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沉淀法制备CeO2纳米晶与表征 张伟1,董相廷1,李铭1,洪广言2,刘桂霞1 (1.长春光学精密机械学院应用理学分院,;2.中国科学院长春应用 化学研究所,) 摘要:采用乙醇为分散剂和保护剂, 用反向沉淀法制备了不同粒径的CeO2纳米晶. XRD分析表 明, 当焙烧温度为250~800 ℃时, 所合成的CeO2纳米粒子属于立方晶系, 空间群为O5H-FM3M. TEM分析表明, CeO2纳米粒子呈球形, 粒度随焙烧温 度的增加而增大. 热失重分析表明, 样品的热失重主要受温度的影响, 而焙烧时间的影 响不大. 相对密度分析表明, 随CeO2纳米晶粒度的增大, 粉末的密度增加. 关键词:稀土; 二氧化铈; 纳米粒子; 沉淀法; [全文内容正在添加中] ......
纳米CeO2及其复合氧化物的制备方法研究进展 李永绣1,胡建东1,邓苏君1,傅毛生2 (1.南昌大学稀土与微纳功能材料研究中心,南昌,330047;2.南昌大学稀土与微纳功能材料研究中心,南昌330047;3.南昌航空大学环境与化学工程学院,南昌330063) 摘要:介绍了近年来国内外涌现的制备纳米CeO2及其复合氧化物的各种方法,重点介绍了液相反应法,固相反应法中各种方法的特点和研究新进展,并阐明了制备纳米CeO2及其复合氧化物的发展趋势. 关键词:纳米CeO2; 纳米复合氧化; 镏票阜椒è; [全文内容正在添加中] ......
电子束蒸发沉积制备高度晶体取向的CeO2薄膜 金波1,王曦1,李炜1,郑志宏1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,离子束重点实验室,上海,200050) 摘要:为了得到CeO2为埋层的新型SOI(Silicon On Insulator)材料,采用电子束蒸发沉积及后期退火处理的方法制备得到了高度(111),(311)晶体取向的CeO2薄膜,为进一步外延制备SOI材料打下了良好的基础.同时,从热力学角度就退火对CeO2薄膜晶体取向的影响机理进行了初步的探讨.由于CeO2(11),(311)面为密排面和次密排面,在结晶化过程中所需克服的能垒最低和次低,所以,退火后形成了(111),(311)结构的CeO2薄膜. 关键词:CeO2; 高取向; 退火; 电子束蒸发; [全文内容正在添加中] ......
高松装密度CeO2的制备研究 赵连国1,袁双龙1,杨云霞1,辛模良2,徐志珍1 (1.华东理工大学化学系,上海,200237;2.上海跃龙化工厂,上海,200937) 摘要:通过CeCl3与(NH4)2C2O4共沉淀反应制备Ce2(C2O4)3前驱体. 前驱体Ce2(C2O4)3经高温焙烧, 得到CeO2. 研究了共沉淀反应温度, pH,加料速度对CeO2松装密度的影响. 结果表明, 在pH为4.0左右, 反应温度为20 ℃, 加料速度为2 ml*min-1的条件下, CeO2的松装密度为2.01 g*cm-3. 关键词:稀土; 二氧化铈; 松装密度; 共沉淀; 澄清剂; [全文内容正在添加中] ......
纳米CeO2对Al2O3/Cr2O3陶瓷涂层组织及性能的影响 杜茂华1,李建国1,王挺1,李广东1 (1.内蒙古工业大学,材料科学与工程学院,内蒙古,呼和浩特,010051) 摘要:采用亚音速氧乙炔火焰喷涂制备涂层.通过在Al2O3/Cr2O3为基的陶瓷粉体中添加不同数量的纳米CeO2,探讨其对涂层组织及性能的影响.结果表明,纳米CeO2的加入使喷涂层的显微组织得到改善,喷涂层的耐磨性,结合强度,显微硬度得到提高.且随着纳米CeO2加入量的增加,涂层的性能呈先上升后下降的趋势.当纳米CeO2加入量为3%时,涂层中孔隙最少,涂层细化且致密,结合强度最高,显微硬度达到最高,耐磨性也最好. 关键词:纳米CeO2; 陶瓷涂层; 显微组织; 耐磨性; [全文内容正在添加中] ......
单双室电解法合成纳米CeO2粉体及其表征 王涛1,孙都成1 (1.新疆大学,化学化工学院,乌鲁木齐,830046) 摘要:采用直流电解合成法,分别以CeCl3,Ce(NO3)3,CeCl3-KI溶液为电解液单室制备了纳米CeO2粉体.经高温焙烧后,TEM和XRD测试表明:粒子基本呈球形,所得产物均为立方晶系CeO2,粒径分别为20~50 nm,30~50 nm,20~100 nm.同时,使用阴离子交换膜的双室电解法电解CeCl3溶液,发现得到的CeO2粒径(7~20nm)比单室电解得到的小,分析了造成粒径不同的原因.本工作还对各溶液体系电解形成CeO2的机理进行了分析. 关键词:电合成; CeO2; 单双室; 机理; 纳米; [全文内容正在添加中] ......
ZnO掺杂纳米CeO2的共沸蒸馏法合成 曲鹏1,邱冠周1,杨海平1,何希1,宋晓岚1 (1.中南大学,湖南,长沙,410083) 摘要:采用化学共沉淀法结合正丁醇共沸蒸馏处理前驱体合成了ZnO掺杂纳米CeO2颗粒,通过XRD,DSC/TG,IR,TEM,原子吸收光谱以及紫外透过率分析等方法对其结构和性能进行了表征;并根据XRD线宽法,由Scherrer公式计算其晶粒尺寸,研究了共沸蒸馏,ZnO掺杂,以及焙烧温度和时间对CeO2纳米晶粒尺寸的影响.结果表明:正丁醇共沸蒸馏法能有效脱除前驱体凝胶中的水分,防止干燥和焙烧过程中硬团聚的形成,从而得到粒径更小,分布更均匀,分散性更好的纳米CeO2颗粒;2 mol%~10 mol%掺杂ZnO能与纳米CeO2形成固溶体,且掺入量增加引起纳米CeO2晶粒有所增大;随焙烧温度提高,ZnO掺杂纳米CeO2晶粒显著长大,而高温下随焙烧时间延长,其晶格进......
沉淀法合成纳米CeO2的晶粒生长动力学 曲鹏1,邱冠周1,杨振华1,宋晓岚1 (1.中南大学,湖南,长沙,410083) 摘要:以Ce(NO3)3·6HzO为铈源,(NH4)2CO3·H2O为沉淀剂,并加入一定量表面活性剂PEG4000,采用液相沉淀法制备前驱体Ce2(CO3)3·H2O,前驱体经热处理合成纳米CeO2.根据XRD线宽法研究了纳米CeO2热处理过程的晶粒生长动力学,结果表明:随焙烧温度升高,CeO2晶粒尺寸显著增大;300℃下焙烧时间对CeO2晶粒尺寸影响不明显,700℃下CeO2晶粒随焙烧时间延长而长大,且焙烧初期粒径增长较快,超过180 min后增长速率变慢;700℃时CeO2晶粒生长指数为5,即符合5次方动力学方程,晶粒生长速率常数为1.986 5×104 nm5/min;由于纳米尺寸效应,使得CeO2晶粒生长活化能在低温区和高温区不同,低于400℃时为......
ZnO掺杂纳米CeO2的共沸蒸馏法合成 曲鹏1,邱冠周1,杨海平1,何希1,宋晓岚1 (1.中南大学,湖南,长沙,410083) 摘要:采用化学共沉淀法结合正丁醇共沸蒸馏处理前驱体合成了ZnO掺杂纳米CeO2颗粒,通过XRD,DSC/TG,IR,TEM,原子吸收光谱以及紫外透过率分析等方法对其结构和性能进行了表征;并根据XRD线宽法,由Scherrer公式计算其晶粒尺寸,研究了共沸蒸馏,ZnO掺杂,以及焙烧温度和时间对CeO2纳米晶粒尺寸的影响.结果表明:正丁醇共沸蒸馏法能有效脱除前驱体凝胶中的水分,防止干燥和焙烧过程中硬团聚的形成,从而得到粒径更小,分布更均匀,分散性更好的纳米CeO2颗粒;2 mol%~10 mol%掺杂ZnO能与纳米CeO2形成固溶体,且掺入量增加引起纳米CeO2晶粒有所增大;随焙烧温度提高,ZnO掺杂纳米CeO2晶粒显著长大,而高温下随焙烧时间延长,其晶格进......
Effect of CeO2 on Electrical Properties of (Nb,Mn)-Doped TiO2 Varistor Ceramics Zhang Nanfa1,Wang Maohua2,Hu Keao2,Zhao Binyuan2 (1.Changzhou Chuangjie Lightning Protection Co., Ltd, Changzhou 213016, China;2.State Key Laboratory of MMCs, Shanghai Jiaotong University, Shanghai 200030, China) Abstract:The electrical properties of TiO2-based varistor ceramics with different amount of CeO2 were......
