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MoSi2发热元件在不同气氛中使用损毁分析刘新红1,宋煜伟2,杨金松3,朱晓燕1,马腾11. 郑州大学材料科学与工程学院2. 洛阳职业技术学院3. 中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司摘 要:对分别在空气气氛中使用100炉和在氮气气氛中使用5炉后(每炉均设定为1 500℃保温3 h)的国产MoSi2发热元件进行了XRD,SEM和EDS分析,并探讨了其损毁机制.结果表明:1)国产MoSi2发热元件未变层气孔较多,腐蚀性气体易通过气孔与MoSi2反应造成损毁,少量的杂质相也可加速损毁;2)MoSi2发热元件在空气气氛中损毁的原因在于SiO2玻璃相以SiO气体挥发致使电阻不均,局部过热;3)氮气气氛中不能形成保护性玻璃膜,N2和少量CO与MoSi2反应生成Mo5Si3,Mo3Si,Mo,Mo2C和Si3N4......
LiAlO2为烧结助剂低温无压烧结制备致密Si3N4陶瓷郭昂,王战民,赵世贤,李凌锋中钢集团洛阳耐火材料研究院有限公司先进耐火材料国家重点实验室摘 要:以高α相含量的Si3N4粉体为主要原料,LiAlO2作为烧结助剂,在1 650℃无压烧结制备Si3N4陶瓷.研究LiAlO2烧结助剂含量(质量分数分别为6%,9%,12%,15%,18%)及保温时间(1,4,7,10 h)对Si3N4陶瓷试样的线收缩率,质量损失率,相对密度,相组成以及显微结构的影响.结果表明:LiAlO2能够显著降低Si3N4陶瓷的致密化温度.随着LiAlO2含量的增加,试样的相对密度先增大后减小,烧结助剂含量为12%(w)时相对密度达到97%以上.而β-Si3N4转化率随着LiAlO2含量的增加而升高.LiAlO2含量为12%(w......
溅射工艺对D/M/D结构中SiN_x介质膜光学常数的影响孙瑶1,2,3,汪洪1,2,31. 中国建筑材料科学研究总院3. 绿色建筑材料国家重点实验室摘 要:采用射频反应溅射制备SiNx薄膜,作为以Ag膜为功能层的D/M/D结构透明导电膜中的电介质膜,并研究射频功率,气压以及N2流量对SiNx薄膜光学常数的影响.结果表明,SiNx薄膜具有非晶态结构,光学常数在300~2500nm波长范围内符合正常色散关系.椭偏测试及Cauchy模型拟合结果表明,折射率随功率,气压以及N2流量升高而降低,SiNx光学常数最佳的工艺条件为功率300W,气压0.16Pa,N2与Ar流量比例1∶1,此时薄膜折射率为2.02,消光系数为0,最接近具有化学计量比的Si3N4薄膜的光学常数.按此工艺制备的Si Nx膜在优化厚度为......
铕离子掺杂氧氮玻璃陶瓷的制备及其发光性能(英文)Hamed Karimi,李谷,王倩男,赵佳佳,乔旭升,樊先平浙江大学材料科学与工程学系,硅材料国家重点实验室摘 要:制备了铕离子掺杂氧氮玻璃陶瓷,研究了该玻璃陶瓷的发光性能.X射线衍射结果表明玻璃基质中析出了CaAl2Si2O8,Ca2Al2SiO7和Y20Si12O48N4等晶体.随着Si3N4成分的增加或热处理的进行,玻璃陶瓷中一些Eu3+离子被还原成Eu2+离子.我们认为Eu3+被还原为Eu2+主要源自于6Eu3++2N3-→6Eu2++N2↑氧化还原反应,或者源自于析出的CaAl2Si2O8和Ca2Al2SiO7晶相中Eu3+对Ca2+的取代.玻璃陶瓷除了产生类似于玻璃中三价Eu3+离子f-f跃迁的橘红色发光外,还出现了源自于d-f跃迁的Eu2......
Fe-Al/TiC激光熔覆层的高温摩擦磨损和氧化性能王耀华1,高清振1,2,张晓南1,李启峰11. 解放军理工大学工程兵工程学院2. 中国人民解放军94655部队摘 要:采用高温摩擦磨损试验机研究从室温(25℃)至700℃下Fe-Al/TiC激光熔覆层与Si3N4球配副时的摩擦磨损特性,探讨了涂层的高温摩擦磨损机理,并在700℃进行了氧化试验.结果表明:随着试验温度的升高,Fe-Al/TiC熔覆层磨损面形成了具有固体润滑作用的氧化物保护层,使摩擦因数降低,磨损率始终保持在较低水平,700℃下磨损率是35CrMo钢的1/6;熔覆层具有优良的抗高温氧化性能,700℃下氧化150 h后质量增加为1.5 mg.cm-2,比35CrMo钢的抗氧化性能提高40多倍;熔覆层高温磨损的主要机理为剥层磨损.
基于多掩膜光刻工艺的MEMS体硅加工黄占喜1,2,吴亚明1,李四华1,21. 中科院上海微系统与信息技术研究所微系统技术重点实验室传感技术联合国家重点实验室2. 中科院研究生院摘 要:本文提出了一种新颖的MEMS多掩膜工艺,实现了带有大台阶和大深宽比窄槽的衬底上的体硅精细加工.通过薄胶多次光刻在衬底上制作出氧化硅(SiO2),氮化硅(Si3N4),光刻胶(photo-resist,PR)等材料的多层掩膜图形,每层掩膜可以进行一次衬底刻蚀或腐蚀,刻蚀或腐蚀完毕后去除该层掩膜.该工艺解决了MEMS工艺中的深坑涂胶和光刻问题,结合深反应离子刻蚀(Deep Re-active Ion Etching,DR IE),湿法腐蚀等工艺可以用于多级台阶,深坑底部精细结构,微结构释放等MEMS工艺.关键词......
1500℃时,球形结构破坏,产物结晶,生成了Si3N4晶粒.关键词:沉淀共聚合;聚乙烯基硅氮烷;微球;热解;陶瓷;......
through incorporating Si-N bond to the host in the form of Si3N4. A maximum solubility of Si-N bond in SrAl2-xSi2+xO8-xNx was estimated theoretically to be in a value of x=1.0. Under 365 nm irradiation......
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machinable porcelain are essential. The friction and wear behavior of new generation industrially prefabricated Cerec Vitablocs Mark Ⅱ against uniform Si3N4 ball has been performed using a small amplitude......
