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酸性介质中萃取铟的研究俞小花1,谢刚1,王吉坤2,李永刚21. 昆明理工大学材料与冶金学院2. 云南冶金集团总公司技术中心摘 要:综述了在不同的酸性介质中,用不同的萃取剂萃取铟的研究.指出在硫酸介质中,萃取铟常用的萃取剂是酸性磷型萃取剂,如P204,P538,P5708,,D2EHMTPA等;在盐酸介质中常用的萃取剂有胺类萃取剂,亚砜类萃取剂,中性氧磷萃取剂,如:N235,TOPO,石油亚砜等,并指出在萃取铟的过程中,影响萃取率的因素主要有:酸度,萃取剂浓度,水相中铟离子的浓度,VA∶VO,萃取级数等.关键词:酸性介质;萃取;铟;综述;......
that the vanadium layer formed on zinc surfaces and the vanadium-rich coating was a hydrated oxide with a composition of V2O5,VO2,and its hydrates such as V2O5·nH2O and VO(OH)2.关键词:......
by means of infrared spectroscopy and X-ray diffraction analysis. The results indicate that, in this glass, V and P exist mainly in the form of a single-stranded linear (VO 3 ) n and an isolated (PO 4......
AlxZn1-xO纳米颗粒的光电特性研究娄本浊陕西理工学院物理与电信工程学院摘 要:本文以溶胶-凝胶法制备Alx Zn1-x O(x=0,0.05,0.1,0.15)纳米颗粒,利用扫描电镜,X射线衍射,拉曼光谱及光致荧光光谱探讨Al掺杂对纳米颗粒光电特性的影响.研究结果表明:一方面,Al掺杂会导致样品晶粒大小均匀性变差,使得晶界数量变多,而晶界中存在的缺陷,悬键及杂质将对纳米颗粒的特性造成不良影响.另一方面,Al掺杂会导致样品结晶性变差,进而产生较多的多声子散射现象,使得非辐射复合效应增强.此外,Al掺杂对VO缺陷无明显影响,也不会导致量子局限效应出现.关键词:ZnO;Al掺杂;纳米颗粒;光电特性;多声子散射;......
初次退火温度对长余辉发光材料性能的影响徐超,卢佃清,刘学东淮海工学院理学院摘 要:采用高温固相法制备了Sr0.96Al2O4:Eu0.02,Dy0.02,B0.08长余辉发光材料.利用XRD衍射仪,荧光分光光度计和亮度计分别研究两步退火工艺中初次退火温度对晶体结构,激发光谱,发射光谱和余辉衰减特性的影响.结果表明,随着样品初次退火温度的升高,DySr.陷阱中的电子浓度出现一峰值,而VO..陷阱中的电子浓度逐渐减小.初次退火为1150℃×2 h,第二次退火为1350℃×6 h的样品具有最大的DySr.陷阱中的电子浓度,且具有最大的时间衰减常数,这使该样品具有最好的长余辉特性.初次退火温度太高时,出现了AlEuO3晶相,DySr.陷阱中的电子浓度迅速降低.关键词:两步退火工艺;铝酸盐;长余辉......
衬底温度对N-Al共掺杂ZnO薄膜形貌及光致发光性能的影响钟爱华1,谭劲1,2,陈圣昌1,包鲁明1,艾飞1,李飞11. 中国地质大学材料科学与化学工程学院2. 地质过程与矿产资源国家重点实验室摘 要:采用超声喷雾热解法在不同衬底温度条件下沉积了N-Al共掺杂ZnO薄膜,衬底为普通硅酸盐玻璃.利用X射线衍射仪,原子力显微镜和荧光光谱仪表征了样品的晶体结构,形貌及室温光致发光性能.结果表明,ZnO颗粒尺寸随着衬底温度的升高而逐渐增大;低温下沉积的样品发光光谱中缺陷发射光占主导,随着衬底温度的升高这些缺陷发射光强度逐渐减弱,当温度升高到450℃时只有紫外发射光.缺陷发射光强度的减弱意味着薄膜缺陷浓度减小,晶体趋于完整,同时反映出施主型缺陷浓度随衬底温度的升高而逐渐减小,这对减弱ZnO薄膜p型掺杂时Vo或......
ZnO纳米棒阵列膜在低功率UV照射下润湿性可逆转换机制研究李慧,张君山西师范大学化学与材料科学学院磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室摘 要:通过水热合成,硬脂酸修饰的方法制备了超疏水性ZnO纳米棒阵列膜.该膜经低功率紫外辐照后,表面润湿性转变为超亲水性;在暗室中放置一段时间,则又恢复为超疏水性.ZnO纳米棒阵列膜样品经UV辐照后通过FT-IR分析发现其疏水性硬脂酸并未发生明显地光降解,这表明紫外诱导的表面润湿性转变并非由光催化去除有机物导致.继而通过对样品的XPS研究发现,氧空位(VO)在膜表面润湿性的转变中发挥了重要作用.提供了一种研究紫外诱导ZnO纳米棒阵列膜表面润湿性可逆转换机制的新途径.关键词:ZnO;紫外;润湿性;机制;......
ZnO的点缺陷结构与p型化转变的研究进展成鹏飞,张英堂,余花娃西安工程大学理学院摘 要:ZnO是一种典型的直带隙宽禁带半导体材料,是下一代光电材料的代表.但由于p型化转变困难,使ZnO在光电领域的应用受到了极大限制.系统分析了ZnO的本征点缺陷结构和p型化转变方面的理论和实验研究成果,认为ZnO的n型电导应起源于本征点缺陷Zni或VO.通过Ⅴ族元素实现p型化转变的关键在于其稳定性,因此通过亚稳的点缺陷之间的相互作用实现相对较稳定的p-ZnO是Ⅴ族元素掺杂实现p型化转变的研究方向.考虑到Ⅰ族元素在ZnO中的固溶度较高且受主能级较浅,通过Ⅰ族元素的掺杂实现高电导p-ZnO也是实现p型化转变的思路;但是Ⅰ族元素的掺杂会引起严重的自补偿,因此实现Ⅰ族元素在ZnO晶格中的定位是Ⅰ族元素掺杂实现p型化转变的研究方......
电子辐照直拉硅中VO2的红外光谱表征蔡莉莉1,冯翠菊1,陈贵锋21. 华北科技学院基础部物理教研室2. 河北工业大学材料学院摘 要:用能量为1.5MeV,剂量为1.8×101 8e/cm2的电子束辐照直拉硅单晶样品,通过傅里叶变换红外光谱技术(FTIS)研究了辐照后样品中VO2缺陷随退火温度的变化及其热稳定性.实验结果表明,辐照在样品中引入了VO2的亚稳态缺陷,其特征吸收峰在低温红外光谱中向高频方向移动,300℃热处理时该亚稳态缺陷转化为VO缺陷;400℃热处理样品中出现了VO2的稳态缺陷,450℃热处理该稳态缺陷的峰值强度达到最大,当退火温度达到550℃时,该稳态缺陷完全消失并转化为其它复杂的缺陷.这种稳态的VO2缺陷经历450℃长时间热处理表现出良好的热稳定性,而在500℃短时热处理后转化为其它缺......
be obtained by reacting sodium orthovanadate(Na 3 VO 4) with calcium oxide at 90 ℃ for 2 h. By acidifi cation of calcium vanadate in hot water at pH of 1.0-3.0, the monoclinic metahewettite crystals......