共搜索到397条信息，每页显示10条信息，共40页。用时：0小时0分0秒267毫秒
纳米结构V2O5空心微球的制备与表征 姚亚东1,刘恒1,李大成1,朱丁1 (1.四川大学,材料科学与工程学院,成都,610064) 摘要:以自制的二乙酰丙酮氧钒(VO(aca)2)为原料,通过软模板法组装出聚乙烯吡咯烷酮(PVP)/钒前驱体核壳结构的复合微球.对复合微球进行热处理后制备得φ(0.5~1.0)μm五氧化二钒(V2O5)中空微球.分别采用扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和X射线衍射仪(XRD)对最终产物的球形外观,中空结构和物相组成进行了表征,结合VO(acac)2,溶解于乙二醇的PVP,溶解于乙二醇的VO(acac)2与复合微球的红外光谱(FTIR)和复合微球的差热曲线(DTA),探讨了V2O5中空微球形成的机理.对影响实验的因素如PVP和VO(acac)2的浓度,保温时间等进行了研究.结果表明:通过严格控制PVP和VO(acac)2的浓度能够确保V2O5球壳结......
V2O5干凝胶的制备新方法 () [全文内容正在添加中] ......
纳米V2O5新相的制备与表征研究 () [全文内容正在添加中] ......
锂离子注入对V2O5薄膜红外振动特性影响 吴翔1,陈炎2,倪星元1,吴广明1,王珏1,周箴1,吴永刚1 (1.同济大学波耳固体物理研究所;2.上海声像出版社) 摘要:用反应蒸发法制备了多晶V2O5薄膜,采用两电极从锂离子电解质向V2O5薄膜注入锂离子,测试了离子注入前后薄膜的红外反射光谱.实验结果表明.锂离子注入对V2O5晶体红外振动影响较大.采用多晶V2O5振动模型分析了薄膜的红外振动吸收,并得到了锂离子注入产生的V2O5薄膜振动的变化是由于晶格扩展和钒离子自身杂质形成引起的. 关键词:薄膜; 氧化钒; 红外吸收; 光学特性; 反应蒸发; [全文内容正在添加中] ......
V2O5掺杂对ZnNb2O6介质陶瓷性能的影响 殷镖1,黄金亮1,赵高磊1,周焕福1,王茹玉1 (1.河南科技大学材料科学与工程学院,河南,洛阳,471003) 摘要:采用传统的固相反应法制备了V2O5掺杂ZnNb2O6介质陶瓷,借助XRD,SEM和LCR测试仪等研究了陶瓷的烧结特性及介电性能.结果表明:V2O5掺杂能有效地降低ZnNb2O6陶瓷的烧结温度,提高介电常数,改善频率温度系数,但介电损耗有所增加.经1050℃烧结,1.0%V2O5掺杂的ZnNb2O6陶瓷具有较好的介电性能,εr=28,tanδ=0.000 6,τf=-42.50×10-6℃-1. 关键词:V2O5; 介质陶瓷; 烧结温度; 介电性能; [全文内容正在添加中] ......
V2O5含量对SiO2-MgO-Al2O3-K2O-V2O5-F系玻璃陶瓷析晶的影响 岳雪涛1,王玥1,田清波1,尹衍升2 (1.山东建筑大学材料学院,济南,250101;2.山东大学工程陶瓷实验室,济南,250013) 摘要:应用扫描电子显微镜(SEM),X射线衍射(XRD)及电子探针(EPMA)等技术研究了V2O5含量对SiO2-MgO-Al2O3-K2O-V2O5-F玻璃陶瓷析晶的影响,结果表明,在所研究的玻璃体系中,V2O5的加入促进了莫来石晶体在较低温度下的析出,而且随着玻璃中V2O5含量的提高,莫来石和云母晶体的析晶温度区间逐渐向低温方向移动.EPMA结果显示在析出的晶体中没有钒元素的聚集,表明V2O5的加入没有参与晶体的直接形核,而是以网络外体的形式存在于玻璃体系中,削弱玻璃的结构,导致晶体析出温度降低.同时发现V2O5含量尽管对析出晶体的种类没有明显的影响,但是对晶......
V2O5修饰AB5储氢合金的性能研究 郭先锋1,周柳1,吕东生1,李伟善1 (1.华南师范大学,广东,广州,510006) 摘要:用不同量的V2O5对双辊快淬法制AB5型合金La0.65Ce0.28Pr0.02Nd0.05Ni3.8Co0.7Mn0 3Al0.2进行球磨修饰,得到V2O5修饰量分别为0%,3%,6%,10%(质量分数)的4个试样.对试样进行激光粒度分析,X射线衍射物相组成分析,扫描电子显微镜微观形貌观察,用恒电流充放电研究了试样作为镍氢电池负极时的性能,用循环伏安法研究了氧化还原氢动力学性能.结果表明,V2O5修饰使合金颗粒细化,但是主相合金依然保持了单一的六方晶系的CaCu5型结构.修饰V2O5使合金的实际放电容量得到提高,最高达到332.6 mAh/g,合金电极表面的氢氧化还原过程动力学性能得到改善,修饰V2O5对电极反应有催化作用,同时合金的倍率放电性能得到明......
Co2O3或/和V2O5掺杂对NiZn铁氧体磁性能的影响 向兴元1,张怀武1 (1.电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川成都,610054) 摘要:一定量的V2O5掺杂有利于NiZn铁氧体烧结温度的降低,且在一定范围内起始磁导率升高;而Co2O3掺于NiZn铁氧体,起始磁导率降低,但损耗特性可得到改善.我们采用Co2O3- V2O5复合掺杂,发现选择适当的配比,在起始磁导率没有大的下降的情况下,烧结温度和损耗特性等其他磁特性可得到较好的改善. 关键词:NiZn铁氧体; Co2O3-V2O5添加; 烧结温度; Q因子; 起始磁导率; [全文内容正在添加中] ......
V2O5熔化成膜法制备VO2薄膜 徐时清1,马红萍2 (1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海,201800;2.浙江科技学院,浙江,杭州,310012) 摘要:发展了一种新的VO2薄膜制备方法-V2O5熔化成膜法,其基本步骤为:基片预处理-涂粉-熔化成膜-真空退火-VO2薄膜.采用XRD和XPS等手段,对所得薄膜的物相组成与价态进行了分析,同时对薄膜进行了电阻随温度变化的测试.结果表明:通过该方法获得的薄膜,其主要成分是VO2,电阻突变达到4个数量级,相变温度为67.5℃. 关键词:V2O5; VO2薄膜; 电阻突变; [全文内容正在添加中] ......
添加CaO,V2O5对高频MnZn铁氧体性能的影响 王京梅1,兰中文1,余忠1 (1.电子科技大学) 摘要:制备了高频MnZn功率铁氧体,研究了添加CaO和V2O5对高频MnZn铁氧体性能的影响.结果表明:对于工作频率高于500 kHz的MnZn功率铁氧体,增加CaO的添加量,可提高晶界电阻率,最大程度地降低涡流损耗;适当添加V2O5会形成液相烧结并使晶粒细化,增加晶界,减少晶粒和晶界内的气孔率,提高晶界电阻率,降低材料的损耗.添加0.3%CaO和0.1%V2O5(质量分数,下同),可以制备出致密,气孔率低和晶粒均匀(粒径3~5 μm)的高频功率铁氧体材料,其起始磁导率约为1500,磁芯损耗约为130 mW/cm3(500 kHz,50 mT,25℃). 关键词:无机非金属材料; 功率铁氧体; 氧化物陶瓷工艺; 添加剂; [全文内容正在添加中] ......
