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• 砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展

  来源： 《功能材料与器件学报2000年第3期》——毛昆纯 林金庭 杨乃彬 陈效建

  砷化镓微波单片集成电路(MMIC)技术进展 毛昆纯1,林金庭1,杨乃彬1,陈效建1 (1.南京电子器件研究所,南京210016) 摘要:着重讨论南京电子器件研究所(NEDI)在GaAsMMIC研制方面的近期进展.在详细介绍MMIC有源器件(MESFET,PHEMT及HBT)的CAD模型建立技术及MMICCAD设计优化技术的基础上,以NEDI近年开发的各种MMIC为实例,包括发射,接收与控制三类电路,给出有关的实验结果.此外,简要介绍了NEDI在移动通信手机用MMIC技术开发方面的前期结果. 关键词:砷化镓; 微波单片集成电路; CAD模型; CAD设计优化; [全文内容正在添加中] ......

• 发射极δ掺杂的InGaAs/InPDHBT的特性分析

  来源： 《功能材料与器件学报2003年第4期》——陈雷东 曹俊诚 李爱珍 徐安怀 齐鸣

  发射极δ掺杂的InGaAs/InPDHBT的特性分析 陈雷东1,曹俊诚1,李爱珍1,徐安怀1,齐鸣1 (1.中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050) 摘要:设计了一种新结构的InGaAs/InP双异质结晶体管(DHBT),其中发射结采用δ掺杂和阻挡层结构,集电极采用N+掺杂复合结结构.考虑隧穿作用和发射结空间电荷区复合电流的影响,计算了δ掺杂浓度和N+,n-层厚度等参数变化对InGaAs/InP DHBT电流,I-V输出特性,电流增益的影响,计算结果表明,随着这些参数值增大,InGaAs/InP DHBT输出特性逐渐改善.当δ掺杂浓度大于2×1012cm-3时,电流增益趋于饱和. 关键词:InGaAs/InP HBT; δ掺杂层; 阻挡层; N+高掺杂的复合集电极; I- V输出特性; [全文内容正在添加中] ......

• Study of Electrical Characteristic in Heavily Doped P-Type Si_1-xGe_x/Si Hetero-Structure by Infrared Ellipsometric Spectroscopy

  来源： 《Journal of Rare Earths2006年第S2期》——陈长春 刘江峰 余本海 戴启润

  as the base layer of SiGe hetero-junction bipolar transistor (HBT) devices.关键词:......

• 一种全频段GNSS应用的低噪声放大器

  来源： 《中南大学学报(自然科学版)2014年第7期》——周仁杰 马成炎 项勇 甘业兵 叶甜春

  ;     (2) 其中:Lb和Le分别为基极和发射极电感；和Cp分别为共射级的基极-发射极电容和输入节点寄生电容；为工作频率；为HBT管的单位电流增益特征频率；为源阻抗.若输入阻抗在中心频率处与源阻抗完全匹配,则由输入阻抗虚部完全抵消条件可以得到          ...;          (5) 从式(5)可知:输入阻抗与源阻抗完全匹配的条件下,输入匹配带宽W仅由Le和Lb决定,而这两者之和通常小于10 nH,这样BW将大于450 MHz,能够很好地满足GNSS全频段宽带输入阻抗匹配的要求. 1.3  噪声分析 对于输入匹配良好的HBT型LNA,其噪声系数为[9......

• Impact of low/high-κ spacer–source overlap on characteristics of tunnel dielectric based tunnel field-effect transistor

  来源： 《中南大学学报(英文版)2017年第11期》——蒋智 庄奕琪 李聪 王萍 刘予琪

  investigation on the impact of spacer–source overlap and electron–hole barrier tunneling (eBT and hBT) on tunnel layer electrostatic field and tunneling current is made. In this work, the influence... at VDS=1.0 V and VGS=1.0 V for high-κ gate dielectric (HfO2) and low-κ dielectric (SiO2) spacer: 3.3 BTBT, eBT and hBT contribution to tunneling current In this section, to better understand the TD......

• High electron mobility of modulation doped GaAs after growing InP by solid source molecular beam epitaxy

  来源： 《中国有色金属学报(英文版)2005年第2期》——舒永春 皮彪 林耀望 邢小东 姚江宏 王占国 许京军

  consideration but also device application. Reproducible growth of quantum well lasers with excellent performance[11, 12] and InGaP/GaAs heterostructure bipolar transistor(HBT) with a high yield[13, 14......

• Ge⁺注入Si_1-xGe_x/Si异质结的退火行为

  来源： 《中南大学学报(自然科学版)2005年第4期》——罗益民 陈振华 黄培云

  用潜力[2-4];SiGe沟道场效应晶体管与同类Si器件相比显示出较高的空穴迁移率和跨导[5];以SiGe为基的双基晶体管(HBT)具有较高的电流增益和速率[2,3,6].在Si1-xGex异质结中,其能带的禁带宽度可随Ge含量改变[7],其超短周期的超晶格由于Brillouin区折叠效应可造成其导带能谷在波矢空间移动,使之成为准直接能隙材料[8],克服硅质半导体材料间接能隙的弱点,使得Si器件由......