],提高AOD炉渣还原性能,喂SiCaBa线处理等夹杂物控制技术,实现了板坯总[O]从45.1μg/g下降为30.7μg/g,而且夹杂物变性,改善了表面抛光"点状"缺陷.关键词:SUS304不锈钢； 点状缺陷； 夹杂物； 抛光......

• 抛光处理铂铝粘结层的高温氧化

  来源： 《中国有色金属学报2009年第8期》——宋鹏 陆建生 张德丰

  compared with as-aluminized bond coats. However, the wavelength of TGO undulations shows a little increasing trend. From further study, the polishing treatment bond coats show better TGO adherence and lower alumina growth rate.  Key words: platinum; aluminide bond coats; high temperature oxidation; polishing treatment             ......

• 设计与制备具有放射状介孔壳层的PS/_MSiO₂复合磨料及其抛光氧化硅片效果

  来源： 《中国有色金属学报2016年第2期》——陈爱莲 汪亚运 陈杨

  ; 文献标志码:A 根据国际半导体技术发展路线图(International technology roadmap for semiconductors, ITRS)2014版的预测,超大规模集成电路还将延续Moore定律迅速发展.伴随集成度的提高,特征尺寸的减小以及各种新材料,新工艺的不断涌现,对化学机械抛光/平坦化(Chemical mechanical polishing...-chun. Chemical mechanical polishing: theory and experiment[J]. Friction, 2013, 1(4): 306-326. [3] DUBOIS C, SYLVESTRE A, CHAABOUNI H, FARCY A. Impact of the CMP process on the electrical properties......

• β-球形氢氧化镍的微观结构及其形成机理

  来源： 《中国有色金属学报2003年第5期》——彭美勋 王零森 沈湘黔 危亚辉 贺万宁

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• 不同粒径核壳结构聚苯乙烯(PS)-CeO₂复合磨料的制备、表征及其化学机械抛光性能

  来源： 《中国有色金属学报2011年第7期》——陆锦霞 陈志刚 隆仁伟

  for chemical mechanical polishing (CMP) of silicon dioxide dielectric layer. The morphologies of the dielectric layer after polishing by the composite abrasives were investigated by AFM. The results indicate... μm ×10 μm are 0.372 and 0.470 nm, respectively. Key words: PS-CeO2 composite abrasives; core-shell structure; chemical mechanical polishing (CMP) CeO2是一种重要的稀土氧化物,虽然它较软(莫氏硬度为6~7),但一直被用于有效地抛光高硬度的玻璃基板......

• SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势

  来源： 《宇航材料工艺2010年第1期》——李淑娟 李言 肖强

  SiC单晶片CMP超精密加工技术现状与趋势 李淑娟1,李言1,肖强2 (1.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安,710048;2.西安理工大学机械与精密仪器工程学院,西安710048;3.西安工业大学机电工程学院,西安710032) 摘要:综述了半导体材料SiC抛光技术的发展,介绍了SiC单晶片CMP技术的研究现状,分析了CMP的原理和工艺参数对抛光的影响,指出了SiC单晶片CMP急待解决的技术和理论问题,并对其发展方向进行了展望. 关键词:SiC单晶片; 化学机械抛光; 粗糙度; 抛光效率; SiC mono-crystal; CMP; Roughness; Polishing efficiency; [全文内容正在添加中] ......

• Effect of Roasting Conditions of Rich Cerium Rare Earth Carbonate on Crystallite Morphology and Polishing Ability of Ceria-Based Rare Earth Oxide

  来源： 《Journal of Rare Earths2007年第S1期》——吴文远 李学舜 陈杰 杨国胜 涂赣峰

  Effect of Roasting Conditions of Rich Cerium Rare Earth Carbonate on Crystallite Morphology and Polishing Ability of Ceria-Based Rare Earth Oxide吴文远,李学舜,陈杰,杨国胜,涂赣峰摘 要:polishing experiments found that the polishing ability of the ceria-based rare earth oxide was the best......

• 新型核-壳结构PS/CeO₂和PS/SiO₂复合磨料的制备及其抛光性能

  来源： 《中国有色金属学报2010年第8期》——陈杨 隆仁伟 陈志刚 陈爱莲

  analysis (TGA). The thermal oxide film covered silicon wafer was chemical mechanical polished (CMP) by composite abrasives, and the polishing behavior of the novel composite abrasives was characterized... abrasives; core-shell structure; coating; chemical mechanical polishing 化学机械抛光/平坦化(Chemical-mechanical polishing,CMP)是超大规模集成电路制造工艺中的关键技术之一,抛光浆料中磨料的自身特性(磨料的种类,形貌,粒径和粒径分布,力学性质以及表面性质等)对抛光表面的质量(粗糙度,平整度以及......

• A hydrometallurgical method of energy saving type for separation of rare earth elements from rare earth polishing powder wastes with middle fraction of ceria

  来源： 《JOURNAL OF RARE EARTHS2016年第5期》——UM Namil HIRATO Tetsuji

  A hydrometallurgical method of energy saving type for separation of rare earth elements from rare earth polishing powder wastes with middle fraction of ceriaUM Namil1,HIRATO Tetsuji21. Resource...="ChDivSummary">This study described a hydrometallurgical method to investigate the separation of rare earth elements(REEs)from rare earth polishing powder wastes(REPPWs)containing large amounts......